技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蝕層、以及位于待刻蝕層表面的金屬膜；在金屬膜表面形成金屬有機材料膜；圖形化金屬有機材料膜，在金屬膜表面形成具有第一線邊緣粗糙度的金屬有機材料層；對金屬有機材料層側(cè)壁進行氫還原處理，氫還原處理后的金屬有機材料層側(cè)壁表面具有小于第一線邊緣粗糙度的第二線邊緣粗糙度；以氫還原處理后的金屬有機材料層為掩膜刻蝕所述金屬膜，在待刻蝕層表面形成若干分立的金屬層；采用金屬輔助化學(xué)刻蝕工藝對待刻蝕層進行刻蝕，刻蝕去除被金屬層覆蓋的待刻蝕層，在基底表面形成若干分立的刻蝕層。本發(fā)明減小刻蝕層側(cè)壁表面的線邊緣粗糙度，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率和性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張海洋
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510387788
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.02
技術(shù)公布日：2017.01.11