技術總結
本發(fā)明提供了一種具有虛設圖案的半導體設備。其包括：半導體基底，所述半導體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；碳化硅設備，位于所述半導體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；多個第一虛設圖案，位于所述半導體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)，其中所述多個第一虛設圖案中的至少一個含有碳化硅；以及多個第二虛設圖案，位于所述半導體基底上的所述外部區(qū)域內(nèi)，其中所述第二虛設圖案不含有碳化硅。本發(fā)明實施例，通過在中間環(huán)形區(qū)域設置含有碳化硅的第一虛設圖案，因此能夠緩解微負載效應。

技術研發(fā)人員：李東興;楊明宗;黃偉哲;洪建州
受保護的技術使用者：聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
文檔號碼：201510310482
技術研發(fā)日：2015.06.08
技術公布日：2016.12.07