1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光器件包括第一電極層(1)、發(fā)光層(2)和第二電極層(3);所述發(fā)光層包括主體材料和染料;
所述主體材料為是由具有空穴傳輸能力和空穴傳輸能力的材料構(gòu)成;
所述主體材料中的至少一種材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)T1高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)S1,并且T1-S1≤0.3eV;或者,
所述主體材料中的至少一種材料的CT激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)T1高于n-π激發(fā)態(tài)的三線態(tài)能級(jí)S1,并且T1-S1≥1eV,并且所述主體材料的n-π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級(jí)和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級(jí)的差值為-0.1~0.1eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述主體材料為激基復(fù)合物,所述的激基復(fù)合物為熱活化延遲熒光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述主體材料為電子傳輸型材料和空穴傳輸型材料構(gòu)成的激基復(fù)合物,二者的質(zhì)量比為1:9-9:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述電子傳輸型材料和/或空穴傳輸型材料的T1-S1≤0.3eV;或電子傳輸型材料和/或空穴傳輸型材料的T1-S1≥1eV,并且所述主體材料的n-π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級(jí)和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級(jí)的差值為-0.1~0.1eV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述主體材料為熱活化延遲熒光材料和空穴傳輸型材料的組合物,二者的質(zhì)量比為1:9-9:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述熱活化延遲熒光材料和/或空穴傳輸型材料的T1-S1≤0.3eV;或熱活化延遲熒光材料和/或空穴傳輸型材料的T1-S1≥1eV,并且所述主體材料的n-π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級(jí)和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級(jí)的差值為-0.1~0.1eV。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述主體材料為熱活化延遲熒光材料和電子傳輸型材料的組合物,二者的質(zhì)量比為1:9-9:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述熱活化延遲熒光材料和/或電子傳輸型材料的T1-S1≤0.3eV;或熱活化延遲熒光材料和/或電子傳輸型材料的T1-S1≥1eV,并且所述主體材料的n-π激發(fā)態(tài)的第二三線態(tài)能級(jí)和CT激發(fā)態(tài)的第一單線態(tài)能級(jí)的差值為-0.1~0.1eV。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述的染料為熒光材料和/或磷光材料,所述熒光材料的摻雜濃度為0.5-10wt%,所述磷光材料的摻雜濃度為0.5-20wt%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光層(2)為的厚度為50-150nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,
所述電子傳輸型材料為三(8-羥基喹啉)鋁、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲咯啉、二(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯;
空穴傳輸型材料為N,N’-二-1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯基-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-雙(間甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯基-4,4’-二胺、4,4'-環(huán)己基二[N,N-二(4-甲基苯基)]苯胺、4,4'-N,N'-二咔唑-聯(lián)苯、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二咔唑-9-基苯;
所述熱活化延遲熒光材料TADF具有式(1-1)-(1-100)所示結(jié)構(gòu):
12.一種所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,包括下述步驟:
在基板上使用開口掩膜板依次蒸鍍第一電極層(1),發(fā)光層(2)和第二電極層(3);
所述發(fā)光層(2)的主體材料和染料采用共蒸鍍方式。