電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電容結(jié)構(gòu)及堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其中電容結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個(gè)第一凹陷；第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型可以使電容結(jié)構(gòu)及堆疊型電容結(jié)構(gòu)具有較高的集成度以及較高的電容量。
【專利說明】電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體組件以及堆疊型半導(dǎo)體組件，尤其涉及一種電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步,半導(dǎo)體組件的應(yīng)用越來越廣，在計(jì)算機(jī)、通訊(Communicat1n)與消費(fèi)性電子(Consumer Electronics)產(chǎn)品領(lǐng)域,都需要大量使用具有不同功能的半導(dǎo)體組件。在上述的半導(dǎo)體組件中，電容是一個(gè)基本且重要的組件。在電路上來說，為了使負(fù)載的電壓穩(wěn)定，會(huì)在靠近負(fù)載的地方配置一個(gè)電容用來穩(wěn)壓。因此，對(duì)集成電路上的電路模塊來說，最理想的偏壓方式是在連接工作電壓端及接地端配置電容器。
[0003]然而，隨著半導(dǎo)體組件集成度(integrat1n)的增加，組件的尺寸逐漸縮小，可供電容極板使用的芯片面積因而被迫縮減。換言之，隨著芯片尺寸的縮小，已逐漸無法使用較大面積的電容極板，電容器的儲(chǔ)存電容值也因此相對(duì)減少。如此一來，此電容值的減少可能造成儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。因此，如何在現(xiàn)行的集成電路制程中提出一種具有高集成度且高電容量的電容結(jié)構(gòu)，以提升電容器性能，成為目前集成電路設(shè)計(jì)中的首要課題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu)集成度不高，電容量較低的技術(shù)問題，使其具有較高的集成度以及較高的電容量。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的一種一種電容結(jié)構(gòu)，包括:
[0006]導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個(gè)第一凹陷；
[0007]第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及
[0008]第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
[0009]作為本實(shí)用新型上述電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一凹陷的數(shù)量為兩個(gè)以上。
[0010]作為本實(shí)用新型上述電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電容結(jié)構(gòu)還包括:
[0011]第二介電層，其中所述導(dǎo)電基板還包括與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個(gè)第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及
[0012]第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
[0013]作為本實(shí)用新型上述電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上與所述第二凹陷對(duì)齊。
[0014]作為本實(shí)用新型上述電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上不與所述第二凹陷對(duì)齊。
[0015]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的一種堆疊型電容結(jié)構(gòu)，包括至少兩個(gè)如前所述的電容結(jié)構(gòu)，其中這些電容結(jié)構(gòu)堆疊設(shè)置，而這些電容結(jié)構(gòu)彼此并聯(lián)，且任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)之間存在至少一個(gè)孔隙。
[0016]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，在沿著各所述導(dǎo)電基板的縱向方向上，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上介于0.1公分至1.5公分之間。
[0017]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，在沿著各所述導(dǎo)電基板的橫向方向上，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的寬度實(shí)質(zhì)上介于0.1公分至1.5公分之間。
[0018]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，各所述電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板及第一金屬層分別電性連接至所述第一連接件及所述第二連接件。
[0019]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，其中任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板分別電性連接至所述第一連接件以及所述第二連接件。
[0020]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，至少部分所述電容結(jié)構(gòu)各自還包括:
[0021]第二介電層，其中所述導(dǎo)電基板還包括與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個(gè)第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及
[0022]第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
[0023]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，具有所述第二凹陷的電容結(jié)構(gòu)的所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上與所述第二凹陷對(duì)齊。
[0024]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，具有所述第二凹陷的電容結(jié)構(gòu)的所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上不與所述第二凹陷對(duì)齊。
[0025]作為本實(shí)用新型上述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，所述導(dǎo)電基板的其中之一電性連接至所述第一連接件，其對(duì)應(yīng)的第一金屬層和/或第二金屬層電性連接至所述第二連接件。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板與金屬層各具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷，因此能提供較大的表面積，進(jìn)而可產(chǎn)生較大的電容值。此外，由于電容結(jié)構(gòu)的單位電容值提高，電容結(jié)構(gòu)的體積可隨之減少。因此，本實(shí)用新型的電容結(jié)構(gòu)不僅能提供較高的電容值也具有較高的集成度。除此之外，本實(shí)用新型還通過并聯(lián)至少兩個(gè)具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷的電容結(jié)構(gòu)來形成一個(gè)堆疊型電容結(jié)構(gòu)，以使各電容結(jié)構(gòu)的電容值彼此相加，因而可進(jìn)一步增加此堆疊型電容結(jié)構(gòu)的集成度及電容值，提升堆疊型電容結(jié)構(gòu)的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的一種電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0028]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的一種電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0029]圖3至圖8為本實(shí)用新型不同實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0031]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的一種電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，在本實(shí)施例中，電容結(jié)構(gòu)100包括導(dǎo)電基板110、第一介電層120以及第一金屬層130。導(dǎo)電基板110包括第一表面112以及位于第一表面112上的至少一個(gè)第一凹陷114。在本實(shí)施例中，第一凹陷114的數(shù)量可為兩個(gè)以上，且第一凹陷114的凹陷開口面積不小于其凹陷底部面積，此外，其凹陷外形可為金字塔形、錐形或?yàn)闇喜蹱?。第一介電?20覆蓋第一表面112以及第一凹陷114。第一金屬層130覆蓋第一介電層120,其中，第一介電層120與第一金屬層130如圖1所示具有與第一凹陷114相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。也就是說，第一介電層120與第一金屬層130分別共形(conformal)地覆蓋導(dǎo)電基板110。導(dǎo)電基板110的材料可包括金屬材料或半導(dǎo)體材料，如硅或碳化硅，也可為氮化砷、氮化磷、氮化鎵等三五族απ-v族)或二六族(I1-V I族)化合物半導(dǎo)體，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電基板110為低電阻的硅基板，當(dāng)然，本實(shí)施例并不以此為限。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)電基板110可還包括至少一個(gè)導(dǎo)電層，其共形地覆蓋第一表面112以及第一凹陷114，使第一介電層120位于導(dǎo)電層與對(duì)應(yīng)的第一金屬層130之間。如此配置，本實(shí)施例的導(dǎo)電基板110可通過其第二導(dǎo)電層190導(dǎo)電而與第一金屬層130產(chǎn)生電容,導(dǎo)電基板110因而無須為成本較為昂貴的低電阻的娃基板或金屬基板,而可為一般的硅基板或其他適當(dāng)基材，進(jìn)一步降低其制造成本。
[0032]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的一種電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。在此必須說明的是，本實(shí)施例的電容結(jié)構(gòu)10a與圖1的電容結(jié)構(gòu)100相似，因此本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的部分組件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的組件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，本實(shí)施例不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D2,本實(shí)施例的電容結(jié)構(gòu)10a還包括第二介電層140以及第二金屬層150。導(dǎo)電基板110還包括與第一表面112相對(duì)的第二表面116以及位于第二表面116上的至少一個(gè)第二凹陷118。第二介電層140覆蓋第二表面116以及第二凹陷118，第二金屬層150則覆蓋第二介電層140，其中，第二介電層140與第二金屬層150如圖2所示具有與第二凹陷118相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。也就是說，第二介電層140與第二金屬層150分別共形(conformal)地覆蓋導(dǎo)電基板110。
[0033]在本實(shí)施例中，第二凹陷118的凹陷開口面積不小于其凹陷底部面積，且第一凹陷114實(shí)質(zhì)上與第二凹陷118對(duì)齊。此外，第二凹陷118的凹陷外形可為金字塔形、錐形或?yàn)闇喜蹱?。具體而言，各第一凹陷114實(shí)質(zhì)上在沿著導(dǎo)電基板110的厚度方向Dl上與第二凹陷118的其中之一對(duì)齊。當(dāng)然，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，第一凹陷114也可實(shí)質(zhì)上不與第二凹陷118對(duì)齊。也就是說，第一凹陷114與第二凹陷118可彼此呈交錯(cuò)排列。第二凹陷118的數(shù)量可等同于第一凹陷114的數(shù)量，也可不同于第一凹陷114的數(shù)量。本實(shí)用新型并不對(duì)第一凹陷114及第二凹陷118的數(shù)量和排列方式做限制，設(shè)計(jì)者可依實(shí)際產(chǎn)品需求自行對(duì)其做些許的調(diào)整及更動(dòng)。
[0034]如此配置，由于電容結(jié)構(gòu)100、100a的導(dǎo)電基板110與金屬層130、150具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷，因而具有較大的表面積，進(jìn)而可產(chǎn)生較大的電容值。甚至由于電容結(jié)構(gòu)100、100a的單位電容值提高，電容結(jié)構(gòu)100、100a的體積可因此而減少，進(jìn)而可減少電容結(jié)構(gòu)100、10a所占用的芯片面積。
[0035]圖3至圖8為本實(shí)用新型不同實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D3，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)10包括至少兩個(gè)如圖1所示的電容結(jié)構(gòu)100。電容結(jié)構(gòu)100堆疊設(shè)置，且電容結(jié)構(gòu)100彼此并聯(lián)，其中，任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)100之間存在至少一個(gè)由電容結(jié)構(gòu)100上的凹陷與其相鄰結(jié)構(gòu)如另一電容結(jié)構(gòu)或連接件等所共同包圍形成的孔隙Cl (cavity)，即孔隙Cl的數(shù)量相當(dāng)于第一凹陷114的數(shù)量。如此，通過并聯(lián)各電容結(jié)構(gòu)100，此堆疊型電容結(jié)構(gòu)10的電容值實(shí)質(zhì)上即為各電容結(jié)構(gòu)100的電容值的總和。因此，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)10具有更高的集成度且能提供更高的電容值。
[0036]在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)10還包括第一連接件160以及第二連接件170，且各電容結(jié)構(gòu)100的導(dǎo)電基板110及第一金屬層130分別電性連接至第一連接件160及第二連接件170。第一連接件160以及第二連接件170的材料可包括金屬或半導(dǎo)體。更具體地說，任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)100的導(dǎo)電基板110分別電性連接至第一連接件160以及第二連接件170，而各電容結(jié)構(gòu)100的導(dǎo)電基板110及第一金屬層130分別電性連接至不同的連接件160、170，以形成如圖3所示的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本實(shí)施例僅用來舉例說明，本實(shí)用新型并不限定堆疊型電容結(jié)構(gòu)10的電容結(jié)構(gòu)數(shù)量及并聯(lián)方式，只要堆疊型電容結(jié)構(gòu)的電容結(jié)構(gòu)彼此并聯(lián)，而使各電容結(jié)構(gòu)的電容值相加，此堆疊型電容結(jié)構(gòu)即為本實(shí)用新型所要保護(hù)的范圍。
[0037]除此之外，在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)10還包括多個(gè)第一導(dǎo)電層180，其中，第一導(dǎo)電層180分別設(shè)置于與各導(dǎo)電基板110的第一金屬層130接觸的表面上,舉例來說，第一導(dǎo)電層180可如圖3所示分別設(shè)置于與各第一金屬層130接觸的第二連接件170以及與各第一金屬層130接觸的導(dǎo)電基板110的表面上，以使各第一金屬層130與對(duì)應(yīng)的第二連接件170及導(dǎo)電基板110接合并形成電性連接。
[0038]圖4為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的一種堆疊型電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a包括至少兩個(gè)如圖2所示的電容結(jié)構(gòu)100a，其中，電容結(jié)構(gòu)10a堆疊設(shè)置且彼此并聯(lián)。各電容結(jié)構(gòu)10a如前所述包括第二介電層140及第二金屬層150，導(dǎo)電基板110則包括位于第二表面116上的至少一個(gè)第二凹陷118。第二介電層140覆蓋第二表面116及第二凹陷118,而第二金屬層150則覆蓋第二介電層140。第二介電層140與第二金屬層150具有與第二凹陷118相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)，使任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)100之間存在至少一個(gè)孔隙。如此,通過并聯(lián)上述的各電容結(jié)構(gòu)100a，使各電容結(jié)構(gòu)10a的電容值相加，此堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a因而可具有更高的電容值。
[0039]在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a還包括第一連接件160以及第二連接件170。導(dǎo)電基板110的其中之一電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130及第二金屬層150則電性連接至第二連接件170。更具體來說，導(dǎo)電基板110可例如都電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130及第二金屬層150則都電性連接至第二連接件170，以形成如圖4所示的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本實(shí)施例僅用以舉例說明，本實(shí)用新型并不限定堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a的電容結(jié)構(gòu)數(shù)量及并聯(lián)方式。
[0040]除此之外，在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a還可包括多個(gè)第一導(dǎo)電層180，其中，第一導(dǎo)電層180分別設(shè)置于與各導(dǎo)電基板110的第一金屬層130及第二金屬層150接觸的表面上。舉例來說，第一導(dǎo)電層180可如圖4所示分別設(shè)置于與各第一金屬層130及各第二金屬層150接觸的第二連接件170的表面上，以使各第一金屬層130及各第二金屬層150分別與對(duì)應(yīng)的第二連接件170接合并形成電性連接。
[0041]圖5為本實(shí)用新型另一實(shí)施例的一種堆疊型電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b包括至少兩個(gè)堆疊設(shè)置且彼此并聯(lián)的電容結(jié)構(gòu)，其中，至少部分的電容結(jié)構(gòu)為如圖2所示的電容結(jié)構(gòu)100a。也就是說，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b所包括的電容結(jié)構(gòu)中，至少部分的電容結(jié)構(gòu)還包括第二介電層140及第二金屬層150，導(dǎo)電基板110則還包括位于第二表面116上的至少一個(gè)第二凹陷118。第二介電層140覆蓋第二表面116及第二凹陷118，而第二金屬層150則覆蓋第二介電層140。第二介電層140與第二金屬層150具有與第二凹陷118相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。簡(jiǎn)單來講，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b可由至少一個(gè)電容結(jié)構(gòu)100以及至少一個(gè)電容結(jié)構(gòu)10a堆疊設(shè)置且彼此并聯(lián)而成。
[0042]在本實(shí)施例中，具有第二凹陷118的電容結(jié)構(gòu)IlOa的第一凹陷114實(shí)質(zhì)上與第二凹陷118對(duì)齊。當(dāng)然，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，具有第二凹陷118的電容結(jié)構(gòu)IlOa的第一凹陷114也可實(shí)質(zhì)上不與第二凹陷118對(duì)齊。也就是說，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b的各電容結(jié)構(gòu)IlOa的第一凹陷114與第二凹陷118彼此可呈交錯(cuò)排列，且第二凹陷118的數(shù)量可等同于第一凹陷114的數(shù)量，也可不同于第一凹陷114的數(shù)量。
[0043]在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b還可包括第一連接件160以及第二連接件170，其中，導(dǎo)電基板110的其中之一電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130和/或第二金屬層150則電性連接至第二連接件170。更具體地講，導(dǎo)電基板110可例如都電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130和/或第二金屬層150則都電性連接至第二連接件170，以形成如圖5所示的并聯(lián)結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本實(shí)施例僅用以舉例說明，本實(shí)用新型并不限定堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b的電容結(jié)構(gòu)數(shù)量及并聯(lián)方式。
[0044]除此之外，在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b還可包括多個(gè)第一導(dǎo)電層180，其中，第一導(dǎo)電層180分別設(shè)置于與各導(dǎo)電基板110的第一金屬層130及第二金屬層150接觸的表面上。舉例而言，第一導(dǎo)電層180可如圖5所示分別設(shè)置于與各第一金屬層130及各第二金屬層150接觸的第二連接件170的表面上，以使各第一金屬層130及各第二金屬層150分別與對(duì)應(yīng)的第二連接件170接合并形成電性連接。如此，通過并聯(lián)電容結(jié)構(gòu)100、100a，可使各電容結(jié)構(gòu)10UOOa的電容值彼此相加，此堆疊型電容結(jié)構(gòu)1b因而可具有更高的集成度及更高的電容值。
[0045]圖6至圖8為本實(shí)用新型不同實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6至圖8的實(shí)施例沿用前述圖3至圖5的實(shí)施例的組件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的組件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。
[0046]請(qǐng)先參照?qǐng)D6，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1c與圖3的堆疊型電容結(jié)構(gòu)10相似，其中二者主要差異之處在于:在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1c的各導(dǎo)電基板110還包括至少一個(gè)第二導(dǎo)電層190。在本實(shí)施例中，各導(dǎo)電基板110具有第二導(dǎo)電層190,其共形地覆蓋各導(dǎo)電基板110的第一表面112以及第一凹陷114,并位于各導(dǎo)電基板110與對(duì)應(yīng)的第一介電層120之間，而各導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190及第一金屬層130分別電性連接至第一連接件160及第二連接件170。如此配置，本實(shí)施例的導(dǎo)電基板110可通過其第二導(dǎo)電層190電性連接至對(duì)應(yīng)的連接件160/170而與第一金屬層130產(chǎn)生電容。因此，導(dǎo)電基板110無須為成本較為昂貴的低電阻的硅基板或金屬基板，而可為一般的硅基板或其他適當(dāng)基材，進(jìn)一步降低其制造成本。
[0047]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D7，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1d與圖4的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1a相似，其中二者主要差異之處在于:在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1d的各導(dǎo)電基板110還包括至少一個(gè)第二導(dǎo)電層190。在本實(shí)施例中,各導(dǎo)電基板110具有兩個(gè)第二導(dǎo)電層190,其分別共形地覆蓋其導(dǎo)電基板110的第一表面112與第二表面116及其對(duì)應(yīng)的第一凹陷114與第二凹陷118。并且,第二導(dǎo)電層190分別位于各導(dǎo)電基板110與對(duì)應(yīng)的介電層120、140之間，而導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190與其對(duì)應(yīng)的金屬層130、150分別連接至不同的連接件。舉例而言，如圖7所示，導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130及第二金屬層150則電性連接至第二連接件170。如此配置，本實(shí)施例的各導(dǎo)電基板110可通過其第二導(dǎo)電層190電性連接至對(duì)應(yīng)的連接件160/170而分別與其對(duì)應(yīng)的金屬層130、150產(chǎn)生電容。因此，導(dǎo)電基板110無須為成本較為昂貴的低電阻硅基板或金屬基板，而可為一般的硅基板或其他適當(dāng)基材，進(jìn)一步降低其制造成本。
[0048]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D8，本實(shí)施例的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1e與圖5的堆疊型電容結(jié)構(gòu)1e相似，其中二者主要差異之處在于:在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)1e的各導(dǎo)電基板110還包括至少一個(gè)第二導(dǎo)電層190。在本實(shí)施例中，各導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190分別共形地覆蓋具有第一凹陷114和/或第二凹陷118的第一表面112和/或第二表面116。并且，第二導(dǎo)電層190分別位于各導(dǎo)電基板110與對(duì)應(yīng)的介電層120、140之間，而導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190與其對(duì)應(yīng)的金屬層130、150分別連接至不同的連接件。舉例而言，如圖7所示，導(dǎo)電基板110的第二導(dǎo)電層190電性連接至第一連接件160，而其對(duì)應(yīng)的第一金屬層130及第二金屬層150則電性連接至第二連接件170。如此配置，本實(shí)施例的各導(dǎo)電基板110可通過其第二導(dǎo)電層190電性連接至對(duì)應(yīng)的連接件160/170而分別與其對(duì)應(yīng)的金屬層130、150產(chǎn)生電容。因此，導(dǎo)電基板110無須為成本較為昂貴的低電阻硅基板或金屬基板，而可為一般的硅基板或其他適當(dāng)基材，進(jìn)一步降低其制造成本。
[0049]如此，通過并聯(lián)電容結(jié)構(gòu)100、100a，可使各電容結(jié)構(gòu)100、100a的電容值彼此相力口，堆疊型電容結(jié)構(gòu)10、10a、10b、10c、10d、10e因而可具有更高的集成度及更高的電容值。并且，由于堆疊型電容結(jié)構(gòu)10、10a、10b、10c、1cUlOe的導(dǎo)電基板110與金屬層130、150各具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷，表面積因而增加，進(jìn)而可產(chǎn)生較大的電容值。甚至由于堆疊型電容結(jié)構(gòu)10、10a、10b、10c、10d、10e的電容值提高，堆疊型電容結(jié)構(gòu)10、10a、10b、10c、1cU 1e的體積可因而減少。在本實(shí)施例中，堆疊型電容結(jié)構(gòu)10、10a、10b、10c、1cUlOe在沿著各導(dǎo)電基板110的縱向方向以及橫向方向上的長(zhǎng)度皆約介于0.1公分至1.5公分之間。
[0050]綜上所述，本實(shí)用新型的電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板與金屬層各具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷，因此能提供較大的表面積，進(jìn)而可產(chǎn)生較大的電容值。此外，由于電容結(jié)構(gòu)的單位電容值提高，電容結(jié)構(gòu)的體積可隨之減少。因此，本實(shí)用新型的電容結(jié)構(gòu)不僅能提供較高的電容值也具有較高的集成度。除此之外，本實(shí)用新型還通過并聯(lián)至少兩個(gè)具有多個(gè)相應(yīng)的凹陷的電容結(jié)構(gòu)來形成一個(gè)堆疊型電容結(jié)構(gòu)，以使各電容結(jié)構(gòu)的電容值彼此相加，因而可進(jìn)一步增加此堆疊型電容結(jié)構(gòu)的集成度及電容值，提升堆疊型電容結(jié)構(gòu)的性能。
[0051]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0052]上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對(duì)本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個(gè)第一凹陷； 第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及 第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹陷的數(shù)量為兩個(gè)以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容結(jié)構(gòu)還包括: 第二介電層，其中所述導(dǎo)電基板還包括與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個(gè)第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及 第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上與所述第二凹陷對(duì)齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上不與所述第二凹陷對(duì)齊。
6.—種堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括至少兩個(gè)權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)，其中這些電容結(jié)構(gòu)堆疊設(shè)置，而這些電容結(jié)構(gòu)彼此并聯(lián)，且任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)之間存在至少一個(gè)孔隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿著各所述導(dǎo)電基板的縱向方向上，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上介于0.1公分至1.5公分之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿著各所述導(dǎo)電基板的橫向方向上，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)的寬度實(shí)質(zhì)上介于0.1公分至1.5公分之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，各所述電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板及第一金屬層分別電性連接至所述第一連接件及所述第二連接件。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，其中任兩個(gè)相鄰的電容結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電基板分別電性連接至所述第一連接件以及所述第二連接件。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少部分所述電容結(jié)構(gòu)各自還包括: 第二介電層，其中所述導(dǎo)電基板還包括與所述第一表面相對(duì)的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個(gè)第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及 第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有所述第二凹陷的電容結(jié)構(gòu)的所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上與所述第二凹陷對(duì)齊。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有所述第二凹陷的電容結(jié)構(gòu)的所述第一凹陷實(shí)質(zhì)上不與所述第二凹陷對(duì)齊。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述堆疊型電容結(jié)構(gòu)還包括第一連接件以及第二連接件，所述導(dǎo)電基板的其中之一電性連接至所述第一連接件，其對(duì)應(yīng)的第一金屬層和/或第二金屬層電性連接至所述第二連接件。
【文檔編號(hào)】H01L23/64GK203950800SQ201420389662
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】黃知澍, 潘錫明, 鄭惟綱 申請(qǐng)人:璨圓光電股份有限公司