1.一種具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；
碳化硅設(shè)備，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；
多個第一虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)，其中所述多個第一虛設(shè)圖案中的至少一個含有碳化硅；以及
多個第二虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述外部區(qū)域內(nèi)，其中所述第二虛設(shè)圖案不含有碳化硅。
2.一種具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；
碳化硅設(shè)備，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；以及
多個第一虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)，其中所述多個第一虛設(shè)圖案中的至少一個含有碳化硅；
其中，所述多個第一虛設(shè)圖案包括：虛設(shè)多晶硅圖案和碳化硅嵌入虛設(shè)擴散區(qū)域；其中所述虛設(shè)多晶硅圖案和所述碳化硅嵌入虛設(shè)擴散區(qū)域以交替的方式設(shè)置于所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述虛設(shè)多晶硅圖案和所述碳化硅嵌入虛設(shè)擴散區(qū)域不發(fā)生重疊。
4.一種具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；
碳化硅設(shè)備，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；以及
多個第一虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)，并且所述多個第一虛設(shè)圖案中的至少一個含有碳化硅；
其中，所述碳化硅設(shè)備為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
5.一種具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；
碳化硅設(shè)備，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；以及
多個第一虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)，并且所述多個第一虛設(shè)圖案中的至少一個含有碳化硅；
其中所述碳化硅設(shè)備作為混合信號電路、射頻電路或模擬電路的電路組成部分。
6.一種具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底上具有位于內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的中間環(huán)形區(qū)域；
碳化硅設(shè)備，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)；
多個胞狀碳化硅嵌入虛設(shè)圖案，位于所述半導(dǎo)體基底上的所述中間環(huán)形區(qū)域內(nèi)；其中每個胞狀碳化硅嵌入虛設(shè)圖案除了沒有接點以外，具有與所述碳化硅設(shè)備相同的結(jié)構(gòu)；以及
多個胞狀無碳化硅虛設(shè)圖案，位于所述外部區(qū)域內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述碳化硅設(shè)備被淺溝槽隔離進行電性隔離。
8.如權(quán)利要求6所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述碳化硅設(shè)備為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
9.如權(quán)利要求8所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述碳化硅設(shè)備包括：柵極堆疊、N+源極擴散區(qū)域、N+漏極擴散區(qū)域和位于所述N+源極擴散區(qū)域和所述N+漏極擴散區(qū)域之間的N溝道。
10.如權(quán)利要求9所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，還包括：形成于所述N+源極擴散區(qū)域和所述N+漏極擴散區(qū)域之上的碳化硅應(yīng)力源層。
11.如權(quán)利要求6所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述每個胞狀碳化硅嵌入虛設(shè)圖案包括：虛設(shè)柵極、虛設(shè)N+擴散區(qū)域、虛設(shè)N+擴散區(qū)域、以及碳化硅層，所述碳化硅層形成于所述虛設(shè)N+擴散區(qū)域和虛設(shè)N+擴散區(qū)域之上。
12.如權(quán)利要求6所述的具有虛設(shè)圖案的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述碳化硅設(shè)備作為混合信號電路、射頻電路或模擬電路的電路組成部分。