芯片封裝體的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種芯片封裝體，包括引線框架和芯片，所述芯片朝向引線框架一側(cè)具有金屬層，所述金屬層通過一合金層與引線框架連接，所述合金層的熔點低于所述金屬層的熔點。本實用新型的優(yōu)點在于，由于降低了工藝溫度，并在合金層的形成過程中潤濕金屬層表面，這樣形成的界面機(jī)械強(qiáng)度高，且成本低。故上述結(jié)構(gòu)可以提高生產(chǎn)力，降低成本。
【專利說明】芯片封裝體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝體。

【背景技術(shù)】
[0002]芯片形成封裝體通常是采用芯片背面的金屬層同引線框架結(jié)合，通過高溫焊接使兩者連接在一起。
[0003]但焊接所需溫度較高，可能會影響到芯片的電學(xué)性能。且焊接的成本較高。而對于多個芯片而言，高溫焊接條件下彼此的一致性也較難保證。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種芯片封裝體，可以降低封裝成本，提高封裝可靠性。
[0005]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種芯片封裝體，包括引線框架和芯片，所述芯片朝向引線框架一側(cè)具有金屬層，所述金屬層通過一合金層與引線框架連接，所述合金層的熔點低于所述金屬層的熔點。
[0006]可選的，所述引線框架上包括8個芯片。
[0007]本實用新型的優(yōu)點在于，由于降低了工藝溫度，并在合金層的形成過程中潤濕金屬層表面，這樣形成的界面機(jī)械強(qiáng)度高，且成本低。故上述結(jié)構(gòu)可以提高生產(chǎn)力，降低成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]附圖1所示是本實用新型【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的芯片封裝體的【具體實施方式】做詳細(xì)說明。
[0010]附圖1所示是本【具體實施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖，包括引線框架11和芯片12，所述芯片12朝向引線框架一側(cè)具有金屬層13，所述金屬層13通過一合金層14與引線框架11連接，所述合金層14的熔點低于所述金屬層13的熔點。
[0011]上述結(jié)構(gòu)是通過在引線框架11的表面涂敷能夠形成合金層14的材料，并將芯片12安放在能夠形成合金層14的材料表面，然后加溫形成合金層14。所述合金層14的熔點應(yīng)當(dāng)?shù)陀谒鼋饘賹?3的熔點。加溫的溫度設(shè)置在高于合金層14的熔點但是低于金屬層13的熔點，這樣可以在被金屬層13不熔化的條件下，能潤濕金屬層13表面，增加引線框架11和芯片12結(jié)合的緊密程度。在降溫之后，可以在接觸面處形成以合金層14為介質(zhì)的良好接觸。
[0012]進(jìn)一步地，在引線框架11的表面可以設(shè)置多個芯片12，例如對于S0P8-8L型芯片封裝體，需要在同一引線框架11上設(shè)置8個芯片12。由于芯片12和引線框架11之間是通過合金層14以低溫方式結(jié)合在一起的，因此成本較低，且工藝可重復(fù)性好。
[0013]總之，上述結(jié)構(gòu)由于降低了工藝溫度，并在合金層14的形成過程中潤濕金屬層13表面，這樣形成的界面機(jī)械強(qiáng)度高，且成本低。故上述結(jié)構(gòu)可以提高生產(chǎn)力，降低成本。
[0014]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片封裝體，包括引線框架和芯片，其特征在于，所述芯片朝向引線框架一側(cè)具有金屬層，所述金屬層通過一合金層與引線框架連接，所述合金層的熔點低于所述金屬層的熔點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝體，其特征在于，所述引線框架上包括8個芯片。
【文檔編號】H01L23/482GK204029793SQ201420339178
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】蔡曉雄 申請人:上海勝芯微電子有限公司