技術(shù)編號：7083424
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供一種電容結(jié)構(gòu)及堆疊型電容結(jié)構(gòu)，其中電容結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電基板，所述導(dǎo)電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個(gè)第一凹陷；第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應(yīng)的凹陷結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型可以使電容結(jié)構(gòu)及堆疊型電容結(jié)構(gòu)具有較高的集成度以及較高的電容量。專利說明電容結(jié)構(gòu)以及堆疊型電容結(jié)構(gòu) [0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體組件以及堆疊型半導(dǎo)體組件，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。