技術(shù)編號：11836789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，特別是涉及一種具RESURF結(jié)構(gòu)的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。背景技術(shù)采用RESURF(降低表面電場)原理的基本結(jié)構(gòu)由低摻雜的P型襯底和低摻雜的N型外延層組成。在外延層上形成P阱并注入N+、P+，形成一個橫向的P-well/N-epi結(jié)和一個縱向的P-sub/N-epi結(jié)。由于橫向結(jié)兩端有著更高的摻雜濃度，因此擊穿電壓比縱向結(jié)更低。RESURF的基本原理是利用橫向結(jié)和縱向結(jié)的相互作用，使外延層在橫向結(jié)達到臨界雪崩擊穿電場前完全耗盡，通過合理優(yōu)化器件參數(shù)使得器件的擊穿發(fā)...
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