顯示基板、顯示面板和掩膜板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種顯示基板，所述顯示基板包括陽極層、陰極層和設(shè)置在所述陽極層和所述陰極層之間的發(fā)光層，所述陽極層包括多個(gè)陽極，其中，所述顯示基板還包括至少一個(gè)輔助電極，所述輔助電極與所述陽極絕緣間隔，且所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)接觸，使得所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)后的整體電阻小于所述陰極層自身的電阻。本實(shí)用新型還提供一種顯示面板和一種掩膜板。本實(shí)用新型所提供的顯示基板的陰極電阻壓降(即，IR drop)較小，因此，電信號在陰極層以及輔助電極中的損失也相對較小，從而可以獲得相對較高的畫面質(zhì)量。
【專利說明】
顯示基板、顯示面板和掩膜板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED，Organic Light Emitting D1de)顯示裝置領(lǐng)域，具體地，涉及一種顯示基板、包括顯示基板的顯示面板、所述顯示基板的制造方法以及所述制造方法中所用到的掩膜板。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的顯示基板包括薄膜晶體管陣列和發(fā)光件陣列，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，所述發(fā)光件陣列包括陽極層、陰極層和設(shè)置在所述陽極層和所述陰極層之間的所述發(fā)光層。所述陽極層包括多個(gè)陽極，所述陽極與所述薄膜晶體管的漏極對應(yīng)的連接。
[0003]通常通過在發(fā)光層的上方濺射氧化銦錫(ITO)等透明或者蒸鍍反射率好的透明來形成陰極層。如果通過濺射ITO的方式形成陰極層的話，所述發(fā)光層則容易受到損傷，并降低所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的發(fā)光效率。
[0004]如上文中所述，還可以通過蒸鍍反射率好的透明的方式形成陰極層，但是通過這種方式形成的陰極層通常具有較大的電阻，在顯示時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電阻壓降(IR Drop)，最終降低顯示面板的畫面質(zhì)量。
[0005]因此，如何防止有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的畫面質(zhì)量降低成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于提供一種顯示基板、包括顯示基板的顯示面板、所述顯示基板的制造方法以及該制造方法中所用到的掩膜板，包括所述顯示基板的顯示面板在顯示時(shí)具有較好的畫面質(zhì)量。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板包括陽極層、陰極層和設(shè)置在所述陽極層和所述陰極層之間的發(fā)光層，所述陽極層包括多個(gè)陽極，其中，所述顯示基板還包括至少一個(gè)輔助電極，所述輔助電極與所述陽極絕緣間隔，且所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)接觸，使得所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)后的整體電阻小于所述陰極層自身的電阻。
[0008]優(yōu)選地，所述輔助電極與所述陽極層同層設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，所述顯示基板還包括間隔件，每個(gè)所述輔助電極的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔，所述間隔件的一部分設(shè)置在相應(yīng)的所述絕緣間隔中，另一部分凸出于所述陽極層，以將所述輔助電極與所述陽極絕緣間隔。
[0010]優(yōu)選地，所述間隔件為多對，所述間隔件將所述顯示基板劃分為多個(gè)陽極區(qū)域和多個(gè)輔助電極區(qū)域，每個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有至少一個(gè)所述陽極和形成所述發(fā)光層的材料，每個(gè)所述輔助電極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有所述輔助電極，所述輔助電極區(qū)域設(shè)置在所述陽極區(qū)域的周圍，所述輔助電極區(qū)域的寬度小于所述陽極區(qū)域的寬度，所述陰極層的一部分位于所述輔助電極區(qū)域的一對所述間隔件之間的空隙中，以將所述陰極層與所述輔助電極電連接。
[0011]優(yōu)選地，所述間隔件包括沿所述顯示基板的橫向延伸的行間隔件和沿所述顯示基板的縱向延伸的列間隔件。
[0012]優(yōu)選地，任意一個(gè)所述輔助電極兩側(cè)的兩個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)形成所述發(fā)光層的材料的形狀均不相同。
[0013]優(yōu)選地，所述顯示基板還包括將所述顯示基板劃分為多個(gè)像素單元的間隔件，所述間隔件的一部分貫穿所述陽極層，另一部分位于所述陽極層上方。
[0014]優(yōu)選地，每個(gè)所述輔助電極對應(yīng)有一個(gè)所述間隔件，多個(gè)所述輔助電極連接成網(wǎng)狀，每個(gè)所述輔助電極的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔，與所述輔助電極相對應(yīng)的所述間隔件包括分別設(shè)置在相對應(yīng)的所述輔助電極兩側(cè)的所述絕緣間隔中的插入部和連接兩個(gè)所述插入部的連接部，至少一個(gè)所述間隔件的所述連接部上形成由用于暴露所述輔助電極的過孔，所述陰極層通過所述過孔與所述輔助電極并聯(lián)。
[0015]優(yōu)選地，形成有所述過孔的所述間隔件圍成多個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域內(nèi)沉積有用于形成發(fā)光層的材料，且相鄰兩個(gè)所述區(qū)域的形狀不同。
[0016]作為本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其特征在于，所述顯示基板為本實(shí)用新型所提供的上述顯示基板。
[0017]作為本實(shí)用新型的再一個(gè)方面，提供一種掩膜板，所述掩膜板用于制造本實(shí)用新型所提供的上述顯示基板，其中，所述掩膜板包括多個(gè)開口部和對應(yīng)于至少一個(gè)所述輔助電極的遮擋部，所述遮擋部將相鄰的所述開口部間隔開。
[0018]當(dāng)包括本實(shí)用新型所提供的顯示基板的顯示面板工作時(shí)，在向陰極層通電時(shí)，電流同時(shí)會(huì)傳導(dǎo)至輔助電極。輔助電極也陰極層并聯(lián)，形成組合件，該組合件的電阻小于陰極層本身的電阻。與未設(shè)輔助電極的顯示基板相比，本實(shí)用新型所提供的顯示基板的陰極電阻壓降(即，IR drop)較小，因此，電信號在陰極層以及輔助電極中的損失也相對較小，從而可以獲得相對較高的畫面質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]附圖是用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中:
[0020]圖1是形成有陽極層的基板的示意圖；
[0021]圖2是形成有間隔件的基板的不意圖；
[0022]圖3是形成有發(fā)光層的基板的示意圖；
[0023]圖4是形成有陰極層的基板的示意圖；
[0024]圖5是封裝后的基板的不意圖；
[0025]圖6是形成發(fā)光層時(shí)用到的掩膜板的一種實(shí)施方式的示意圖；
[0026]圖7是形成發(fā)光層是用到的掩膜板的另一種實(shí)施方式的示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明
[0028]10:驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管15:過孔
[0029]21:陽極22:輔助電極
[0030]23:絕緣間隔30:平坦化層
[0031]40:間隔件50:發(fā)光區(qū)
[0032]60:陰極層70:封裝層
[0033]81:開口部82:遮擋部

【具體實(shí)施方式】
[0034]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。
[0035]如圖5所示，作為本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板包括陽極層、陰極層60和設(shè)置在所述陽極層和所述陰極層之間的所述發(fā)光層，所述陽極層包括多個(gè)陽極21，其中，所述陽極層還包括至少一個(gè)輔助電極22，輔助電極22與陽極21絕緣間隔，且輔助電極22與陰極層60并聯(lián)接觸，使得輔助電極22與陰極層60并聯(lián)后的整體電阻小于陰極層60自身的電阻。
[0036]在向陰極層60通電時(shí)，電流同時(shí)會(huì)傳導(dǎo)至輔助電極22。輔助電極22也陰極層60并聯(lián)，形成組合件，該組合件的電阻小于陰極層60本身的電阻。與未設(shè)輔助電極的顯示基板相比，本實(shí)用新型所提供的顯示基板的陰極電阻壓降(即，IR drop)較小，因此，電信號在陰極層60以及輔助電極22中的損失也相對較小，從而可以獲得相對較高的畫面質(zhì)量。
[0037]應(yīng)當(dāng)指出的是，每個(gè)陽極21的上方均設(shè)置有由形成發(fā)光層的材料形成的發(fā)光區(qū)50，但是在輔助電極的上方并未設(shè)置有形成所述發(fā)光層的材料。
[0038]在本實(shí)用新型中，陰極層60可以通過接觸過孔與輔助電極22并聯(lián)接觸，也可以通過其他方式與輔助電極22并聯(lián)接觸。并且，在本實(shí)用新型中，對輔助電極22的設(shè)置位置以及設(shè)置數(shù)量也沒有特殊的影響，只要將輔助電極22設(shè)置在不影響顯示面板的正常顯示的位置即可。
[0039]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，所述陽極層、所述發(fā)光層和所述陰極層組成了發(fā)光件陣列，所述發(fā)光件陣列包括多個(gè)發(fā)光件。換言之，多個(gè)發(fā)光件的陽極形成為所述陽極層，多個(gè)所述發(fā)光件的發(fā)光區(qū)形成為所述發(fā)光層，多個(gè)所述發(fā)光件的陰極形成為所述陰極層。所述顯示基板還包括設(shè)置在所述發(fā)光件陣列下方的薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列中的薄膜晶體管形成像素電路，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光件發(fā)光。所述薄膜晶體管陣列中包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10，每個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10對應(yīng)一個(gè)發(fā)光件，發(fā)光件的陽極通過過孔與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10的漏極相連。
[0040]在本實(shí)用新型中，對輔助電極22的數(shù)量并不做具體顯示，例如，可以設(shè)置一個(gè)輔助電極22，也可以設(shè)置多個(gè)輔助電極22。當(dāng)設(shè)置一個(gè)輔助電極22時(shí)，輔助電極22可以為設(shè)置在像素邊緣的、形成為一體的網(wǎng)格狀輔助電極。
[0041]在本實(shí)用新型中，對輔助電極22與陽極21之間的相對位置關(guān)系并沒有特殊的規(guī)定，只要輔助電極22可以與陽極21絕緣間隔設(shè)置即可。例如，輔助電極22可以設(shè)置在陽極21的上方，且在陽極21與輔助電極22之間設(shè)置絕緣層，或者作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，輔助電極22可以設(shè)置在陽極層中，即，陽極層包括多個(gè)陽極21和與多個(gè)陽極21間隔設(shè)置的至少一個(gè)輔助電極22。將輔助電極22設(shè)置在陽極層中的優(yōu)點(diǎn)在于，可以利用同一步構(gòu)圖工藝同時(shí)形成陽極21的輔助電極22，簡化了顯示基板的制造工藝，降低了顯示基板的制造方法。制造顯示基板的具體制造方法將在下文中詳細(xì)描述，這里先不贅述。容易理解的是，輔助電極22和陽極21由相同的材料制造而成。形成所述陽極層的材料可以為兩層ITO之間夾反射率較好的材料，例如，可以為鋁、銀、金、鈦、鉬中的任意一種，或者上述任意一種的合金。輔助電極22和陽極21同層設(shè)置的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，可以提高反射率，進(jìn)而提尚顯不面板的殼度。
[0042]雖然將輔助電極22可以與所述陽極層同層設(shè)置，但是，輔助電極22仍然與陽極21絕緣間隔設(shè)置。例如，可以在輔助電極22與陽極21之間設(shè)置絕緣間隔23 (參見圖1)。容易理解的是，所述絕緣間隔中也不設(shè)置形成所述發(fā)光層的材料。
[0043]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述顯示基板還可以包括將輔助電極22與陽極21絕緣間隔設(shè)置的間隔件40。間隔件40可以確保輔助電極22與陽極21可靠地絕緣間隔。在本實(shí)用新型中，對間隔件40的具體形狀并不做具體限定，只要能夠?qū)⑤o助電極22與陽極21絕緣間隔即可。具體地，每個(gè)輔助電極22的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔23，每個(gè)所述絕緣間隔23中均設(shè)置有間隔件40，間隔件40的一部分設(shè)置在相應(yīng)的絕緣間隔23中，另一部分凸出于所述陽極層，以將輔助電極22和與之相鄰的陽極21絕緣間隔。
[0044]如上文中所述，輔助電極22應(yīng)當(dāng)設(shè)置在不影響顯示面板正常發(fā)光的位置。例如，可以將輔助電極22設(shè)置在陽極21的周圍。相應(yīng)地，間隔件40為多對，間隔件40將所述顯示基板劃分為多個(gè)陽極區(qū)域和多個(gè)輔助電極區(qū)域，每個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有至少一個(gè)陽極和形成發(fā)光層的材料形成的發(fā)光區(qū)50，每個(gè)所述輔助電極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有輔助電極22，所述輔助電極區(qū)設(shè)置在所述陽極區(qū)域的周圍。為了使所述顯示面板具有較高的亮度，優(yōu)選地，所述輔助電極區(qū)的寬度小于所述陽極區(qū)域的寬度。容易理解的是，陽極21設(shè)置在陽極區(qū)域中，輔助電極22和間隔件40均設(shè)置在所述輔助電極區(qū)中。陰極層60的一部分位于一對間隔件40之間的輔助電極區(qū)中，以將陰極層60與輔助電極22電連接。
[0045]在本實(shí)用新型中，對每個(gè)陽極區(qū)域內(nèi)設(shè)置的陽極的數(shù)量并不做限定，例如，可以在每個(gè)陽極區(qū)域內(nèi)設(shè)置多個(gè)陽極，也可以在每個(gè)陽極區(qū)域內(nèi)設(shè)置一個(gè)陽極。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)每個(gè)陽極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有多個(gè)陽極時(shí)，同一個(gè)陽極區(qū)域內(nèi)的多個(gè)陽極之間通過像素定義件互相絕緣間隔。
[0046]作為本實(shí)用新型的一種【具體實(shí)施方式】，所述間隔件可以包括沿所述顯示基板的橫向延伸的行間隔件和沿所述顯示基板的縱向延伸的列間隔件。圖6所示的是發(fā)光層為白光材料時(shí)用于形成根據(jù)這種實(shí)施方式的掩膜板。如圖6中所示，所述掩膜板包括開口部81和遮擋部82。開口部81對應(yīng)于陽極區(qū)域，遮擋部82對應(yīng)于輔助電極區(qū)。由此可知，陽極區(qū)域的形狀可以為矩形塊狀，而輔助電極區(qū)的形狀則為網(wǎng)格狀，行間隔件形成在沿圖6中的左右方向延伸的遮擋部對應(yīng)于的區(qū)域中，列間隔件形成在沿圖6中上下方向延伸的遮擋部對應(yīng)的區(qū)域中。
[0047]圖6中所示的是一種規(guī)則的掩膜板，利用這種掩膜板形成的顯示基板中，任意一個(gè)輔助電極22兩側(cè)的兩個(gè)陽極區(qū)域的形狀均相同，也就是說，輔助電極兩側(cè)的兩個(gè)發(fā)光區(qū)的形狀相同。這種掩膜板的優(yōu)點(diǎn)在于，制造工藝簡單，成本較低。
[0048]作為本實(shí)用新型的另一種實(shí)施方式，任意一個(gè)輔助電極兩側(cè)的兩個(gè)所述陽極區(qū)域的形狀可以均不相同，因此，該兩個(gè)陽極區(qū)域上方對應(yīng)的發(fā)光層材料的形狀(即，發(fā)光區(qū)的形狀)也不相同。圖7中所示的是形成這種顯示基板的掩膜板的示意圖。圖中的掩膜板包括開口部81和遮擋部82。開口部81對應(yīng)于發(fā)光件區(qū)，遮擋部82對應(yīng)于輔助電極區(qū)。如圖中所示，任意相鄰的兩個(gè)開口部81的形狀均不相同，因此，利用這種掩膜板形成的顯示基板中，任意一個(gè)輔助電極兩側(cè)的發(fā)光件區(qū)也不相同。使用這種掩膜板的優(yōu)點(diǎn)在于，可以防止顯示面板在顯示時(shí)形成云紋(Mura)缺陷。
[0049]生產(chǎn)者可以根據(jù)具體的產(chǎn)品要求使用圖6中所示掩膜板或圖7中所示的掩膜板。
[0050]在本實(shí)用新型中，對顯示基板的具體類型并不做具體的限定，例如，所述顯示基板可以為WOLED顯示基板，在這種情況中，所述顯示基板還包括將所述顯示基板劃分為多個(gè)像素單元的間隔件，所述間隔件的一部分貫穿所述陽極層，另一部分位于所述陽極層上方。即，間隔件可以用作像素定義件。
[0051]需要說明的是，所述顯示基板也可以為RGB分立模式，在這種情況下，因?yàn)樵谥谱鲿r(shí)每一種子像素都是單獨(dú)制作的，所以不需要單獨(dú)制作用于遮擋輔助電極的掩膜板。
[0052]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施方式，每個(gè)所述輔助電極對應(yīng)有一個(gè)所述間隔件，多個(gè)所述輔助電極連接層網(wǎng)狀，每個(gè)所述輔助電極的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔，與所述輔助電極相對應(yīng)的所述間隔件包括分別設(shè)置在相對應(yīng)的所述輔助電極兩側(cè)的所述絕緣間隔中的插入部和連接兩個(gè)所述插入部的連接部，至少一個(gè)所述連接部上形成由用于暴露所述輔助電極的過孔，所述陰極層通過所述過孔與所述輔助電極并聯(lián)。也就是說，在所述顯示基板包括至少一個(gè)連接所述輔助電極和所述陰極層的過孔。由于多個(gè)輔助電極連接層網(wǎng)狀，因此，只要通過一個(gè)過孔即可將所述顯示基板的陰極層與所述輔助電極并聯(lián)。
[0053]在這種實(shí)施方式中，為了避免顯示時(shí)出現(xiàn)云紋缺陷，優(yōu)選地，形成有所述過孔的所述間隔件圍成多個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域內(nèi)沉積有用于形成發(fā)光層的材料，且相鄰兩個(gè)所述區(qū)域的形狀不同(即，形成的發(fā)光區(qū)的形狀不同)。
[0054]優(yōu)選地，如圖5所示，所述發(fā)光件陣列和所述薄膜晶體管陣列之間可以設(shè)置有平坦化層30，陽極21通過貫穿平坦化層30的過孔15與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10的漏極相連。容易理解的是，所述顯示基板還可以包括封裝層70。
[0055]作為本實(shí)用新型的另一方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其中，所述顯示基板為本實(shí)用新型所提供的上述顯示基板。
[0056]由于所述顯示基板中設(shè)置有與陰極層60并聯(lián)接觸的輔助電極22，且陰極層60與輔助電極22形成的組合件的電阻小于陰極層60自身的電阻，因此，在向所述顯示基板提供信號時(shí)，陰極層60與輔助電極22形成的組合件的壓降較小，從而使得所顯示面板能夠獲得較高的畫面質(zhì)量。
[0057]所述顯示面板可以用于電視、手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備中。
[0058]下面介紹本實(shí)用新型所提供的所述顯示基板的制造方法，所述制造方法包括以下步驟:
[0059]形成發(fā)光件陣列，該形成發(fā)光件陣列的步驟包括:
[0060]形成陽極層，所述陽極層包括多個(gè)陽極21，陽極21與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10的漏極一一對應(yīng)的連接；
[0061]形成至少一個(gè)輔助電極22，輔助電極22與陽極21絕緣間隔；
[0062]形成發(fā)光層(參見圖3)，所述發(fā)光層包括與多個(gè)陽極21 —一對應(yīng)的多個(gè)發(fā)光區(qū)50 ；
[0063]形成陰極層60 (參見圖4)，陰極層60與輔助電極22并聯(lián)接觸，使得輔助電極22與陰極層60并聯(lián)后的整體電阻小于陰極層60自身的電阻。
[0064]如上文中所述，由于所述顯示基板中設(shè)置有與陰極層60并聯(lián)接觸的輔助電極22，且陰極層60與輔助電極22形成的組合件的電阻小于陰極層60自身的電阻，因此，在向所述顯示基板提供信號時(shí)，陰極層60與輔助電極22形成的組合件的壓降較小，從而使得所顯示面板能夠獲得較高的畫面質(zhì)量。
[0065]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，所述制造方法還包括在形成發(fā)光件陣列之前形成薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管。在本實(shí)用新型中，對形成薄膜晶體管陣列的具體方法并不做具體限定，只要可以形成用于驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光件陣列的薄膜晶體管即可。
[0066]在本實(shí)用新型中，對形成陰極層60的具體工藝也不做具體限定。例如，可以通過蒸鍍或者濺射的方式形成陰極層60。
[0067]為了簡化制造方法的步驟，優(yōu)選地，形成至少一個(gè)輔助電極22的步驟與形成陽極層的步驟同步進(jìn)行。
[0068]具體地，形成陽極層和至少一個(gè)輔助電極的步驟可以包括:
[0069]形成陽極材料層；
[0070]在陽極材料層上形成多個(gè)陽極區(qū)域和多個(gè)輔助電極區(qū)域，所述輔助電極區(qū)域和與該輔助電極區(qū)域相鄰的所述陽極區(qū)域之間形成有絕緣間隔，且每個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)包括至少一個(gè)所述陽極，多個(gè)所述輔助電極連接成網(wǎng)狀。
[0071]為了確保陽極21和輔助電極22可靠地絕緣間隔，優(yōu)選地，形成陽極層的步驟和形成發(fā)光層的步驟之間包括:
[0072]形成各個(gè)間隔件40 (見圖2)，間隔件40的一部分設(shè)置在陽極21和輔助電極22之間所述絕緣間隔中，間隔件40的另一部分凸出于所述陽極層。
[0073]相應(yīng)地，在形成陰極層的步驟中，形成陰極層的材料沉積在一對之間形成有所述輔助電極的所述間隔件之間的空隙中，以使得所述陰極層與所述輔助電極并聯(lián)連接。
[0074]間隔件40可以由任意一種絕緣材料制成。例如，間隔件40可以由硅的氧化物(S1x)或硅的氮化物(SiNx)形成。
[0075]容易理解的是，間隔件40也是通過構(gòu)圖工藝形成的。具體地，形成間隔件的步驟可以包括:
[0076]在陽極層上方形成一層絕緣材料膜；
[0077]在所述絕緣材料膜上形成一層光刻膠；
[0078]對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，以形成對應(yīng)于所述間隔件的圖形；
[0079]以曝光顯影后的光刻膠作為掩膜對所述絕緣材料膜進(jìn)行光刻，以形成所述間隔件。
[0080]當(dāng)然，也可以通過其他方法形成間隔件40，這里不再贅述。
[0081]優(yōu)選地，形成發(fā)光層的步驟可以包括:
[0082]將掩膜板(如圖6和圖7所示)設(shè)置形成有所述陽極層的襯底基板上方，其中，所述掩膜板包括對應(yīng)于多個(gè)所述發(fā)光區(qū)的多個(gè)開口部81和對應(yīng)于至少一個(gè)所述輔助電極的遮擋部82 ；
[0083]蒸鍍形成所述發(fā)光層的材料，以在對應(yīng)于所述開口部的位置形成發(fā)光區(qū)50。
[0084]容易理解的是，此處所述的“形成有陽極層襯底基板”并非指所述襯底基板上僅形成有陽極層，而是指，所述襯底基板上除了形成有所述陽極層之外，還形成有其他的結(jié)構(gòu)(例如，平坦化層30、薄膜晶體管陣列等)。
[0085]形成所述陽極層的材料可以為兩層ITO之間夾反射率較好的材料，例如，可以為鋁、銀、金、鈦、鉬中的任意一種，或者上述任意一種的合金。
[0086]如上文中所述，輔助電極22可以設(shè)置在陽極21的周圍。
[0087]作為本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式，陽極21可以排列為多行多列?？梢岳脠D6中所示的掩膜板形成排列為多行多列的陽極。這種掩膜板的結(jié)構(gòu)簡單，總體成本較低。
[0088]作為本實(shí)用新型的另一種實(shí)施方式，任意一個(gè)輔助電極兩側(cè)的兩個(gè)所述陽極區(qū)域的形狀均不相同，因此，相應(yīng)的兩個(gè)發(fā)光區(qū)50的形狀也互不相同?？梢岳脠D7中所示的掩膜板形成上述發(fā)光區(qū)。這種掩膜板形成的顯示基板在于用于顯示面板的顯示時(shí)，具有較少的云紋(Mura)缺陷。
[0089]如上文中所述，所述薄膜晶體管陣列和所述發(fā)光件陣列之間還可以包括平坦化層30，因此，優(yōu)選地，所述制造方法還包括在所述形成薄膜晶體管陣列的步驟和所述形成發(fā)光件陣列的步驟之間進(jìn)行的:
[0090]形成平坦化材料層；
[0091]形成貫穿所述平坦化材料層的過孔，所述過孔位于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10的漏極上方；其中，所述形成陽極層步驟中，形成所述陽極層的材料填充在所述過孔中，使得所述陽極通過所述過孔與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管10的漏極相連。
[0092]在形成了陰極層60之后，所述制造方法還可以包括:
[0093]形成封裝層70。
[0094]如上文中所述，當(dāng)所述顯示基板為WOLED顯示基板時(shí)，所述顯示基板還可以包括用作像素定義件的間隔件時(shí)，形成陽極層和至少一個(gè)輔助電極的步驟包括:
[0095]形成陽極材料層；
[0096]在陽極材料層上形成多個(gè)貫穿所述陽極材料層的絕緣間隔，以將所述陽極材料層劃分為多個(gè)像素單元；
[0097]所述制造方法還包括:
[0098]形成包括間隔件的圖形，所述間隔件的一部分位于所述絕緣間隔中，另一部分位于所述陽極層上方。
[0099]進(jìn)一步地，多個(gè)所述絕緣間隔中的至少一個(gè)包括第一間隔和第二間隔，所述第一間隔和所述第二間隔之間形成有所述輔助電極，所述輔助電極對應(yīng)的所述間隔件包括分別設(shè)置在相對應(yīng)的所述輔助電極兩側(cè)的所述絕緣間隔中的插入部和連接兩個(gè)所述插入部的連接部；
[0100]所述制造方法還包括在形成發(fā)光層的步驟和形成陰極層的步驟之間進(jìn)行的所述連接部上形成由用于暴露所述輔助電極的過孔的步驟；
[0101]在形成陰極層的步驟中，形成陰極層的材料沉積在所述過孔中，以將所述陰極層與所述輔助電極并聯(lián)。
[0102]同樣，可以利用掩模蒸鍍法形成所述發(fā)光層，具體地，形成發(fā)光層的步驟包括:
[0103]將掩膜板設(shè)置在形成有所述陽極層的襯底基板上方，其中，所述掩膜板包括多個(gè)開口部和將所述多個(gè)開口部間隔開的多個(gè)遮擋部，所述遮擋部對應(yīng)于所述輔助電極；
[0104]蒸鍍形成所述發(fā)光層的材料，以在所述開口部對應(yīng)的位置的上方沉積形成所述發(fā)光層的材料。
[0105]為了防止在顯示時(shí)產(chǎn)生云紋缺陷，優(yōu)選地，形成有所述過孔的所述間隔件圍成多個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域內(nèi)沉積有用于形成發(fā)光層的材料，且相鄰兩個(gè)所述區(qū)域的形狀不同。
[0106]作為本實(shí)用新型的再一個(gè)方面，提供一種掩膜板，所述掩膜板本實(shí)用新型所提供的上述制造方法，其中，如圖6和圖7所示，所述掩膜板包括多個(gè)開口部81和對應(yīng)于至少一個(gè)所述輔助電極的遮擋部82，如圖中所示，遮擋部82用于將相鄰的開口部81間隔開。
[0107]應(yīng)當(dāng)理解的是，可以只在利用蒸鍍法形成發(fā)光層的步驟中使用所述掩膜板。
[0108]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，所述顯示基板包括陽極層、陰極層和設(shè)置在所述陽極層和所述陰極層之間的發(fā)光層，所述陽極層包括多個(gè)陽極，其特征在于，所述顯示基板還包括至少一個(gè)輔助電極，所述輔助電極與所述陽極絕緣間隔，且所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)接觸，使得所述輔助電極與所述陰極層并聯(lián)后的整體電阻小于所述陰極層自身的電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述輔助電極與所述陽極層同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括間隔件，每個(gè)所述輔助電極的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔，所述間隔件的一部分設(shè)置在相應(yīng)的所述絕緣間隔中，另一部分凸出于所述陽極層，以將所述輔助電極與所述陽極絕緣間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述間隔件為多對，所述間隔件將所述顯示基板劃分為多個(gè)陽極區(qū)域和多個(gè)輔助電極區(qū)域，每個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有至少一個(gè)所述陽極和形成所述發(fā)光層的材料，每個(gè)所述輔助電極區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有所述輔助電極，所述輔助電極區(qū)域設(shè)置在所述陽極區(qū)域的周圍，所述輔助電極區(qū)域的寬度小于所述陽極區(qū)域的寬度，所述陰極層的一部分位于所述輔助電極區(qū)域的一對所述間隔件之間的空隙中，以將所述陰極層與所述輔助電極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述間隔件包括沿所述顯示基板的橫向延伸的行間隔件和沿所述顯示基板的縱向延伸的列間隔件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，任意一個(gè)所述輔助電極兩側(cè)的兩個(gè)所述陽極區(qū)域內(nèi)形成所述發(fā)光層的材料的形狀均不相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括將所述顯示基板劃分為多個(gè)像素單元的間隔件，所述間隔件的一部分貫穿所述陽極層，另一部分位于所述陽極層上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，每個(gè)所述輔助電極對應(yīng)有一個(gè)所述間隔件，多個(gè)所述輔助電極連接成網(wǎng)狀，每個(gè)所述輔助電極的兩側(cè)分別形成有一個(gè)絕緣間隔，與所述輔助電極相對應(yīng)的所述間隔件包括分別設(shè)置在相對應(yīng)的所述輔助電極兩側(cè)的所述絕緣間隔中的插入部和連接兩個(gè)所述插入部的連接部，至少一個(gè)所述間隔件的所述連接部上形成由用于暴露所述輔助電極的過孔，所述陰極層通過所述過孔與所述輔助電極并聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板，其特征在于，形成有所述過孔的所述間隔件圍成多個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域內(nèi)沉積有用于形成發(fā)光層的材料，且相鄰兩個(gè)所述區(qū)域的形狀不同。
10.一種顯示面板，所述顯示面板包括顯示基板，其特征在于，所述顯示基板為權(quán)利要求I至9中任意一項(xiàng)所述的顯示基板。
11.一種掩膜板，所述掩膜板用于制造權(quán)利要求4至9中任意一項(xiàng)所述的顯示基板，其特征在于，所述掩膜板包括多個(gè)開口部和對應(yīng)于至少一個(gè)所述輔助電極的遮擋部，所述遮擋部將相鄰的所述開口部間隔開。
【文檔編號】H01L27/12GK204257650SQ201420858277
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司