技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種微型發(fā)光二極管(micro?light?emitting?diode；micro?LED)、其操作方法與制造方法。該微型發(fā)光二極管包含第一型半導(dǎo)體層、第二型半導(dǎo)體層、介電層與電極。第二型半導(dǎo)體層設(shè)置于第一型半導(dǎo)體層之上。介電層設(shè)置于第二型半導(dǎo)體層上。介電層具有開口，以至少暴露第二型半導(dǎo)體層的多個部分。電極設(shè)置于介電層的至少部分上，并分別通過介電層的開口與第二型半導(dǎo)體層的暴露的部分電性連接，其中電極彼此互相獨(dú)立。因此，本發(fā)明中電極的電位可以被獨(dú)立地控制，以分別產(chǎn)生彼此互相獨(dú)立的電流。

技術(shù)研發(fā)人員：張珮瑜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美科米尚技術(shù)有限公司
文檔號碼：201510348836
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.23
技術(shù)公布日：2016.12.07