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擴散電勢二極管的制作方法

文檔序號:11836932閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種擴散電勢二極管,該擴散電勢二極管是n+-n半導(dǎo)體或p+-p半導(dǎo)體,其中第一n+-n半導(dǎo)體串聯(lián)連接第二n+-n半導(dǎo)體,該第一n+-n半導(dǎo)體與該第二n+-n半導(dǎo)體各包含一n+半導(dǎo)體與一n半導(dǎo)體,在該n+半導(dǎo)體形成一陽極端,以及在該n半導(dǎo)體形成一陰極端;或,第一p+-p半導(dǎo)體串聯(lián)連接第二p+-p半導(dǎo)體,該第一p+-p半導(dǎo)體與該第二p+-p半導(dǎo)體各包含一p+半導(dǎo)體與一p半導(dǎo)體,該p+半導(dǎo)體連接該p半導(dǎo)體,在該p+半導(dǎo)體形成陽極端,以及在該p半導(dǎo)體形成陰極端。本發(fā)明利用n+-n半導(dǎo)體或p+-p半導(dǎo)體的電性特征制成電子組件,應(yīng)用于各種電路中,例如電池電路、集成電路、內(nèi)存電路及各種微電子電路。

技術(shù)研發(fā)人員:盧昭正
受保護的技術(shù)使用者:盧昭正
文檔號碼:201510164935
技術(shù)研發(fā)日:2015.04.09
技術(shù)公布日:2016.11.23

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