技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件測試方法，包括如下步驟：在待測區(qū)域的周圍形成若干個(gè)緩沖墊，所述緩沖墊自下至上包括一介質(zhì)層和一金屬層；將半導(dǎo)體器件置于掃描電鏡的樣品室中，控制掃描電鏡的探針向所述緩沖墊下針，并根據(jù)掃描電鏡控制系統(tǒng)中顯示的緩沖墊的明暗確定探針是否與緩沖墊接觸，所述探針與緩沖墊接觸之后，停止下針；將所述探針分別移到鄰近的所述接觸電極，并分別與相應(yīng)的所述接觸電極接觸，在每個(gè)所述探針上加不同的偏壓，從而測試半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性。本發(fā)明中，使得探針先下針到緩沖墊，可以避免針尖彎曲，保證測試的準(zhǔn)確，并且，根據(jù)緩沖墊圖像的明暗判斷探針是否與緩沖墊接觸，確定探針下針的位置，便于測試。

技術(shù)研發(fā)人員：殷原梓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201510230999
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.07
技術(shù)公布日：2016.12.07