技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有金屬互連層、覆蓋所述金屬互連層表面的隔離層、覆蓋所述隔離層表面的半導(dǎo)體層、以及貫穿所述半導(dǎo)體層、隔離層并暴露出金屬互連層的開口；形成覆蓋所述半導(dǎo)體層表面、開口的側(cè)壁和底部的絕緣層；采用濺射工藝形成位于所述絕緣層表面的金屬掩膜層，所述金屬掩膜層暴露出開口底部的絕緣層；以所述金屬掩膜層為掩膜刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層暴露出開口底部的金屬互連層；形成側(cè)墻層后，在所述開口內(nèi)形成導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的底部與金屬互連層電連接。所述金屬掩膜層可有效保護(hù)半導(dǎo)體層不被破壞，形成的半導(dǎo)體器件，例如慣性傳感器的性能優(yōu)越。

技術(shù)研發(fā)人員：伏廣才;李志超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510354360
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.24
技術(shù)公布日：2017.01.11