技術(shù)編號：12612881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件朝著更高的元件密度，以及更高的集成度的方向發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的制造工藝提出了更高的要求，形成的半導(dǎo)體器件也應(yīng)用到各個領(lǐng)域，例如，制造的慣性傳感器(inertialsensorCCT)用于解決導(dǎo)航、定向和運動載體控制等?，F(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的形成方法包括：請參考圖1，提供內(nèi)部形成有CMOS晶體管的硅襯底100，所述硅襯底100表面形成有金屬互連層110、覆蓋所述金屬互連層110表面的隔離層...
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