1. 一種高亮正裝LED芯片，包括外延層、透明導(dǎo)電層、絕緣層、P型電極和N型電極，所述外延層包括自下而上制作在襯底上的N型層、發(fā)光層和P型層，外延層的一側(cè)壁蝕刻至N型層的臺面并制作有N型電極，所述透明導(dǎo)電層形成于P型層表面并制作有P型電極，其特征在于：所述絕緣層形成于透明導(dǎo)電層表面并自外延層側(cè)壁延伸至N型層表面，P型電極和N型電極至少有一個(gè)電極是部分制作在絕緣層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述的N型電極是部分制作在絕緣層上，位于絕緣層上的N型電極下方包括自上而下設(shè)置的絕緣層、透明導(dǎo)電層、P型層、發(fā)光層、N型層和襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述P型電極為僅由P電極焊盤構(gòu)成或是由P電極焊盤和P金屬擴(kuò)展電極構(gòu)成，N型電極由N電極焊盤和N金屬擴(kuò)展電極構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述N型層為N-GaN層，P型層為P-GaN層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述絕緣層為SiO2、Al2O3或SiNxOy絕緣材料制成，其中x>0，0<y<2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層為ITO、ZnO、AZO或GZO材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層上可以進(jìn)行開孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述正裝LED芯片還包括位于P型層和透明導(dǎo)電層之間的電流阻擋層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述電流阻擋層上可以進(jìn)行開孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高亮正裝LED芯片，其特征在于：所述電流阻擋層在水平面上的投影不完全覆蓋P型電極的投影。