1.一種齊納二極管的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成第一肼區(qū)、第二肼區(qū)和齊納肼區(qū)后，在所述第一肼區(qū)和所述第二肼區(qū)的兩個公共區(qū)域以及所述第二肼區(qū)和所述齊納肼區(qū)的兩個公共區(qū)域形成場氧化層；
在所述齊納肼區(qū)的內(nèi)部形成兩個多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)；
在形成所述多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)的襯底上依次形成第一離子區(qū)域、第二離子區(qū)域、圖形化的隔離層和金屬電極以完成所述齊納二極管的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，在形成場氧化層前，包括以下具體步驟：
在所述襯底上形成所述第一肼區(qū)；
在所述第一肼區(qū)的內(nèi)部形成所述第二肼區(qū)；
在所述第二肼區(qū)的內(nèi)部形成所述齊納肼區(qū)，
其中，所述第一肼區(qū)和所述第二肼區(qū)的離子類型相反，所述第一肼區(qū)和所述齊納肼區(qū)的離子類型相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，所述場氧化層包括在所述第一肼區(qū)和所述第二肼區(qū)的兩個公共區(qū)域形成第一場氧化層，以及在所述第二肼區(qū)和所述齊納肼區(qū)的兩個公共區(qū)域形成第二場氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，形成第二離子區(qū)域，包括以下具體步驟：
在相鄰的所述第一場氧化層和所述第二場氧化層之間的所述第二肼區(qū)，以及所述第二注入?yún)^(qū)域形成所述第二離子區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，在所述齊納肼區(qū)的內(nèi)部形成兩個多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)，包括以下具體步驟：
在形成所述場氧化層的所述襯底上形成多晶硅層；
根據(jù)待制備的所述齊納二極管的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，對所述多晶硅層進行光刻和刻蝕處理，以形成多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)，以及暴露出用于形成所述齊納肼區(qū) 的源區(qū)的待注入?yún)^(qū)域，
其中，所述待注入?yún)^(qū)域包括串聯(lián)的第一注入?yún)^(qū)域、第二注入?yún)^(qū)域和第三注入?yún)^(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，形成第一離子區(qū)域，包括以下具體步驟：
對形成所述多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)的襯底進行光刻處理以形成注入掩膜；
通過所述注入掩膜和所述多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)對所述第一注入?yún)^(qū)域和所述第三注入?yún)^(qū)域形成所述第一離子區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，形成金屬電極，包括以下具體步驟：
所述金屬電極包括所述齊納二極管的陰極和陽極，在所述第二肼區(qū)的第二離子區(qū)域和其相鄰的所述齊納肼區(qū)的第一離子區(qū)域之間形成第一金屬電極，所述第一金屬電極即為所述陽極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，形成金屬電極，還包括以下具體步驟：
在所述第二注入?yún)^(qū)域的上方形成第二金屬電極，所述第二金屬電極即為所述陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的齊納二極管的制備方法，其特征在于，形成圖形化的隔離層，包括以下具體步驟：
依次采用化學(xué)氣相淀積工藝、光刻工藝和刻蝕工藝在所述場氧化層和所述多晶硅掩膜結(jié)構(gòu)上方形成隔離層。
10.一種齊納二極管，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9中任一項所述的齊納二極管的制備方法制備而成。