技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種齊納二極管的制備方法和齊納二極管，其中，制備方法包括：在襯底上形成第一肼區(qū)、第二肼區(qū)和齊納肼區(qū)后，在所述第一肼區(qū)和所述第二肼區(qū)的兩個(gè)公共區(qū)域以及所述第二肼區(qū)和所述齊納肼區(qū)的兩個(gè)公共區(qū)域形成場(chǎng)氧化層；在所述齊納肼區(qū)的內(nèi)部形成兩個(gè)多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)；在形成所述多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)的襯底上依次形成第一離子區(qū)域、第二離子區(qū)域、圖形化的隔離層和金屬電極以完成所述齊納二極管的制備。通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，確保了齊納二極管的源區(qū)尺寸和位置布局的準(zhǔn)確性，避免了套刻偏差造成的電學(xué)特性誤差，進(jìn)而影響用戶的使用需求。

技術(shù)研發(fā)人員：杜蕾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510284694
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.28
技術(shù)公布日：2016.11.30