1.一種具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，包括襯底、源極、漏極、體區(qū)及襯底上的阱區(qū)，其特征在于，所述阱區(qū)包括：
插入式阱，摻雜類(lèi)型為P型，設(shè)于所述漏極的下方并與漏極和襯底相接；
N阱，設(shè)于所述插入式阱的外圍，所述插入式阱的寬度小于漏極的寬度從而使漏極的兩側(cè)與所述N阱相接；
P阱，設(shè)于所述N阱的外圍并與N阱相接；
所述橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管還包括P型場(chǎng)限環(huán)，所述P型場(chǎng)限環(huán)設(shè)于所述N阱內(nèi)，為封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且位于所述漏極的下方外圍，將所述漏極包圍；所述插入式阱在其長(zhǎng)度方向上延伸至與所述P型場(chǎng)限環(huán)相接觸的位置，所述源極和體區(qū)設(shè)于所述P阱內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述阱區(qū)包括襯底上的第一阱區(qū)和第一阱區(qū)上的第二阱區(qū)，所述插入式阱包括第一阱區(qū)內(nèi)的第一插入式阱和第二阱區(qū)內(nèi)的第二插入式阱，所述N阱包括第一阱區(qū)內(nèi)的第一N阱和第二阱區(qū)內(nèi)的第二N阱，所述P阱包括第一阱區(qū)內(nèi)的第一P阱和第二阱區(qū)內(nèi)的第二P阱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述第一N阱的摻雜濃度低于所述第二N阱的摻雜濃度，所述第一P阱的摻雜濃度低于所述第二P阱的摻雜濃度，所述第一插入式阱的摻雜濃度低于所述第二插入式阱的摻雜濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管還包括場(chǎng)氧區(qū)和多晶硅結(jié)構(gòu)，所述場(chǎng)氧區(qū)設(shè)于所述N阱表面，兩塊場(chǎng)氧區(qū)將所述漏極夾于中間，所述多晶硅結(jié)構(gòu)從所述場(chǎng)氧區(qū)表面搭接至所述源極表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述插入式阱的寬度不超過(guò)所述漏極的有源區(qū)寬度的40％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)管，其特征在于，所述阱區(qū)的摻雜濃度低于所述漏極的摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，所述襯底為P摻雜襯底，所述漏極為N摻雜漏極，所述源極為N摻雜源極，所述體區(qū)為P摻雜體區(qū)。