1.一種顯示裝置，其包含：
薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，且該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括溝道層，其中該溝道層包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體層，且該第一金屬氧化物半導(dǎo)體層的組成包含(1)錫與(2)鎵、鉿和鋁中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其還包含：
基板；
柵極，其位于該基板上；
柵極絕緣層，其位于該基板與該柵極上，
該溝道層位于該柵極絕緣層上并與該柵極對應(yīng)；以及
源極和漏極，其分別接觸該溝道層的兩側(cè)并延伸至該柵極絕緣層上。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該第一金屬氧化物半導(dǎo)體層為銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中在銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中，錫與銦的原子比例為1:1至1:1.5，錫與鎵的原子比例為1:2至1:2.5，錫與鋅的原子比例為1:3至1:4，且錫與氧的原子比例為1:7至1:10。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中在銦鎵鋅錫氧化物(IGZTO)中，錫與銦的原子比例為1:1.2至1:1.4，錫與鎵的原子比例為1:2.1至1:2.3，錫與鋅的原子比例為1:3.3至1:3.6，且錫與氧的原子比例為1:8至1:9.5。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該溝道層還包括第二金屬氧化物半導(dǎo)體層，其介于該第一金屬氧化物半導(dǎo)體層與該柵極絕緣層之間。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的組成包含鎵、鉿和鋁中的至少一種。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體層包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體層的組成不含鎵、鉿、或鋁。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中該第二金屬氧化物半導(dǎo)體層包括銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該源極和該漏極的組成含鋁、銅、或鈦。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中該源極和該漏極為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)、Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)、Cu/Mo的雙層結(jié)構(gòu)、Al/Ti的雙層結(jié)構(gòu)、或Cu/Ti的雙層結(jié)構(gòu)。