1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具有電極配線，所述電極配線構(gòu)成為金屬材料和半導(dǎo)體材料在電流的流通方向上相互平行連接；
其中，通過(guò)將在溫度上升時(shí)的所述金屬材料的電阻值上升量和所述半導(dǎo)體材料的電阻值下降量相加，所述電極配線在溫度上升時(shí)的電阻值變化被減少。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述半導(dǎo)體材料和所述金屬材料相接的部分形成有金屬間化合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述金屬間化合物層的厚度在3μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料是硅單晶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料是多晶硅。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具有電極配線，所述電極配線構(gòu)成為金屬材料和半導(dǎo)體材料在電流的流通方向上相互平行連接；
其中，通過(guò)將在溫度上升時(shí)的所述金屬材料的電阻值上升量和所述半導(dǎo)體材料的電阻值下降量相加，所述電極配線在溫度上升時(shí)的電阻值變化被減少；
并且所述金屬材料包覆所述半導(dǎo)體材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極配線，其特征在于，在所述半導(dǎo)體材料和所述金屬材料相接的部分形成有金屬間化合物層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電極配線，其特征在于，所述金屬間化合物層的厚度在3μm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料是硅單晶。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料是多晶硅。