技術(shù)特征：

1.一種鋁刻蝕方法，其特征在于，包括：

對鍍有鋁金屬層的襯底進(jìn)行涂膠光刻后，在真空腔內(nèi)進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕所獲得的鋁條側(cè)壁生成用來保護(hù)所述側(cè)壁的聚合物；

刻蝕后在所述真空腔內(nèi)去除光刻膠；

清洗去除所述聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于：

在刻蝕時所述真空腔內(nèi)的壓強(qiáng)小于28mTorr。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于：

刻蝕時通入所述真空腔內(nèi)的氣體的體積流量為：Cl₂：20～38標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘，BCl₃：135～165標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘，CHF₃：小于20標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘；

將所述氣體電離的功率為：1000～1400瓦。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于：

所述聚合物為含有碳、氫、氟、氯的聚合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕后在所述真空腔內(nèi)去除光刻膠包括：

通過在真空腔內(nèi)利用氧氣電離后的等離子體與所述光刻膠反應(yīng)去除所述光刻膠，并去除一部分所述聚合物。

6.一種鋁刻蝕裝置，其特征在于，包括：

刻蝕單元，用于對涂膠光刻后的鍍有鋁金屬層的襯底在真空腔內(nèi)進(jìn)行刻蝕，并在刻蝕所獲得的鋁條側(cè)壁生成用來保護(hù)所述側(cè)壁的聚合物；

去膠單元，用于刻蝕后在所述真空腔內(nèi)去除光刻膠；

清洗單元，用于清洗去除所述聚合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁刻蝕裝置，其特征在于：

所述刻蝕單元在刻蝕時所述真空腔內(nèi)的壓強(qiáng)小于28mTorr。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁刻蝕裝置，其特征在于：

所述刻蝕單元在刻蝕時通入所述真空腔內(nèi)的氣體的體積流量為：Cl₂：20～38標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘，BCl₃：135～165標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘，CHF₃：小于20標(biāo)準(zhǔn)毫升每分鐘；

將所述氣體電離的功率為：1000～1400瓦。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁刻蝕裝置，其特征在于：

所述聚合物為含有碳、氫、氟、氯的聚合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的鋁刻蝕裝置，其特征在于：

所述去膠單元還用于：通過在真空腔內(nèi)利用氧氣電離后的等離子體與所述光刻膠反應(yīng)去除所述光刻膠，并去除一部分所述聚合物。

和/或，所述刻蝕單元和所述去膠單元進(jìn)行刻蝕和去膠的機(jī)臺為應(yīng)用材料8330機(jī)臺。