1.一種半導(dǎo)體裝置(1)，其具有晶體管單元區(qū)域(37)，該晶體管單元區(qū)域(37)是在半導(dǎo)體襯底(9)之上配置有多個晶體管的單元的區(qū)域，
該半導(dǎo)體裝置的特征在于，
具有電極焊盤(2)，該電極焊盤(2)避開所述晶體管單元區(qū)域(37)而配置在所述半導(dǎo)體襯底(9)之上，且與各所述單元的一個電流電極電連接，
所述晶體管單元區(qū)域(37)由電流驅(qū)動能力依賴于與所述電極焊盤(2)相距的距離而不同的多個區(qū)域(6、7、8)構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述電極焊盤(2)的形狀為圓形、橢圓形、或者具有至少大于或等于5個頂點的多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
至少一部分的所述單元除了所述一個電流電極以外，還具有面積比該一個電流電極小的電流檢測電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具有對所述半導(dǎo)體裝置的溫度進行檢測的溫度檢測用二極管(24)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述溫度檢測用二極管(24)的正極與所述電極焊盤(2)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具有對所述半導(dǎo)體裝置的溫度進行檢測的溫度檢測用二極管(24)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體襯底(9)為碳化硅襯底。