專(zhuān)利名稱(chēng)：形成拴塞孔的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板的制造方法，特別是有關(guān)于一種電路板拴塞孔形成的工藝制造方法，可有效解決鏤空現(xiàn)象。


圖1至圖4示出的，是傳統(tǒng)技術(shù)中的拴塞的形成過(guò)程。如圖1所示，是形成一金屬堆疊層于一基材100上的情形，首先，一金屬鋁層110以PVD沉積法形成于基材100上，接著，同樣以PVD沉積法于金屬鋁層110之上，形成一TiN層120，最后，以CVD沉積法于TiN層120之上，形成一SiON層130。金屬堆疊是由金屬鋁層110、TiN層120與SiON層130所組成。
圖2中示出的，是形成金屬線的情形。在SiON層130之上，形成一光阻層(未顯示于圖中)，并進(jìn)行曝光與微影制作，以圖案化光阻層，再以經(jīng)圖案化的光阻層為遮罩，干蝕刻金屬堆疊層，形成金屬線，如圖2所示。
圖3中示出的，其形成一氧化層140的情形，氧化層是以CVD法完成，氧化層140通常為一HDP氧化層，氧化層140沉積于整個(gè)基材100上之后，需進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨步驟，以平坦化氧化層140，利于后續(xù)的制作步驟。
在圖4示出的，是一誤對(duì)準(zhǔn)(misalign)操作產(chǎn)生具有鏤空現(xiàn)象的拴塞孔180的情形。首先需在SiON層130之上，形成一光阻層(未顯示于圖中)，經(jīng)曝光與微影制作，得到圖案化的光阻層，然而，因?yàn)楣庾鑼拥钠毓庥姓`對(duì)準(zhǔn)的現(xiàn)象發(fā)生，所以，利用經(jīng)圖案化的光阻層為遮罩，蝕刻氧化層140后，所形成的拴塞孔180將具有一鏤空的側(cè)洞190，如圖4所示。
這種因誤對(duì)準(zhǔn)所形成的側(cè)洞190，一者將使金屬堆疊層內(nèi)的金屬鋁被蝕刻出來(lái)，二者，其高寬比很大，將對(duì)后續(xù)填補(bǔ)TiN層，造成困難，因而，導(dǎo)致最后的電阻上升，降低了金屬線路的品質(zhì)。研究側(cè)洞190形成的原因是在此蝕刻步驟中，氧化層140相對(duì)于SiON層130的蝕刻速率較大，因此，當(dāng)誤對(duì)準(zhǔn)的情況發(fā)生時(shí)，氧化層140將被蝕刻得較深，而產(chǎn)生側(cè)洞190。
本發(fā)明即針對(duì)上述傳統(tǒng)技術(shù)的缺點(diǎn)，提出一簡(jiǎn)單的解決方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一基材，并利用PVD沉積法依序在基材上，沉積一金屬層以及一抗氧化反射層。接著，在抗氧化反射層之上形成一旋涂式玻璃層，然后，利用上光阻層、曝光與微影的方法，蝕刻旋涂式玻璃層、抗氧化反射層與金屬層，以形成金屬線的結(jié)構(gòu)。并以CVD沉積法形成一氧化層于整個(gè)基材之上，再由化學(xué)機(jī)械研磨步驟，平坦化氧化層。最后，利用上光阻層、曝光與微影的方法，干蝕刻氧化層，以形成拴塞孔的結(jié)構(gòu)。由于本發(fā)明所應(yīng)用的旋涂式玻璃層，其蝕刻速率較氧化層快，當(dāng)誤對(duì)準(zhǔn)發(fā)生時(shí)，并不會(huì)有鏤空現(xiàn)象發(fā)生。本發(fā)明的旋涂式玻璃層也可為一染料旋涂式玻璃層，這時(shí)，可省去上述的抗氧化反射層的制造過(guò)程。
本發(fā)明的有益效果是，可以容易制成不具鏤空現(xiàn)象的拴塞孔，減少后續(xù)TiN層填補(bǔ)的困難，并且金屬層中的鋁原子不會(huì)被蝕刻出來(lái)，同時(shí)，本發(fā)明采用的旋涂式玻璃層或染料旋涂式玻璃層，具有硬遮罩的功能，光阻層的厚度可以降低，增加了黃光的工藝容忍度。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下面舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
圖5示出的，是一半導(dǎo)體的剖面圖，圖中顯示本發(fā)明形成金屬堆疊層的情形。首先，提供一基材500，并利用PVD沉積法依序在基材500上，沉積一金屬層510以及一抗氧化反射層520，其中，金屬層510通常為一鋁層，而抗氧化反射層520通常為一TiN層。接著，在抗氧化反射層520的上面形成一旋涂式玻璃層535，其厚度約為2000埃至4000埃之間，本實(shí)施例為3000埃。金屬堆疊層是由金屬層510、抗氧化反射層520、旋涂式玻璃層535所組成。本發(fā)明的旋涂式玻璃層535也可為一染料旋涂式玻璃層，由于染料旋涂式玻璃層并不會(huì)在后續(xù)曝光造成駐波現(xiàn)象，因此，染料旋涂式玻璃層的應(yīng)用，可省去上述的抗氧化反射層520的制造程序。
在圖6中示出的，是本發(fā)明形成金屬線的方法。首先，涂布一光阻層(未顯示于圖中)，并利用曝光與微影的方法，將光罩上的圖案轉(zhuǎn)移至光阻層上。接著，再利用圖案化的光阻層為遮罩，并配合蝕刻氣體，干蝕刻金屬堆疊層，以形成金屬線的結(jié)構(gòu)，如圖中所示。
在圖7中，圖中顯示本發(fā)明形成氧化層540的情形。在金屬線蝕刻完成后，一氧化層以CVD沉積法形成于整個(gè)基材500之上，并覆蓋金屬線，氧化層540通常為一HDP氧化層。氧化層540沉積于整個(gè)基材500上之后，需進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨步驟，以平坦化氧化層540，以利于后續(xù)的工藝步驟。
在圖8中，顯示出當(dāng)誤對(duì)準(zhǔn)發(fā)生時(shí)，本發(fā)明形成一不具有鏤空現(xiàn)象的拴塞孔的情形。首先，涂布一光阻層(未顯示在圖中)，并利用曝光與微影的方法，將光罩上的圖案轉(zhuǎn)移至光阻層上。接著，再以圖案化的光阻層為遮罩，顯配合含氟的蝕刻氣體，干蝕刻氧化層，以形成拴塞孔580的結(jié)構(gòu)。如圖中所示，當(dāng)誤對(duì)準(zhǔn)發(fā)生時(shí)，由于本發(fā)明所應(yīng)用的旋涂式玻璃層535或染料旋涂式玻璃層的實(shí)蝕刻速率比氧化層快，因此，并不會(huì)有鏤空現(xiàn)象發(fā)生。
再者，本發(fā)明所應(yīng)用的旋涂式玻璃層535或染料旋涂式玻璃層，具有硬遮罩的功能，使得光阻層的厚度可以降低，而增加了黃光的工藝容忍度，并同時(shí)解決了在越來(lái)越小的線寬半導(dǎo)體制造中，光阻容易倒塌的情形。
綜上所述，雖然本發(fā)明以一較佳實(shí)施例揭露如上，但是并非用以限定本發(fā)明，本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，做出的各種的更動(dòng)與修改，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成拴塞孔的方法，其特征在于，所述方法包括提供一具有金屬層形成在上面的基材；形成一旋涂式玻璃層于所述基材上；定義多條金屬線，所述金屬線由蝕刻所述旋涂式玻璃層與所述金屬層完成；沉積一氧化層于所述基材上，并覆蓋所述多條金屬線；以及定義多個(gè)拴塞孔，所述拴塞孔是借助蝕刻所述氧化層完成。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的旋涂式玻璃層是染料旋涂式玻璃層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述的基材上還有一層抗反射層，沉積在金屬層和旋涂式玻璃層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述的抗反射層是一TiN層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的旋涂式玻璃層的厚度為2000埃至4000埃。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氧化層是為一HDP氧化層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種可以避免因誤對(duì)準(zhǔn)所產(chǎn)生的鏤空(un－landed)現(xiàn)象的制造方法，該方法包括提供一具有金屬層與抗反射層形成于其上的基材；形成一旋涂式玻璃層(SOG，spin on glass)于該抗反射層上；定義多條金屬線，所述金屬線是由蝕刻該金屬層、該抗反射層與該旋涂式玻璃層完成；沉積一氧化層于該基材上，并覆蓋該多條金屬線；以及定義多個(gè)拴塞孔，所述拴塞孔是由蝕刻該氧化層完成。本發(fā)明的旋涂式玻璃層可以被一染料旋涂式玻璃層取代，此時(shí)，抗反射層的形成步驟可省去。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1453846SQ0211819
公開(kāi)日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2002年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者鄭培仁 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司