技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種基于CMOS圖像傳感器工藝的NP型單光子雪崩二極管(SPAD)，其基本結(jié)構(gòu)包括：P型硅襯底上方設(shè)有深N阱；P阱形成于深N阱上方；P阱周圍設(shè)有輕摻雜的保護(hù)環(huán)；N+區(qū)域形成于P阱上方并與保護(hù)環(huán)有一定的重疊；N+與P阱之間形成PN結(jié)，并通過N+和P+引出陰極電極和陽極電極；N+區(qū)域和保護(hù)環(huán)的上方設(shè)有重?fù)诫s的P型區(qū)域；保護(hù)環(huán)周圍設(shè)有P阱并通過P+引出襯底電極。本發(fā)明單光子雪崩二極管，通過在N+區(qū)域表面制作重?fù)诫s的P型區(qū)域，可以減小NP型SPAD器件的界面缺陷引起的暗計數(shù)；通過有效的版圖技術(shù)，可以減小STI中缺陷引起的暗計數(shù)；通過有效的保護(hù)環(huán)技術(shù)，可以防止SPAD器件發(fā)生邊緣擊穿；通過在電極之間加合適的偏置電壓，可以增強(qiáng)其在藍(lán)光波段的響應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：金湘亮;楊紅姣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘潭大學(xué)
文檔號碼：201410846149
技術(shù)研發(fā)日：2014.12.31
技術(shù)公布日：2017.09.12