技術總結
本發(fā)明提供一種半導體結構，包含有基底，第一元件，位于該基底中，并且該第一元件沿著第一方向排列，其中該第一元件由氧化半導體材質(zhì)所形成，介電層覆蓋于該第一元件上，以及第二元件，位于該介電層上，并且沿著該第一方向排列，其中該第二元件則作為晶體管結構的柵極使用。

技術研發(fā)人員：周志飚;吳少慧;古其發(fā)
受保護的技術使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
文檔號碼：201510216493
技術研發(fā)日：2015.04.30
技術公布日：2016.12.07