1.一種半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體器件的待測區(qū)域中包括若干接觸電極，在所述待測區(qū)域的周圍形成若干個緩沖墊，所述緩沖墊自下至上包括一介質(zhì)層和一金屬層；
將半導(dǎo)體器件置于掃描電鏡的樣品室中，控制掃描電鏡的探針向所述緩沖墊下針，并根據(jù)掃描電鏡控制系統(tǒng)中顯示的所述緩沖墊的明暗確定所述探針是否與所述緩沖墊接觸，所述探針與緩沖墊接觸之后，停止下針；
將所述探針分別移到鄰近的所述接觸電極，并分別與相應(yīng)的所述接觸電極接觸，在每個所述探針上加不同的偏壓，從而測試半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述緩沖墊的個數(shù)為4個。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述緩沖墊為矩形，所述緩沖墊的長度為2μm-5μm，所述緩沖墊的寬度為2μm-5μm。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為500nm-800nm。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為二氧化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為500nm-800nm。
8.如權(quán)利要求1-7中任意一項所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述金屬層部分覆蓋所述介質(zhì)層。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，所述緩沖墊與所述接觸電極之間相距1μm-3μm。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，當(dāng)掃描電鏡中顯示的緩沖墊為亮?xí)r，所述探針與所述緩沖墊接觸；當(dāng)掃描電鏡中顯示的緩沖墊為暗時，所述探針與所述緩沖墊不接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，當(dāng)掃描電鏡中 顯示的緩沖墊由暗變亮?xí)r，所述探針與所述緩沖墊接觸，控制所述探針停止下針。