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擴(kuò)散電勢二極管的制作方法

文檔序號:11836932閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,其包括:

一n+半導(dǎo)體與一n半導(dǎo)體,該n+半導(dǎo)體連接該n半導(dǎo)體,在該n+半導(dǎo)體形成一陽極端,以及在該n半導(dǎo)體形成一陰極端。

2.一種擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,其包括:

第一n+-n半導(dǎo)體串聯(lián)連接第二n+-n半導(dǎo)體,其中該第一n+-n半導(dǎo)體與該第二n+-n半導(dǎo)體各包含一n+半導(dǎo)體與一n半導(dǎo)體,在該n+半導(dǎo)體形成一陽極端,以及在該n半導(dǎo)體形成一陰極端。

3.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該第一n+-n半導(dǎo)體的n+半導(dǎo)體端形成第一陽極端、該第二n+-n半導(dǎo)體的n+半導(dǎo)體端形成第二陽極端,以及該第一n+-n半導(dǎo)體的n半導(dǎo)體串聯(lián)連接該第二n+-n半導(dǎo)體的n半導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該第一n+-n半導(dǎo)體的n半導(dǎo)體端形成第一陰極端,該第二n+-n半導(dǎo)體的n半導(dǎo)體端形成第二陰極端,該第一n+-n半導(dǎo)體的n+半導(dǎo)體串聯(lián)連接該第二n+-n半導(dǎo)體的n+半導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該陰極端電性進(jìn)一步連接充電裝置的正電端或負(fù)載的正電端,該陽極端電性連接電池的正電端,該電池的負(fù)電端電性連接充電裝置的負(fù)電端或負(fù)載的負(fù)電端。

6.如權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該第二陽極端進(jìn)一步電性連接充電裝置的正電端或負(fù)載的正電端,該第一陽極端電性連接電池的正電端,該電池的負(fù)電端電性連接充電裝置的負(fù)電端或負(fù)載的負(fù)電端。

7.一種擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,其包括:

一p+半導(dǎo)體與一p半導(dǎo)體,該p+半導(dǎo)體連接該p半導(dǎo)體,在該p+半導(dǎo)體形成陽極端,以及在該p半導(dǎo)體形成陰極端。

8.一種擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,其包括:

第一p+-p半導(dǎo)體串聯(lián)連接第二p+-p半導(dǎo)體,其中該第一p+-p半導(dǎo)體與該第二p+-p半導(dǎo)體各包含一p+半導(dǎo)體與一p半導(dǎo)體,該p+半導(dǎo)體連接該p半導(dǎo)體,在該p+半導(dǎo)體形成陽極端,以及在該p半導(dǎo)體形成陰極端。

9.如權(quán)利要求8所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該第一p+-p半導(dǎo)體的p+半導(dǎo)體端形成第一陽極端,該第二p+-p半導(dǎo)體的p+半導(dǎo)體端形成第二陽極端,該第一p+-p半導(dǎo)體的p半導(dǎo)體串聯(lián)連接該第二p+-p半導(dǎo)體的p半導(dǎo)體。

10.如權(quán)利要求8所述的擴(kuò)散電勢二極管,其特征在于,該第一p+-p半導(dǎo)體的p半導(dǎo)體端形成第一陰極端,該第二p+-p半導(dǎo)體的p半導(dǎo)體端形成第二陰極端,該第一p+-p半導(dǎo)體的p+半導(dǎo)體串聯(lián)連接該第二p+-p半導(dǎo)體的p+半導(dǎo)體。

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