技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種鋁刻蝕方法及裝置，所述方法包括：對鍍有鋁金屬層的襯底進行涂膠光刻后，在真空腔內(nèi)進行刻蝕，并在刻蝕所獲得的鋁條側(cè)壁生成用來保護所述側(cè)壁的聚合物；刻蝕后在所述真空腔內(nèi)去除光刻膠；清洗去除所述聚合物。本發(fā)明能夠完成鋁厚2.0微米以上產(chǎn)品鋁刻蝕的工藝，其鋁條線寬最小可以做到2微米。這個工藝節(jié)約了CMOS產(chǎn)品封裝時需要打金線的成本，能夠改為打銅線，大大提高了產(chǎn)品的市場競爭力。

技術(shù)研發(fā)人員：李方華;薛宏
受保護的技術(shù)使用者：北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼：201510229662
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.07
技術(shù)公布日：2016.12.07