技術編號：11836634
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非對稱源極/漏極深度。背景技術集成電路的制造包括在單個晶圓上形成大量的非常小的器件。隨著制造技術的提高，器件變得更小，從而使得更多的器件可以安裝在更少量的空間內。通常形成的器件是晶體管。晶體管通常包括柵極端子、源極端子和漏極端子。溝道設置在柵極下方和源極和漏極端子之間?；谑┘拥綎艠O的信號，允許或阻止電流流過溝道。隨著半導體器件的尺寸減小，期望找到允許具有高性能的低成本高效率器件的方法和結構。發(fā)明內容為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，根據本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：松弛的...
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