一種多晶硅還原爐用變流變壓器的制造方法
【專利摘要】一種多晶硅還原爐用變流變壓器，包括高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組：所述高壓側(cè)繞組軸向分裂成兩個各相結(jié)構(gòu)相同的繞組，分裂后的高壓繞組并聯(lián)共用1個無勵磁調(diào)壓開關(guān)，實現(xiàn)對高壓繞組同時調(diào)壓；高壓繞組每相并聯(lián)后在變壓器內(nèi)部采用三角形接法；所述低壓側(cè)繞組與分裂后的高壓側(cè)繞組對應，低壓繞組之間絕緣，低壓繞組頭尾全部引出，每相獨立運行，沒有電氣上的聯(lián)系；兩組低壓繞組結(jié)構(gòu)相同，包括5個串聯(lián)分接繞組，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同。該一種多晶硅還原爐用變流變壓器，每臺變壓器可帶兩個負載，實現(xiàn)兩臺變壓器才能實現(xiàn)的功能，不僅提高了運行的可靠性和穩(wěn)定性，而且減少了變壓器用量及占用空間，節(jié)約成本。
【專利說明】一種多晶硅還原爐用變流變壓器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種冶煉變壓器，尤其是涉及一種多晶硅還原爐用變流變壓器。

【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅冶煉過程中，溫度變化跨度大，電壓電流變化范圍寬，需要將一種供電電壓經(jīng)過變壓器降壓、調(diào)壓后變成多種電壓供電；目前多晶硅還原爐用變流變壓器通常采用如下方式:變壓器高壓側(cè)采用每相I個高壓繞組，低壓繞組每相設置2~5個左右，低壓繞組與高壓對應。
[0003]已有技術(shù)存在如下不足:
[0004]1.不能滿足多晶硅冶煉過程要求低壓輸出多種電壓和電流的工作需要；
[0005]2.由于低壓輸出的組數(shù)少，I臺變壓器只能帶一個負載，相對來說不經(jīng)濟。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實用新型的目的是提供一種多晶硅還原爐用變流變壓器，以解決已有技術(shù)所存在的上述不足之處。
[0007]本實用新型采取的技術(shù)方案是:一種多晶硅還原爐用變流變壓器，包括高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組:所述高壓側(cè)繞組軸向分裂成兩個繞組:高壓繞組Lll和高壓繞組L12，高壓繞組Lll和高壓繞組L12各相結(jié)構(gòu)相同，各相均軸向分裂成兩個繞組，即:A相分為Llla和L12a，B相分為Lllb和L12b，C相分為Lllc L12c ;分裂后的高壓繞組Lll與高壓繞組L12并聯(lián)共用I個無勵磁調(diào)壓開關(guān)3，實現(xiàn)對高壓繞組Lll和高壓繞組L12同時調(diào)壓；高壓繞組每相并聯(lián)后在變壓器內(nèi)部采用三角形接法；所述低壓側(cè)繞組與分裂后的高壓側(cè)繞組對應，包括低壓繞組L21和低壓繞組L22，即:低壓繞組L21與高壓繞組Lll對應，低壓繞組L22與高壓繞組L12對應；
[0008]所述低壓繞組L21和低壓繞組L22之間絕緣，低壓繞組頭尾全部引出，每相獨立運行，沒有電氣上的聯(lián)系；所述低壓繞組L21和低壓繞組L22結(jié)構(gòu)相同，包括5個串聯(lián)分接繞組，即:
[0009]低壓繞組L21包括5個串聯(lián)分接繞組:L211、L212、L213、L214和L215，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同；
[0010]低壓繞組L22包括5個串聯(lián)分接繞組:L221、L222、L223、L224和L225，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同。
[0011]其進一步的技術(shù)方案是:所述高壓繞組Lll和高壓繞組L12，低壓繞組L21和低壓繞組L22共用一個鐵芯。
[0012]其更進一步的技術(shù)方案是:所述低壓繞組L21和低壓繞組L22或同時帶上不同的負載同時運行，或低壓繞組L21帶負載而低壓繞組L22空載，或者低壓繞組L22帶負載而低壓繞組L21空載。
[0013]由于采用上述技術(shù)方案，本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器具有以下優(yōu)點:
[0014]1.由于多晶硅還原爐在不同的工藝階段需要不同的電壓和電流供電，且電壓和電流變化的輻度很大，要求變壓器對同一負載供電時，低壓輸出的電壓和電流有很大輻度的改變，本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器，低壓繞組數(shù)比已有技術(shù)的變壓器翻了一倍，輸出的電壓和電流組數(shù)多，輸出的電壓、電流、阻抗各不相同，可滿足多晶硅還原爐的上述特殊要求；
[0015]2.本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器增加了變壓器低壓的輸出電壓、電流、阻抗組數(shù)，使每臺變壓器設備可以同時帶兩個不同電壓和電流及阻抗參數(shù)的負載(參數(shù)電壓、電流不同的兩臺還原爐)，一臺變壓器可以實現(xiàn)兩臺變壓器才能實現(xiàn)的功能，提高了運行性能的可靠性和穩(wěn)定性；
[0016]3.本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器，其高壓繞組Lll和高壓繞組L12，低壓繞組L21和低壓繞組L22共用一個鐵芯，共用一個無勵磁調(diào)壓開關(guān)，節(jié)約成本；
[0017]4.由于本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器可以帶上兩個負載，減少了變壓器的用量，降低了制造成本，減少了投資及占用空間。
[0018]下面，結(jié)合附圖和實施例對本實用新型之一種多晶硅還原爐用變流變壓器的技術(shù)特征作進一步的說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一種多晶硅還原爐用變流變壓器接線電氣原理結(jié)構(gòu)圖；
[0020]圖2為一種多晶硅還原爐用變流變壓器器身結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為一種多晶硅還原爐用變流變壓器低壓連接負載示意圖；
[0022]圖中:
[0023]3為無勵磁調(diào)壓開關(guān)，41、42為變流器，51、52為負載；
[0024]Lll和L12為兩個高壓繞組；
[0025]Llla、Lllb和為Lllc為高壓繞組Lll的三相繞組，
[0026]L12a、L12b和L12c為高壓繞組L12的三相繞組；
[0027]L21和L22為兩個低壓繞組；
[0028]L211、L212、L213、L214和L215為低壓繞組L21的5個串聯(lián)分接繞組，
[0029]01-1、01-2、01-3、01-4、01-5為低壓繞組1^21的5個串聯(lián)分接繞組的引出接頭；
[0030]L221、L222、L223、L224和L225為低壓繞組L22的5個串聯(lián)分接繞組，
[0031]02-1、02-2、02-3、02-4、02-5為低壓繞組1^22的5個串聯(lián)分接繞組的引出接頭。

【具體實施方式】
[0032]一種多晶硅還原爐用變流變壓器，包括高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組，
[0033]所述高壓側(cè)繞組軸向分裂成兩個繞組:高壓繞組Lll和高壓繞組L12，高壓繞組Lll和高壓繞組L12各相結(jié)構(gòu)相同，各相均軸向分裂成兩個繞組，即:A相分為Llla和L12a，B相分為Lllb和L12b，C相分為Lllc L12c ；
[0034]分裂后的高壓繞組Lll與高壓繞組L12并聯(lián)共用I個無勵磁調(diào)壓開關(guān)3，實現(xiàn)對高壓繞組Lll和高壓繞組L12同時調(diào)壓；
[0035]高壓繞組每相并聯(lián)后在變壓器內(nèi)部采用三角形接法；
[0036]所述低壓側(cè)繞組與分裂后的高壓側(cè)繞組對應，包括低壓繞組L21和低壓繞組L22，即:低壓繞組L21與高壓繞組Lll對應，低壓繞組L22與高壓繞組L12對應；
[0037]所述低壓繞組L21和低壓繞組L22之間絕緣，低壓繞組頭尾全部引出，每相獨立運行，沒有電氣上的聯(lián)系；
[0038]所述低壓繞組L21和低壓繞組L22結(jié)構(gòu)相同，包括5個串聯(lián)分接繞組，即:
[0039]低壓繞組L21包括5個串聯(lián)分接繞組:L211、L212、L213、L214和L215，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同；
[0040]低壓繞組L22包括5個串聯(lián)分接繞組:L221、L222、L223、L224和L225，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同。
[0041]所述高壓繞組Lll和高壓繞組L12，低壓繞組L21和低壓繞組L22共用一個鐵芯。
[0042]所述低壓繞組L21和低壓繞組L22或同時帶上不同的負載同時運行，或低壓繞組L21帶負載而低壓繞組L22空載，或者低壓繞組L22帶負載而低壓繞組L21空載。
[0043]以上為本實用新型較佳的實施例之一。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶硅還原爐用變流變壓器，包括高壓側(cè)繞組和低壓側(cè)繞組，其特征在于: 所述高壓側(cè)繞組軸向分裂成兩個繞組:高壓繞組L11和高壓繞組L12，高壓繞組L11和高壓繞組L12各相結(jié)構(gòu)相同，各相均軸向分裂成兩個繞組，S卩:A相分為Lila和L12a 3相分為Lllb和L12b，C相分為Lllc L12c ;分裂后的高壓繞組L11與高壓繞組L12并聯(lián)共用1個無勵磁調(diào)壓開關(guān)(3)、實現(xiàn)對高壓繞組L11和高壓繞組L12同時調(diào)壓；高壓繞組每相并聯(lián)后在變壓器內(nèi)部采用三角形接法； 所述低壓側(cè)繞組與分裂后的高壓側(cè)繞組對應，包括低壓繞組L21和低壓繞組L22，即:低壓繞組L21與高壓繞組L11對應，低壓繞組L22與高壓繞組L12對應；所述低壓繞組L21和低壓繞組L22之間絕緣，低壓繞組頭尾全部引出，每相獨立運行，沒有電氣上的聯(lián)系；所述低壓繞組L21和低壓繞組L22結(jié)構(gòu)相同，包括5個串聯(lián)分接繞組，即: 低壓繞組L21包括5個串聯(lián)分接繞組:L211、L212、L213、L214和L215，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同； 低壓繞組L22包括5個串聯(lián)分接繞組:L221、L222、L223、L224和L225，每個分接繞組獨立單相運行，其輸出的單相電壓、電流、阻抗各不相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原爐用變流變壓器，其特征在于:所述高壓繞組L11和高壓繞組L12，低壓繞組L21和低壓繞組L22共用一個鐵芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶硅還原爐用變流變壓器，其特征在于:所述低壓繞組L21和低壓繞組L22或同時帶上不同的負載同時運行，或低壓繞組L21帶負載而低壓繞組L22空載，或者低壓繞組L22帶負載而低壓繞組L21空載。
【文檔編號】H01F27/28GK204257379SQ201420777091
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月10日
【發(fā)明者】范韋波 申請人:廣西柳州特種變壓器有限責任公司