技術(shù)總結(jié)
一種低位錯密度和殘余應(yīng)力的LED外延結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體發(fā)光領(lǐng)域。本發(fā)明從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、u型GaN層、N型GaN層、有源層、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述u型GaN層從下至上依次包括u?GaN三維生長層、u?GaN二維塊體生長層和u?GaN二維摻雜超晶格生長層。所述u?GaN二維摻雜超晶格生長層包括從下至上交替生長的變溫變壓摻雜GaN層和變溫變壓未摻雜GaN層，變溫變壓摻雜GaN層中的摻雜元素為Si。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過結(jié)構(gòu)的變化，有效降低位錯密度和殘余應(yīng)力，提高器件的光電特性。

技術(shù)研發(fā)人員：程騰;翟小林;俞登永;賴志豪;曾奇堯;林政志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司
文檔號碼：201510258317
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.20
技術(shù)公布日：2017.01.04