1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底、位于基底表面的待刻蝕層、以及位于待刻蝕層表面的金屬膜；
在所述金屬膜表面形成金屬有機(jī)材料膜；
圖形化所述金屬有機(jī)材料膜，在所述金屬膜表面形成若干分立的金屬有機(jī)材料層，所述金屬有機(jī)材料層側(cè)壁表面具有第一線邊緣粗糙度；
對(duì)所述金屬有機(jī)材料層側(cè)壁進(jìn)行氫還原處理，氫還原處理后的金屬有機(jī)材料層側(cè)壁表面具有第二線邊緣粗糙度，且第二線邊緣粗糙度小于第一線邊緣粗糙度；
以所述氫還原處理后的金屬有機(jī)材料層為掩膜刻蝕所述金屬膜，在所述待刻蝕層表面形成若干分立的金屬層；
采用金屬輔助化學(xué)刻蝕工藝對(duì)所述待刻蝕層進(jìn)行刻蝕，刻蝕去除被所述金屬層覆蓋的待刻蝕層，保留未被所述金屬層覆蓋的待刻蝕層，在所述基底表面形成若干分立的刻蝕層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述金屬材料為鐵、金、銀或鉑。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述待刻蝕層的材料為硅。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述金屬輔助化學(xué)刻蝕工藝采用的刻蝕液體為氫氟酸溶液和雙氧水溶液的混合溶液。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述金屬有機(jī)材料層的材料為環(huán)烷酸鋯、環(huán)烷酸鎢、環(huán)烷酸鎳或環(huán)烷酸鈦。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氫還原處理的工藝參數(shù)為：H2流量為10sccm至500sccm，腔室壓強(qiáng)為1毫托至50毫托，提供源功率200瓦至1000瓦，提供偏置功率0瓦。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述金屬有機(jī)材料膜的工藝步驟包括：在所述金屬有機(jī)材料膜表面形成硬掩膜層；在所述硬掩膜層表面形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為 掩膜刻蝕所述硬掩膜層，在所述金屬有機(jī)材料膜表面形成圖形化的硬掩膜層；以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜，圖形化所述金屬有機(jī)材料膜。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為氧化硅。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕所述硬掩膜層的刻蝕氣體包括O2、N2和CHF3。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述金屬有機(jī)材料膜的工藝參數(shù)為：BCl3流量為20sccm至500sccm，CH4流量為0sccm至200sccm，CH2F2流量為0sccm至100sccm，CF4流量為0sccm至200sccm，腔室壓強(qiáng)為1毫托至50毫托，提供源功率200瓦至1000瓦，提供偏置功率0瓦至200瓦。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用中性離子束刻蝕工藝刻蝕所述金屬膜，其中，中性離子束刻蝕工藝提供的氣體為O2和C2H5OH。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述金屬層之后、對(duì)所述待刻蝕層進(jìn)行刻蝕之前，還包括步驟：
在所述金屬層之間的部分待刻蝕層表面形成隔離層，所述隔離層覆蓋金屬層側(cè)壁表面；
在所述隔離層之間的待刻蝕層表面形成催化劑層，所述催化劑層覆蓋隔離層側(cè)壁表面。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在刻蝕去除被所述金屬層覆蓋的待刻蝕層的同時(shí)，還刻蝕去除被所述催化劑層覆蓋的待刻蝕層，保留被所述隔離層覆蓋的待刻蝕層，在所述基底表面形成若干分立的刻蝕層。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述催化劑層的材料為鐵、金、銀或鉑。
15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用旋轉(zhuǎn)涂覆 工藝形成所述催化劑層。
16.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離層的材料為非晶碳、氮化硅或氮氧化硅。
17.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層的工藝步驟包括：在所述金屬層頂部表面和側(cè)壁表面、待刻蝕層表面形成隔離膜；采用干法刻蝕工藝回刻蝕所述隔離膜，回刻蝕去除位于金屬頂部表面的隔離膜，且回刻蝕去除位于部分待刻蝕層表面的隔離膜，形成覆蓋金屬層側(cè)壁表面的隔離層。
18.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離層的節(jié)距小于40納米。