技術(shù)編號(hào)：11809892
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種齊納二極管的制備方法和一種齊納二極管。背景技術(shù)在相關(guān)技術(shù)中，如圖1所示，齊納二極管利用PN結(jié)單向?qū)щ姷奶囟?，根?jù)齊納擊穿原理進(jìn)行工作，其結(jié)構(gòu)通常包括：在襯底1上依次形成的第一肼區(qū)2、第二肼區(qū)3和齊納肼區(qū)4、場(chǎng)氧化層5、隔離層7、第一離子區(qū)域8A、第二離子區(qū)域8B和金屬電極9。具體地，齊納二極管作為一種重要的穩(wěn)壓器件，其擊穿值通常在5-7V之間，其中，第一肼區(qū)2和第二肼區(qū)3水平長度與擊穿電流的大小成正比，而第一肼區(qū)2和第二肼區(qū)3之間的水平距離X決定了...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。