1.一種制造混合型全背接觸式(ABC)太陽(yáng)能電池的方法，所述混合型ABC太陽(yáng)能電池包括設(shè)置在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上的同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)和異質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)，所述方法包括以下步驟：
在太陽(yáng)能電池的吸收體的至少一部分上形成一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層；
在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的至少一部分上形成一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層，以在所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層和太陽(yáng)能電池的吸收體之間提供一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的極性與所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的極性相反；
在所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的至少一部分上形成一個(gè)或多個(gè)第一金屬區(qū)域；
在太陽(yáng)能電池的吸收體內(nèi)形成摻雜區(qū)域，與太陽(yáng)能電池的吸收體相比，所述摻雜區(qū)域具有不同的摻雜水平；以及
在所述摻雜區(qū)域的至少一部分上并接觸所述摻雜區(qū)域形成一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域，以提供一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)；
其中，所述異質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)包括一個(gè)或多個(gè)第一金屬區(qū)域、一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層和太陽(yáng)能電池的吸收體；并且所述同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)包括一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域、摻雜區(qū)域和太陽(yáng)能電池的吸收體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：
摻雜所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層，以使得所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的極性與所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的極性相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：
在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層和太陽(yáng)能電池的吸收體的界面處產(chǎn)生表面電荷，以使得所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的極性與所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的極性相反。
4.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上形成發(fā)射極區(qū)域，所述發(fā)射極區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)；以及
在太陽(yáng)能電池后側(cè)上形成背表面場(chǎng)(BSF)區(qū)域，所述BSF區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)，
其中，所述發(fā)射極區(qū)域鄰近所述BSF區(qū)域設(shè)置。
5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上形成發(fā)射極區(qū)域，所述發(fā)射極區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)；以及
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上形成背表面場(chǎng)(BSF)區(qū)域，所述BSF區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)，
其中，所述發(fā)射極區(qū)域鄰近所述BSF區(qū)域設(shè)置。
6.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中，提供所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)包括：通過(guò)擴(kuò)散、離子注入或合金化形成一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)。
7.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中，通過(guò)薄膜沉積形成所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層。
8.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：
在太陽(yáng)能電池的吸收體的后側(cè)上、至少在將要設(shè)置所述一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域的地方形成摻雜區(qū)域；以及
在一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層中、至少在將要設(shè)置所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)的地方打開(kāi)觸點(diǎn)孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在太陽(yáng)能電池的吸收體的后側(cè)上形成所述摻雜區(qū)域包括：執(zhí)行從所述一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域到太陽(yáng)能電池的吸收體中的局部合金化工藝。
10.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域使用絲網(wǎng)印刷工藝而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括下述步驟：進(jìn)行觸點(diǎn)燒結(jié)，以在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層和太陽(yáng)能電池的吸收體的界面處產(chǎn)生表面電荷。
12.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中，形成所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的步驟包括形成至少兩個(gè)絕緣鈍化層，其中，所述至少兩個(gè)絕緣鈍化層包括帶相反電荷的表面電荷。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述至少兩個(gè)絕緣鈍化層中的每一個(gè)包括SiNx、AlOx或SiOx。
14.根據(jù)權(quán)利要求4或5中的任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括下述步驟：通過(guò)激光燒蝕來(lái)結(jié)構(gòu)化太陽(yáng)能電池的吸收體，以便將所述BSF區(qū)域與太陽(yáng)能電池的發(fā)射極區(qū)域分離。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，激光燒蝕用于在所述一個(gè)或多個(gè)絕緣鈍化層中打開(kāi)觸點(diǎn)孔。
16.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層包括p或n摻雜的微晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-15中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層包括本征的、p或n摻雜的非晶硅或其低值氧化物。
18.一種混合型全背接觸式(ABC)太陽(yáng)能電池，包括：
形成在太陽(yáng)能電池的吸收體的至少一部分上的一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層；
形成在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的至少一部分上的一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層，以在所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層和太陽(yáng)能電池的吸收體之間提供一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的極性與所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的極性相反；
形成在所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層的至少一部分上的一個(gè)或多個(gè)第一金屬區(qū)域；
形成在太陽(yáng)能電池的吸收體內(nèi)的摻雜區(qū)域，與太陽(yáng)能電池的吸收體相比，所述摻雜區(qū)域具有不同的摻雜水平；以及
形成在所述摻雜區(qū)域的至少一部分上并接觸所述摻雜區(qū)域的一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域，以提供一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)；
其中，所述一個(gè)或多個(gè)第一金屬區(qū)域、所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層和太陽(yáng)能電池的吸收體限定異質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)；并且所述一個(gè)或多個(gè)第二金屬區(qū)域、所述摻雜區(qū)域和太陽(yáng)能電池的吸收體限定同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)；其中，所述同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)和異質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)系統(tǒng)設(shè)置在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步包括：
一個(gè)或多個(gè)摻雜的異質(zhì)結(jié)層；以及
在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層和太陽(yáng)能電池的吸收體的界面處的表面電荷，其中，所述一個(gè)或多個(gè)摻雜的異質(zhì)結(jié)層的極性與所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層的極性相反。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步包括：
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上的發(fā)射極區(qū)域，所述發(fā)射極區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)；以及
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上的背表面場(chǎng)(BSF)區(qū)域，所述BSF區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)；
其中，所述發(fā)射極區(qū)域鄰近所述BSF區(qū)域設(shè)置。
21.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步包括：
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上的發(fā)射極區(qū)域，所述發(fā)射極區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)；以及
在太陽(yáng)能電池的后側(cè)上的背表面場(chǎng)(BSF)區(qū)域，所述BSF區(qū)域包括所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)；
其中，所述發(fā)射極區(qū)域鄰近所述BSF區(qū)域設(shè)置。
22.根據(jù)權(quán)利要求18-21中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，其中，所述一個(gè)或多個(gè)同質(zhì)結(jié)觸點(diǎn)是擴(kuò)散的、離子注入的或合金化的同質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)。
23.根據(jù)權(quán)利要求18-22中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層是薄膜沉積的異質(zhì)結(jié)層。
24.根據(jù)權(quán)利要求18-23中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步包括：在所述一個(gè)或多個(gè)圖案化的絕緣鈍化層中、至少設(shè)置所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)點(diǎn)或線狀觸點(diǎn)的地方的觸點(diǎn)孔。
25.根據(jù)權(quán)利要求18-24中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，包括至少兩個(gè)絕緣鈍化層，其中，所述至少兩個(gè)絕緣鈍化層包括帶相反電荷的表面電荷。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，其中，所述至少兩個(gè)絕緣鈍化層中的每一個(gè)包括SiNx、AlOx或SiOx。
27.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，其中，所述BSF區(qū)域通過(guò)激光燒蝕與太陽(yáng)能電池的發(fā)射極區(qū)域分離。
28.根據(jù)權(quán)利要求18-27中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，其中，所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層包括p或n摻雜的微晶硅。
29.根據(jù)權(quán)利要求18-27中的任意一項(xiàng)所述的混合型ABC太陽(yáng)能電池，其中，所述一個(gè)或多個(gè)異質(zhì)結(jié)層包括本征的、p或n摻雜的非晶硅或其低值氧化物。