技術(shù)特征：

1.一種接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成介電層，刻蝕所述介電層形成接觸孔；

在所述接觸孔側(cè)壁、底部和介電層表面形成鈦層；

在所述鈦層表面形成氮化鈦層；

在所述接觸孔內(nèi)填充滿導電層；

對所述接觸孔內(nèi)的導電層進行研磨，至所述導電層表面與介電層表面齊平；

進行800℃-900℃的高溫毫秒級熱退火工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述高溫毫秒級熱退火工藝時間為250μs至500μs。

3.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述高溫毫秒級熱退火工藝中需通入一種或多種惰性氣體。

4.如權(quán)利要求3所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述惰性氣體的總流量為1000sccm至10000sccm。

5.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述介電層為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，當所述介電層為單層結(jié)構(gòu)時，所述介電層為氧化硅層。

7.如權(quán)利要求5所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，當所述介電層為疊層結(jié)構(gòu)時，所述介電層為氮化硅和氧化硅構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)或者氧化硅和氮化硅和氧化硅構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述鈦層的厚度為所述氮化鈦層的厚度

9.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，在所述接觸孔側(cè)壁、底部和所述介電層表面形成鈦層之前，需進行清洗工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的接觸孔栓塞的形成方法，其特征在于，所述導電層的 材料為金屬鎢。