技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；襯底上的第一支撐層和第二支撐層；第一支撐層的一側(cè)壁上的第一納米線，以及第二支撐層的一側(cè)壁上的第二納米線，其中，第一納米線和第二納米線具有不同的溝道材料，第一納米線和第二納米線沿與襯底垂直方向依次交替設(shè)置。本發(fā)明形成了包括不同材料的納米線溝道，不同材料的納米線形成在支撐層上并在與襯底垂直方向上交替設(shè)置，可以用于形成不同類型的器件，提高器件的性能，且工藝簡便易于集成。

技術(shù)研發(fā)人員：萬光星;朱慧瓏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
文檔號(hào)碼：201510166967
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.09
技術(shù)公布日：2016.11.23