技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了晶圓的處理方法、制備半導(dǎo)體元件的方法及其應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶圓的處理方法包括：(1)對(duì)晶圓的背面進(jìn)行打磨；(2)對(duì)經(jīng)過(guò)打磨的晶圓背面進(jìn)行噴砂。由此，采用晶圓的處理方法在消除晶圓背面研磨損傷的同時(shí)，可以在晶圓背面形成微觀(guān)的凸凹缺陷，從而提高晶圓背面上金屬層的粘附，進(jìn)而提高功率器件的性能。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，制備半導(dǎo)體元件的方法包括：提供晶圓；在晶圓的背面形成砂層；在晶圓背面的砂層上沉積形成金屬層；采用封裝材料對(duì)形成金屬層的晶圓進(jìn)行封裝，其中，在晶圓的背面形成砂層是采用上述晶圓的處理方法進(jìn)行的。由此，采用制備半導(dǎo)體元件的方法可以制備得到性能穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。

技術(shù)研發(fā)人員：白興軍;劉鵬飛;吳海平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：比亞迪股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510245236
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.14
技術(shù)公布日：2017.01.04