本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件朝著更高的元件密度，以及更高的集成度的方向發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的制造工藝提出了更高的要求，形成的半導(dǎo)體器件也應(yīng)用到各個領(lǐng)域，例如，制造的慣性傳感器(inertial sensor CCT)用于解決導(dǎo)航、定向和運(yùn)動載體控制等?，F(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的形成方法包括：

請參考圖1，提供內(nèi)部形成有CMOS晶體管的硅襯底100，所述硅襯底100表面形成有金屬互連層110、覆蓋所述金屬互連層110表面的隔離層120、覆蓋所述隔離層120表面的半導(dǎo)體層130、以及貫穿所述半導(dǎo)體層130、隔離層120并暴露出金屬互連層110的開口140；

請參考圖2，形成覆蓋所述半導(dǎo)體層130表面、所述開口140的側(cè)壁和底部的絕緣層150；

請參考圖3，刻蝕所述絕緣層150形成側(cè)墻160，所述側(cè)墻160覆蓋開口140側(cè)壁；

請參考圖4，形成側(cè)墻160后，在所述開口140(如圖3所示)內(nèi)形成導(dǎo)電插塞170，所述導(dǎo)電插塞170的底部與金屬互連層110電連接。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的性能有待進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，形成的半導(dǎo)體器件，例如慣性傳感器的性能優(yōu)越。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有金屬互連層、覆蓋所述金屬互連層表面的隔離層、覆蓋所述隔離層表面的半導(dǎo)體層、以及貫穿所述半導(dǎo)體層、隔離層并暴露出金屬互連層的開口；形成覆蓋所述半導(dǎo)體層表面、開口的側(cè) 壁和底部的絕緣層；采用濺射工藝形成位于所述絕緣層表面的金屬掩膜層，所述金屬掩膜層暴露出開口底部的絕緣層；以所述金屬掩膜層為掩膜刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層暴露出開口底部的金屬互連層；形成側(cè)墻層后，在所述開口內(nèi)形成導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞的底部與金屬互連層電連接。

可選的，所述金屬掩膜層的材料為鋁、銅、銀或鎢。

可選的，所述濺射工藝的工藝參數(shù)為：壓力0毫托-10毫托；功率1000瓦-30000瓦；通入氬氣的流量0標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘-100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。

可選的，所述金屬掩膜層的厚度為2000埃-3000埃。

可選的，刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層的步驟包括：采用第一刻蝕工藝去除開口底部的絕緣層的厚度占絕緣層總厚度1/2-2/3；采用第二刻蝕工藝去除開口底部剩余厚度的絕緣層，暴露出開口底部的金屬互連層，其中第二刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)小于第一刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)。

可選的，所述第一刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：刻蝕腔室壓強(qiáng)為60毫托-80毫托，源功率為900W-1000W，偏置功率為1100W-1200W，通入氧氣的流量為5標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-10標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，三氟甲烷的流量為25標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-40標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，四氟化碳的流量為70標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-90標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

可選的，所述第二刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：刻蝕腔室壓強(qiáng)為20毫托-40毫托，源功率為1400W-1500W，偏置功率為1600W-1800W，通入氧氣的流量為15標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-30標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，氬氣的流量為700標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-900標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，八氟環(huán)戊烯的流量為10標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-20標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘?？蛇x的，所述導(dǎo)電插塞的形成工藝為液態(tài)金屬低壓沉積工藝、原子層沉積工藝或電鍍工藝。

可選的，所述液態(tài)金屬低壓沉積工藝的步驟為：加熱裝有用于形成導(dǎo)電插塞的待熔化金屬的密閉容器，使上述金屬熔化；對上述密閉容器抽真空，直至熔化的金屬開始填充入開口時停止，保持1分鐘-5分鐘；之后通過向密閉容器中通入惰性氣體，使密閉容器中的壓強(qiáng)增加至大氣壓強(qiáng)，使熔化的金屬流入到開口中，再慢慢凝固成型，形成導(dǎo)電插塞。

可選的，所述密閉容器的材料為無鉛材料，所述密閉容器的熔點(diǎn)應(yīng)至少比所述待熔化金屬的熔點(diǎn)高50攝氏度。

可選的，所述導(dǎo)電插塞的材料為鉍錫銀合金、鉍錫合金、銅、鋁或鎢。

可選的，所述金屬互連層包括金屬層和位于所述金屬層表面的過渡層，所述過渡層的電阻介于金屬層和導(dǎo)電插塞之間。

可選的，所述金屬層的材料為Al、Cu、Ag中的一種或多種。

可選的，所述過渡層的材料為氮化鈦。

可選的，所述過渡層的厚度為1200埃-1500埃。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

在形成絕緣層后，采用濺射工藝形成金屬掩膜層，所述金屬掩膜層暴露出開口底部的絕緣層，在后續(xù)以該金屬掩膜層為掩膜刻蝕開口底部的絕緣層形成側(cè)墻層時，可以有效保護(hù)半導(dǎo)體層不被破壞，形成的半導(dǎo)體器件尤其是慣性傳感器的性能優(yōu)越，不易漏電，而且上述形成方法工藝步驟少，工藝簡單。

進(jìn)一步的，刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層的步驟包括：采用第一刻蝕工藝去除開口底部的絕緣層的厚度占絕緣層總厚度1/2-2/3；采用第二刻蝕工藝去除開口底部剩余厚度的絕緣層，暴露出開口底部的金屬互連層，其中第二刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)小于第一刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)。分步刻蝕的方法，可在暴露底部的金屬互連層的同時，有效保護(hù)金屬互連層底部的半導(dǎo)體襯底不被破壞，進(jìn)一步優(yōu)化形成的半導(dǎo)體器件的性能。

進(jìn)一步的，所述金屬互連層包括金屬層和位于所述金屬層表面的過渡層，所述過渡層的電阻介于金屬層和導(dǎo)電插塞之間，可有效降低金屬層和導(dǎo)電插塞間的接觸，提高半導(dǎo)體器件中信號的傳遞速度，提高器件的響應(yīng)速度和靈敏度。

附圖說明

圖1-4是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6-圖10本發(fā)明又一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的性能有待進(jìn)一步提高。

經(jīng)過分析得知，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步增加，用于填充形成導(dǎo)電插塞的開口140的深寬比(大于等于3:1)較大，要形成深寬比如此大的開口，對刻蝕工藝提出了更高的要求，尤其是在圖3所示的刻蝕絕緣層150形成側(cè)墻160的過程中，如果刻蝕工藝控制不當(dāng)，極易對半導(dǎo)體層130或硅襯底100造成損傷，產(chǎn)生漏電流，影響半導(dǎo)體器件的性能。

請參考圖5，在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，提供硅襯底180，所述硅襯底180內(nèi)形成有深寬比為3:1的硅孔190，采用濺射工藝向所述硅襯底180濺射鋁形成鋁層195，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，濺射的鋁均勻覆蓋所述硅襯底100表面，然而對于硅孔內(nèi)的鋁分布卻呈現(xiàn)差異，具體的，分別對硅孔各個部位(圖中虛線所示A、B、C處)的成分作了分析后得知，硅孔的側(cè)壁上部A處鋁的原子百分比含量最高，為5.032％，硅孔的側(cè)壁下部B處次之，為1.822％，硅孔的底部C處的鋁的原子百分比含量最少，為0.381％。也就是說，采用濺射工藝沉積金屬時，金屬在深寬比較大的孔或開口內(nèi)的分布呈現(xiàn)規(guī)律性，即金屬主要在孔或開口側(cè)壁上方沉積，而幾乎不在孔或開口的底部沉積?；诖?，本發(fā)明的實(shí)施例中利用濺射工藝沉積金屬的這一特點(diǎn)，將濺射工藝沉積的金屬作為掩膜，刻蝕絕緣層形成側(cè)墻，可以有效保護(hù)半導(dǎo)體層，避免刻蝕工藝對所述半導(dǎo)體層造成損傷。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

請參考圖6，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200表面形成有金屬互連層210、覆蓋所述金屬互連層210表面的隔離層220、覆蓋所述隔離層220表面的半導(dǎo)體層230、以及貫穿所述半導(dǎo)體層230、隔離層220并暴露出金屬互連層210的開口240。

所述半導(dǎo)體襯底200用于為后續(xù)工藝提供基礎(chǔ)。所述半導(dǎo)體襯底200可 以為硅襯底、鍺襯底、絕緣體上硅襯底等，其內(nèi)部可以形成有各種晶體管，例如CMOS晶體管。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200為硅襯底，其內(nèi)部形成有CMOS晶體管，后續(xù)用于形成慣性傳感器。

所述金屬互連層210用于后續(xù)傳遞電信號，所述金屬互連層210與半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的晶體管電連接，且后續(xù)所述金屬互連層210還與導(dǎo)電插塞接觸，以實(shí)現(xiàn)與外部電信號的電連接。所述金屬互連層210的材料為導(dǎo)電材料，為降低電損耗，所述金屬互連層210選擇電阻較小的導(dǎo)電材料，例如鋁、銅或銀。

進(jìn)一步的，所述金屬互連層210包括金屬層2101和位于所述金屬層2101表面的過渡層2102，所述過渡層2102的電阻介于金屬層2101和后續(xù)形成的導(dǎo)電插塞之間，以降低金屬層2101和導(dǎo)電插塞間的接觸電阻。其中，所述金屬層2101的材料為Al、Cu、Ag中的一種或多種，例如AlCu合金，所述過渡層2102的材料為氮化鈦。為較好的降低前述接觸電阻，并且在后續(xù)工藝中將過渡層2102作為刻蝕工藝的阻擋層，所述過渡層2102的厚度可選擇為1200埃-1500埃。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述金屬層2101的材料為AlCu合金，所述過渡層2102的材料為氮化鈦，其厚度為1400埃。

所述隔離層220用于隔離金屬互連層210和半導(dǎo)體層230。所述隔離層220的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，厚度為1.5微米-3微米。所述隔離層220的形成工藝為沉積工藝或氧化工藝。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述隔離層220的材料為氧化硅，其厚度為2微米。

所述半導(dǎo)體層230用于形成構(gòu)成慣性傳感器的其他部件，例如質(zhì)量塊，震動塊。所述半導(dǎo)體層230的材料為硅、鍺或其他具有半導(dǎo)體性能的材料。所述半導(dǎo)體襯底230的厚度為30-40微米。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底230為厚度為33微米的硅片。

所述開口240用于后續(xù)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞。所述開口240的深寬比大于等于3:1，所述開口240的形成工藝為干法刻蝕工藝。所述開口240的形成步驟包括：形成覆蓋所述半導(dǎo)體層230的硬掩膜層(未圖示)，以及位于所述硬掩膜層表面的圖形化的光刻膠層(未圖示)，所述圖形化的光刻膠層 具有定義出開口的圖形；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層和半導(dǎo)體層230，形成開口240，之后再去除光刻膠層和硬掩膜層。本發(fā)明的實(shí)施例中，采用上述方法刻蝕形成的開口240的深寬比為10:1。

需要說明的是，本發(fā)明的實(shí)施例中，由于有圖形化的光刻膠層和硬掩膜層的保護(hù)，因此刻蝕形成開口240的過程中并不會對其余部分的半導(dǎo)體層230造成破壞。

請參考圖7，形成覆蓋所述半導(dǎo)體層230表面、開口240的側(cè)壁和底部的絕緣層250。

所述絕緣層250用于隔離半導(dǎo)體層230和后續(xù)形成的導(dǎo)電插塞。所述絕緣層250的形成工藝為沉積工藝，例如化學(xué)氣相沉積工藝。所述絕緣層250的厚度為7000埃-8000埃，以起到較好的隔離效果。所述絕緣層250的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述絕緣層250的材料為氧化硅，其厚度為7800埃。

需要說明的是，上述沉積工藝形成的絕緣層250，雖然可以起到隔離半導(dǎo)體層230和后續(xù)形成的導(dǎo)電插塞的作用，但是由于開口240的底部也沉積有絕緣層250，該部分絕緣層250阻礙了后續(xù)形成的導(dǎo)電插塞和底部的金屬互連層210實(shí)現(xiàn)電連接。因此，開口240的底部沉積的部分絕緣層250在后續(xù)工藝中需要被去除。然而，經(jīng)沉積絕緣層250后的開口240的深寬比進(jìn)一步增大，為刻蝕去除開口240底部的部分絕緣層250增加了難度。正如背景技術(shù)所述，極易造成半導(dǎo)體層230的損壞，或者開口240底部的金屬互連層210被刻蝕后斷開，半導(dǎo)體襯底200也遭到破壞。

請參考圖8，采用濺射工藝形成位于所述絕緣層250表面的金屬掩膜層260，所述金屬掩膜層260暴露出開口240底部的絕緣層250。

正如前文所述，經(jīng)研究后發(fā)現(xiàn)，采用濺射工藝沉積金屬時，金屬在深寬比較大的孔或開口內(nèi)的分布呈現(xiàn)規(guī)律性，即金屬主要在孔或開口側(cè)壁上方沉積，而幾乎不在孔或開口的底部沉積?；诖耍l(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以利用濺射工藝沉積金屬的這一特點(diǎn)，將濺射工藝沉積的金屬作為掩膜，解決本申請的刻蝕絕緣層形成側(cè)墻的過程中所遇到的技術(shù)問題，且工藝簡單，工藝步驟少。

為形成質(zhì)量較好的金屬掩膜層260，所述濺射工藝的工藝參數(shù)為：壓力0毫托-10毫托；功率1000瓦-30000瓦；通入氬氣的流量0標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘-100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，所述金屬掩膜層的材料為鋁、銅、銀或鎢。考慮到后續(xù)金屬掩膜層260作為刻蝕形成側(cè)墻層時的掩膜，為較好的起到掩膜的作用，所述金屬掩膜層260的厚度為2000埃-3000埃。本發(fā)明的實(shí)施例中，濺射工藝的工藝參數(shù)為壓力10毫升，功率10000瓦，通入氬氣的流量為60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘，金屬掩膜層260的材料為鋁，其厚度為2500埃。

需要說明的是，采用濺射工藝形成所述金屬掩膜層260，與其他傳統(tǒng)形成掩膜層的工藝相比，省略了在掩膜薄膜表面形成圖形化的光刻膠，刻蝕掩膜薄膜形成掩膜層，然后去除圖形化的光刻膠的步驟，工藝步驟少，工藝簡單。

請參考圖9，以所述金屬掩膜層260為掩膜刻蝕所述絕緣層250(如圖8所示)形成側(cè)墻層270，所述側(cè)墻層270暴露出開口240底部的金屬互連層210。

刻蝕所述絕緣層250形成側(cè)墻層270的工藝為干法刻蝕工藝。為避免刻蝕絕緣層250時過刻蝕導(dǎo)致底部金屬互連層210被斷開，造成半導(dǎo)體襯底200損傷，刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層的步驟可包括：采用第一刻蝕工藝去除開口底部的絕緣層的厚度占絕緣層總厚度1/2-2/3；采用第二刻蝕工藝去除開口底部剩余厚度的絕緣層，暴露出開口底部的金屬互連層，其中第二刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)小于第一刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)。本發(fā)明的實(shí)施例中，采用上述方式形成側(cè)墻層，其中，所述第一刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：刻蝕腔室壓強(qiáng)為60毫托-80毫托，源功率為900W-1000W，偏置功率為1100W-1200W，通入氧氣的流量為5標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-10標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，三氟甲烷的流量為25標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-40標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，四氟化碳的流量為70標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-90標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘；所述第二刻蝕工藝的工藝參數(shù)為：刻蝕腔室壓強(qiáng)為20毫托-40毫托，源功率為1400W-1500W，偏置功率為1600W-1800W，通入氧氣的流量為15標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-30標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，氬氣的流量為700標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-900標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，八氟環(huán)戊烯的流量為10標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘-20標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘。

在本發(fā)明的一個實(shí)例中，所述第一刻蝕工藝的工藝參數(shù)為刻蝕腔室壓強(qiáng)為75毫托，源功率為1000W，偏置功率為1100W，通入氧氣的流量為10標(biāo) 準(zhǔn)毫升/分鐘，三氟甲烷的流量為35標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，四氟化碳的流量為80標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，刻蝕的絕緣層250的厚度為5000埃；所述第二刻蝕工藝的工藝參數(shù)為刻蝕腔室壓強(qiáng)為30毫托，源功率為1500W，偏置功率為1700W，通入氧氣的流量為20標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，氬氣的流量為800標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，八氟環(huán)戊烯的流量為16標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘，刻蝕了剩余的絕緣層250，為2800埃。上述工藝參數(shù)下，正好刻蝕完開口240底部的絕緣層250，暴露出金屬互連層210中的過渡層2102。

需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，刻蝕形成側(cè)墻層270的過程中，還可能刻蝕掉部分厚度的過渡層2102或金屬層2101，只要保證金屬互連層210不會在刻蝕形成側(cè)墻層270時完全斷開即可。

所述側(cè)墻層270覆蓋半導(dǎo)體層230頂部表面，并覆蓋開口240側(cè)壁，同時暴露出開口240底部的金屬互連層210。其中，所述側(cè)墻層270覆蓋開口240側(cè)壁用于后續(xù)隔離半導(dǎo)體層230和導(dǎo)電插塞；所述側(cè)墻層270暴露出開口240底部的金屬互連層210，則是用于后續(xù)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電插塞和金屬互連層210的連接，最終實(shí)現(xiàn)電信號傳輸至半導(dǎo)體襯底內(nèi)的晶體管內(nèi)。需要說明的是，對于覆蓋半導(dǎo)體層230頂部表面的部分側(cè)墻層270，并不會對后續(xù)工藝造成影響。

請參考圖10，形成側(cè)墻層270后，在所述開口240(如圖9所示)內(nèi)形成導(dǎo)電插塞280，所述導(dǎo)電插塞280的底部與金屬互連層210電連接。

所述導(dǎo)電插塞280用于后續(xù)傳遞電信號。由于金屬掩膜層260材料為金屬材料，如前文提到的鋁、銅、銀或鎢，所述金屬掩膜層260同樣可以起到傳遞電信號的作用，并不會對后續(xù)工藝造成影響。因此，可以在不去除金屬掩膜層260的基礎(chǔ)上，直接向開口240內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電插塞280。

考慮到開口240側(cè)壁上方形成有金屬掩膜層260，為使該部分金屬掩膜層260不影響形成的導(dǎo)電插塞280的質(zhì)量，可采用以下工藝填充開口240形成導(dǎo)電插塞280：液態(tài)金屬低壓沉積工藝、原子層沉積工藝或電鍍工藝。其中，所述液態(tài)金屬低壓沉積工藝的步驟為：加熱裝有用于形成導(dǎo)電插塞的待熔化金屬(例如鉍錫合金(Bi-Sn)或鉍錫銀合金(Bi-Sn-Ag))的密閉容器，使上述金屬熔化；對上述密閉容器逐漸抽真空，直至熔化的金屬開始填充入開口240 時停止，保持1分鐘-5分鐘；之后通過向密閉容器中通入惰性氣體，例如氮?dú)?，使密閉容器中的壓強(qiáng)逐漸增加至大氣壓強(qiáng)，使熔化的金屬逐步流入到開口240中，再慢慢凝固成型，形成導(dǎo)電插塞。由于熔化的金屬逐步流入到開口240時的速度極為緩慢，因此可以將開口240填充滿，且不留空隙，形成的導(dǎo)電插塞280的質(zhì)量較好。所述導(dǎo)電插塞280的材料為鉍錫銀合金、鉍錫合金、銅、鋁或鎢。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述導(dǎo)電插塞280的形成工藝為液態(tài)金屬低壓沉積工藝，其材料為鉍錫銀合金。

需要說明的是，進(jìn)行上述液態(tài)金屬低壓沉積工藝時，用于放置待熔化金屬的密閉容器應(yīng)為無鉛(lead free)材料，避免對合金造成污染。且，該密閉容器的熔點(diǎn)應(yīng)至少比所述待熔化金屬的熔點(diǎn)高50攝氏度，例如合金的熔點(diǎn)為220攝氏度，那么該容器的熔點(diǎn)則至少為270攝氏度。

需要說明的是，本發(fā)明的實(shí)施例中，形成導(dǎo)電插塞280的步驟還包括：平坦化工藝，將填充滿開口的導(dǎo)電薄膜平坦化直至暴露出半導(dǎo)體層230表面。

上述步驟結(jié)束后，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作完成。在形成絕緣層后，采用濺射工藝形成金屬掩膜層，所述金屬掩膜層暴露出開口底部的絕緣層，在后續(xù)以該金屬掩膜層為掩膜刻蝕開口底部的絕緣層形成側(cè)墻層時，可以有效保護(hù)半導(dǎo)體層不被破壞，形成的半導(dǎo)體器件尤其是慣性傳感器的性能優(yōu)越，不易漏電，而且上述形成方法工藝步驟少，工藝簡單。

進(jìn)一步的，刻蝕所述絕緣層形成側(cè)墻層的步驟包括：采用第一刻蝕工藝去除開口底部的絕緣層的厚度占絕緣層總厚度1/2-2/3；采用第二刻蝕工藝去除開口底部剩余厚度的絕緣層，暴露出開口底部的金屬互連層，其中第二刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)小于第一刻蝕工藝的刻蝕腔室壓強(qiáng)。分步刻蝕的方法，可在暴露底部的金屬互連層的同時，有效保護(hù)金屬互連層底部的半導(dǎo)體襯底不被破壞，進(jìn)一步優(yōu)化形成的半導(dǎo)體器件的性能。

進(jìn)一步的，所述金屬互連層包括金屬層和位于所述金屬層表面的過渡層，所述過渡層的電阻介于金屬層和導(dǎo)電插塞之間，可有效降低金屬層和導(dǎo)電插塞間的接觸，提高半導(dǎo)體器件中信號的傳遞速度，提高器件的響應(yīng)速度和靈敏度。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。