技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供發(fā)光二極管及其制備方法。詳細(xì)地，可提供如下的發(fā)光二極管：所述發(fā)光二極管的特征在于，包括：第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體，由形成于基板上的第一n?GaN層、第一活性層、第一p?GaN層依次層疊而成；第一n型電極，形成于第一n?GaN層的上部的一側(cè)；電流擴(kuò)散層，配置有形成于所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)體上的至少一個(gè)孔；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)體，由第二p?GaN層、第二活性層及第二n?GaN層依次層疊而成，所述第二p?GaN層形成于配置有所述導(dǎo)電層的至少一個(gè)孔的區(qū)域，所述第二活性層形成于上述第二p?GaN層上；所述第二p?GaN層是借助所述導(dǎo)電層的至少一個(gè)孔使上述第一p?GaN層再生長(zhǎng)而形成的。在本發(fā)明中，在一個(gè)發(fā)光二極管配置可具有兩種以上的波長(zhǎng)的多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)體，從而可提供能夠釋放所需顏色的光的高像素、高亮度的發(fā)光二極管。

技術(shù)研發(fā)人員：李東宣;孔得照;姜昌模;李俊燁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：光州科學(xué)技術(shù)院
文檔號(hào)碼：201480077566
技術(shù)研發(fā)日：2014.09.16
技術(shù)公布日：2016.11.23