技術(shù)編號(hào)：11411444
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于CMOS圖像傳感器工藝的NP型單光子雪崩二極管的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)單光子探測(cè)是一種極微弱光的探測(cè)方法，被廣泛應(yīng)用在天文學(xué)、生物化學(xué)和醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域中。由于單個(gè)光子的能量極低，用通常的檢測(cè)方法很難直接把這種微弱的信號(hào)提取出來。要想觀測(cè)到物質(zhì)吸收單個(gè)光子后所引起的變化，必須存在相關(guān)的放大機(jī)制。利用光電效應(yīng)原理，可以采用基于光電倍增管（PMT）和雪崩光電二極管的單光子探測(cè)器。早期的單光子探測(cè)采用光電倍增管的方法。PMT作為單光子探測(cè)器具有高增益、光敏面大和暗計(jì)數(shù)低的優(yōu)點(diǎn)，但是它需要工作在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。