1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
松弛的半導(dǎo)體層，位于襯底上，所述襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；
拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層，位于所述松弛的半導(dǎo)體層上；
壓縮應(yīng)變的半導(dǎo)體層，位于所述p型區(qū)中的所述拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層上；
第一柵極和第二柵極，所述第一柵極位于所述n型區(qū)中并且所述第二柵極位于所述p型區(qū)中；以及
第一組源極/漏極部件和第二組源極/漏極部件，所述第一組源極/漏極部件鄰近所述第一柵極并且所述第二組源極/漏極部件鄰近所述第二柵極，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件更深。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：隔離結(jié)構(gòu)，位于所述p型區(qū)和所述n型區(qū)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一組源極/漏極部件之間的溝道長度大于所述第二組源極/漏極部件之間的溝道長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一組源極/漏極部件在面向所述第一組源極/漏極部件之間的溝道的側(cè)部上具有圓形輪廓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二組源極/漏極部件包括上部和下部，所述上部包括尖端形輪廓并且所述下部包括筆直輪廓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)小于所述松弛的半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述壓縮應(yīng)變的半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)大于所述松弛的半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一組源極/漏極部件的晶格常數(shù)小于所述拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底，具有第一區(qū)和第二區(qū)；
n型晶體管，位于所述第一區(qū)中，所述n型晶體管包括第一組源極/漏極部件；以及
p型晶體管，位于所述第二區(qū)中，所述p型晶體管包括第二組源極/漏極部件；
其中，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件延伸得更深。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
在襯底上形成松弛的半導(dǎo)體層，所述襯底包括n型區(qū)和p型區(qū)；
在所述松弛的半導(dǎo)體層上形成拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層；
蝕刻位于所述p型區(qū)中的所述拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層的部分；
在所述p型區(qū)中的所述拉伸應(yīng)變的半導(dǎo)體層上形成壓縮應(yīng)變的半導(dǎo)體層；
形成位于所述n型區(qū)中的第一柵極和位于所述p型區(qū)中的第二柵極；以及
形成鄰近所述第一柵極的第一組源極/漏極部件和鄰近所述第二柵極的第二組源極/漏極部件，所述第二組源極/漏極部件比所述第一組源極/漏極部件更深。