一種顯示基板、其測試方法及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示基板、其測試方法及制備方法，顯示基板中第一測試端子與第一薄膜晶體管的柵極相連，第二測試端子分別與第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極相連，第三測試端子與第二薄膜晶體管的柵極相連，第四測試端子分別與第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連，對上述顯示基板進行測試時，顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后第一探針對第一測試端子和第三測試端子加載的柵極電壓信號相同；第二探針對第二測試端子和第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同。相較于現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的測試，本發(fā)明實施例提供的顯示基板無需改變探針的位置和加載的信號，就可以完成對顯示基板的測試，避免了顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題。
【專利說明】
一種顯示基板、其測試方法及制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種顯示基板、其測試方法及制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶顯示面板(LCD,Liquid Crystal Display)、電致發(fā)光(EL,electroluminescence)顯示面板以及電子紙等顯示裝置已為人所熟知。在這些顯示裝置中，用于實現(xiàn)顯示功能的顯示基板上具有控制各像素開關(guān)的薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)，薄膜晶體管作為各像素的開關(guān)控制數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號輸入到各像素中，以實現(xiàn)圖像顯示的功能。然而，在顯示基板的實際生產(chǎn)過程中，由于工程能力的不穩(wěn)定，生產(chǎn)出的不同顯示基板之間通常會有TFT特性差異，相同的顯示基板之間的不同區(qū)域也會有TFT特性差異，當(dāng)技術(shù)人員不知道是哪一工藝步驟出現(xiàn)問題時，就可以選取一批新的玻璃基板，分別在不同工藝步驟之前將玻璃基板旋轉(zhuǎn)，然后進行工藝制作，在制作完成后，分別對旋轉(zhuǎn)后的顯示基板進行TFT特性測試，將旋轉(zhuǎn)前與旋轉(zhuǎn)后的TFT特性測試參數(shù)進行比較，通過對比發(fā)現(xiàn)顯示基板制造工藝中工藝設(shè)備的問題，進而改善工藝制作，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0003]現(xiàn)有的TFT陣列基板制作工藝中，對TFT特性進行監(jiān)控測量的方式為在顯示基板的周邊區(qū)域制作與像素區(qū)域相同的TFT，TFT的柵極、源極和漏極分別與測試端子G、S、D相連，另外通常還設(shè)置有一個空置的測試端子E，如圖1a和Ib所示，其中在對TFT進行特性測試時，測試端子G通常加載-30V?30V的電壓信號，測試端子S加載15V恒定信號，測試端子D收集流過TFT的電流變化，空置的測試端子E不加載信號，測試設(shè)備的探針位置固定，分布于正方形的四個頂點的位置，相互間隔700um。在對TFT進行特性測量時，旋轉(zhuǎn)前利用測試設(shè)備中的探針向如圖1a中所示的測試端子G和測試端子S兩個端子加載信號，測試端子D將收集的電流信號通過探針傳遞給測試設(shè)備，測試設(shè)備收集測試數(shù)據(jù)；同理，顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后測試設(shè)備中的探針向如圖1b中所示的測試端子G和測試端子S兩個端子加載信號，測試端子D將收集的電流信號通過探針傳遞給測試設(shè)備，測試設(shè)備收集測試數(shù)據(jù)，技術(shù)人員對顯示基板旋轉(zhuǎn)前與旋轉(zhuǎn)后的測試數(shù)據(jù)進行比較，找出工藝設(shè)備的問題，從而改善制作工藝，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0004]然而，上述測試過程中，顯示基板旋轉(zhuǎn)前與旋轉(zhuǎn)后分別如圖1a和Ib所示，由于TFT隨著顯示基板的旋轉(zhuǎn)也發(fā)生了旋轉(zhuǎn)，其測試端子也相應(yīng)發(fā)生了旋轉(zhuǎn)，而測試設(shè)備的四個探針位置是固定的，因此在對TFT旋轉(zhuǎn)前和旋轉(zhuǎn)后的測試中，需要更改測試探針的位置以及加載的信號，才能實現(xiàn)正常的TFT特性測試，這樣測試使得測試工作比較繁瑣、耗時。
[0005]因此，如何簡化顯示基板的測試程序，從而提高顯示基板的測試效率，進而可以快速發(fā)現(xiàn)顯示基板制作工藝中的問題，改善工藝制作過程，提升產(chǎn)品品質(zhì)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板、其測試方法及制備方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的顯示基板的測試工作比較繁瑣、耗時的問題。
[0007]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板，具有至少一個測試區(qū)，在所述測試區(qū)內(nèi)包括:大小和極性相同的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管、第一測試端子、第二測試端子、第三測試端子和第四測試端子；其中，
[0008]所述第一測試端子與所述第一薄膜晶體管的柵極相連，所述第二測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極相連，所述第三測試端子與所述第二薄膜晶體管的柵極相連，所述第四測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連。
[0009]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，所述測試區(qū)的形狀為矩形；
[0010]所述第一測試端子和第三測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點，所述第二測試端子和第四測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點。
[0011]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置；所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置；所述第一薄膜晶體管的源漏電極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極同層設(shè)置。
[0012]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一測試端子和所述第三測試端子同層設(shè)置。
[0013]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的源漏電極與所述第二測試端子和所述第四測試端子同層設(shè)置。
[0014]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，所述顯示基板還具有顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括多個用于顯示的薄膜晶體管:
[0015]所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置；所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的有源層與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置；所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源漏電極與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的源漏電極同層設(shè)置。
[0016]本發(fā)明實施例提供了一種上述顯示基板的測試方法，包括:
[0017]采用第一探針對第一測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第二測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第四測試端子采集第一薄膜晶體管的漏極電流信號；
[0018]將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度；
[0019]采用第一探針對第三測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第四測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第二測試端子采集第二薄膜晶體管的漏極電流信號；
[0020]將第四探針采集到第一薄膜晶體管的漏極電流信號和第二薄膜晶體管的漏極電流信號進行對比，確定顯示基板是否存在制作工藝缺陷。
[0021]在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板的測試方法中，采用第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與采用第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同；
[0022]采用第二探針對第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號與采用第二探針對第二測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同。
[0023]本發(fā)明實施例提供了一種上述顯示基板的制備方法，包括:
[0024]在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子的圖形；
[0025]通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的柵極上形成第一薄膜晶體管的有源層的圖形，在第二薄膜晶體管的柵極上形成第二薄膜晶體管的有源層的圖形；
[0026]通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的有源層上形成第一薄膜晶體管的源漏極的圖形，在第二薄膜晶體管的有源層上形成第二薄膜晶體管的源漏極的圖形，以及第二測試端子和第四測試端子的圖形。
[0027]本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0028]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板、其測試方法及制備方法，該顯示基板中第一測試端子與第一薄膜晶體管的柵極相連，第二測試端子分別與第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極相連，第三測試端子與第二薄膜晶體管的柵極相連，第四測試端子分別與第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連，對上述顯示基板進行測試時，將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同；將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第二探針對第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第二探針對第二測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同。相較于現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板旋轉(zhuǎn)后需要改變探針的位置以及加載的信號以完成測試，本發(fā)明實施例提供的顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后不需要改變探針的位置和加載的信號，就可以完成對顯示基板旋轉(zhuǎn)后的測試，避免了顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題，從而提高了顯示基板的測試效率，進而可以快速發(fā)現(xiàn)顯示基板制作工藝中的問題，改善工藝制作過程，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1a和Ib分別為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后薄膜晶體管的測試示意圖；
[0030]圖2a和2b分別為本發(fā)明實施例提供的顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的測試示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實施例提供的顯示基板的測試方法流程圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實施例提供的顯示基板的制備方法流程圖。

【具體實施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的顯示基板、其測試方法及制備方法的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0034]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板，具有至少一個測試區(qū)，如圖2a和2b所示，在測試區(qū)內(nèi)包括:大小和極性相同的第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2、第一測試端子D1、第二測試端子D2、第三測試端子D3和第四測試端子D4 ;其中，
[0035]第一測試端子Dl與第一薄膜晶體管Tl的柵極相連，第二測試端子D2分別與第一薄膜晶體管Tl的源極和第二薄膜晶體管T2的漏極相連，第三測試端子D3與第二薄膜晶體管T2的柵極相連，第四測試端子D4分別與第一薄膜晶體管Tl的漏極和第二薄膜晶體管Τ2的源極相連。
[0036]本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管Τ2的結(jié)構(gòu)、尺寸大小完全一致，極性也相同，即第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管Τ2可以同時為P型晶體管，也可以同時為N型晶體管，在此不作限定。在對上述顯示基板進行測試時，如圖2a所示，可以采用第一探針向第一測試端子Dl加載柵極電壓信號，采用第二探針向第二測試端子D2加載數(shù)據(jù)信號，對第一薄膜晶體管Tl進行特性測試；如圖2b所示，將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后，采用第一探針向第三測試端子D3加載柵極電壓信號，采用第二探針向第四測試端子D2加載數(shù)據(jù)信號，對第二薄膜晶體管T2進行特性測試，對本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板進行上述測試時，將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第一探針對第三測試端子D3加載的柵極電壓信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第一探針對第一測試端子Dl加載的柵極電壓信號相同；將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第二探針對第四測試端子D4加載的數(shù)據(jù)信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第二探針對第二測試端子D2加載的數(shù)據(jù)信號相同，相較于現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板旋轉(zhuǎn)后需要改變探針的位置以及加載的信號以完成測試，本發(fā)明實施例提供的顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后不需要改變探針的位置和加載的信號，就可以完成對顯示基板旋轉(zhuǎn)后的測試，避免了顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題，從而提高了顯示基板的測試效率，進而可以快速發(fā)現(xiàn)顯示基板制作工藝中的問題，改善工藝制作過程，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0037]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，如圖2a和2b所示，測試區(qū)的形狀可以為矩形；第一測試端子Dl和第三測試端子D3分別位于矩形中呈對角的兩個頂點，第二測試端子D2和第四測試端子D4分別位于矩形中呈對角的兩個頂點。
[0038]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，采用上述排布方式排布的第一測試端子D1、第二測試端子D2、第三測試端子D3和第四測試端子D4，在將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后，第一測試端子Dl與第三測試端子D2的位置相互交換，第二測試端子D2與第四測試端子D4的位置相互交換，這樣第一探針可以對第一測試端子Dl和第三測試端子D3加載相同的柵極電壓信號，第二探針可以對第二測試端子D2和第四測試端子D4加載相同的數(shù)據(jù)信號，從而實現(xiàn)顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后，不需要改變探針的位置和加載的信號，就可以完成對顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后的測試，避免了顯示基板測試過程中需要改變探針的位置以及加載的信號造成的測試過程繁瑣耗時的問題。
[0039]在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，第一薄膜晶體管Tl的柵極和第二薄膜晶體管T2的柵極同層設(shè)置；第一薄膜晶體管Tl的有源層和第二薄膜晶體管T2的有源層同層設(shè)置；第一薄膜晶體管Tl的源漏電極和第二薄膜晶體管T2的源漏電極同層設(shè)置。
[0040]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2的結(jié)構(gòu)和極性完全一致，即在顯示基板制作過程中，第一薄膜晶體管Tl與第二薄膜晶體管T2可以采用同樣的工藝參數(shù)制作，這樣可以節(jié)省工藝步驟，而且在對顯示基板進行測試時，對顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后，無需改變第一探針對第一測試端子Dl和第三測試端子D3加載的柵極電壓信號，以及第二探針對第二測試端子D2和第四測試端子D4加載的數(shù)據(jù)信號，就可以實現(xiàn)對第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的特性測試，簡化了顯示基板的測試程序，避免了由于需要改變探針的位置以及加載的信號造成顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題。
[0041]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，如圖2a和2b所示，第一測試端子Dl與第一薄膜晶體管Tl的柵極相連，第三測試端子D3與第二薄膜晶體管T2的柵極相連，因此，可以將第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的柵極與第一測試端子Dl和第三測試端子D3同層設(shè)置，這樣在顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后進行測試時，可以采用第一探針分別對第一測試端子Dl和第三測試端子D3加載相同的柵極電壓信號，以實現(xiàn)對第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的特性測試。
[0042]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，如圖2a和2b所示，第二測試端子D2分別與第一薄膜晶體管Tl的源極和第二薄膜晶體管T2的漏極相連，第四測試端子D4分別與第一薄膜晶體管Tl的漏極和第二薄膜晶體管T2的源極相連，因此，可以將第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的源漏電極與第二測試端子D2和第四測試端子D4同層設(shè)置，這樣在顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后進行測試時，可以采用第二探針分別對第二測試端子D2和第四測試端子D4加載相同的數(shù)據(jù)信號，以實現(xiàn)對第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的特性測試。
[0043]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，顯示基板還可以具有顯示區(qū)，顯示區(qū)包括多個用于顯示的薄膜晶體管:
[0044]測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的柵極與顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置；測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的有源層與顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置；測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的源漏電極與顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的源漏電極同層設(shè)置。
[0045]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板中，測試區(qū)內(nèi)的第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2與顯示區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和極性相同，即在顯示基板制作過程中可以采用相同的工藝參制作，這樣在對顯示基板測試區(qū)內(nèi)的第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2進行特性測試后，通過對比測試數(shù)據(jù)所得出的工藝設(shè)備存在的問題，可以得出顯示區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管同樣存在由于相同的工藝設(shè)備的問題所產(chǎn)生的問題，進而通過改善顯示基板的工藝制作過程，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0046]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供了一種上述顯示基板的測試方法，如圖3所示，可以具體包括以下步驟:
[0047]S101、采用第一探針對第一測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第二測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第四測試端子采集第一薄膜晶體管的漏極電流信號;
[0048]S102、將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度；
[0049]S103、采用第一探針對第三測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第四測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第二測試端子采集第二薄膜晶體管的漏極電流信號;
[0050]S104、將第四探針采集到第一薄膜晶體管的漏極電流信號和第二薄膜晶體管的漏極電流信號進行對比，確定顯示基板是否存在制作工藝缺陷。
[0051]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板的測試方法中，顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后，均采用第一探針加載相同的柵極電壓信號，第二探針加載相同的數(shù)據(jù)信號，第四探針分別采集第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的漏極電流信號，實現(xiàn)了顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后，無需改變探針的位置和加載的信號而完成對顯示基板的測試，簡化了顯示基板的測試程序，避免了由于需要改變探針的位置以及加載的信號造成顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題，最后通過對比第四探針采集到第一薄膜晶體管的漏極電流信號和第二薄膜晶體管的漏極電流信號，確定顯示基板是否存在制作工藝缺陷，當(dāng)發(fā)現(xiàn)顯示基板的制作過程存在的工藝缺陷后，就可以通過改善顯示基板的制作工藝，提高產(chǎn)品品質(zhì)。
[0052]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述顯示基板的測試方法中，由于第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的大小和極性相同，所以第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的柵極開啟電壓相同，源極加載的數(shù)據(jù)信號也相同，因此在對顯示基板進行測試時，采用第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與采用第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同；采用第二探針對第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號與采用第二探針對第二測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同，這樣在顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前后，探針無需改變加載的信號，就可以實現(xiàn)對第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的特性測試。
[0053]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供了一種上述顯示基板的制備方法，如圖4所示，可以具體包括以下步驟:
[0054]S201、在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子的圖形；
[0055]S202、通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的柵極上形成第一薄膜晶體管的有源層圖形，在第二薄膜晶體管的柵極上形成第二薄膜晶體管的有源層的圖形；
[0056]S203、通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的有源層上形成第一薄膜晶體管的源漏極圖形，在第二薄膜晶體管的有源層上形成第二薄膜晶體管的源漏極的圖形，以及第二測試端子和第四測試端子的圖形。
[0057]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的顯示基板可以具體采用如下制作過程進行制作，其制作過程可以具體包括:
[0058]1、在玻璃襯底基板上通過沉積柵極金屬形成柵極金屬層，通過光刻和濕法刻蝕形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子；
[0059]2、在形成有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子的襯底基板上沉積絕緣材料形成第一絕緣層；
[0060]3、在形成有第一絕緣層的襯底基板上沉積氧化物材料，并通過濕法刻蝕形成第一薄膜晶體管的有源層和第二薄膜晶體管的有源層；
[0061]4、在形成有第一薄膜晶體管的有源層和第二薄膜晶體管的有源層的襯底基板上沉積二氧化硅材料形成刻蝕保護層，并通過干法刻蝕將第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的有源層的溝道上方如圖2a和2b所示的黑色圓圈處，以及第一測試端子和第三測試端子處的刻蝕保護層刻蝕掉；
[0062]5、在完成上述工藝步驟的襯底基板上沉積源漏極金屬，通過濕法刻蝕形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源漏電極；
[0063]6、在形成有第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源漏電極的襯底基板上，沉積鈍化層材料形成鈍化層；
[0064]7、在形成有鈍化層的襯底基板上，通過光刻和干法刻蝕，在第一測試端子、第二測試端子、第三測試端子和第四測試端子上形成過孔。
[0065]具體地，采用上述顯示基板制備方法制備的顯示基板，在對顯示基板進行測試時，無需改變探針的位置以及加載的信號，就可以實現(xiàn)顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后的測試，相對于現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的測試，簡化了顯示基板的測試程序，避免了由于需要改變探針的位置以及加載的信號造成顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題。
[0066]本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板、其測試方法及制備方法，該顯示基板中第一測試端子與第一薄膜晶體管的柵極相連，第二測試端子分別與第一薄膜晶體管的源極和第二薄膜晶體管的漏極相連，第三測試端子與第二薄膜晶體管的柵極相連，第四測試端子分別與第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連，對上述顯示基板進行測試時，將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同；將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后第二探針對第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號與將顯示基板旋轉(zhuǎn)180度前第二探針對第二測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同。相較于現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板旋轉(zhuǎn)后需要改變探針的位置以及加載的信號以完成測試，本發(fā)明實施例提供的顯示基板旋轉(zhuǎn)180度后不需要改變探針的位置和加載的信號，就可以完成對顯示基板旋轉(zhuǎn)后的測試，避免了顯示基板測試過程繁瑣耗時的問題，從而提高了顯示基板的測試效率，進而可以快速發(fā)現(xiàn)顯示基板制作工藝中的問題，改善工藝制作過程，提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0067]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，具有至少一個測試區(qū)，其特征在于，在所述測試區(qū)內(nèi)包括:大小和極性相同的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管、第一測試端子、第二測試端子、第三測試端子和第四測試端子；其中， 所述第一測試端子與所述第一薄膜晶體管的柵極相連，所述第二測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極相連，所述第三測試端子與所述第二薄膜晶體管的柵極相連，所述第四測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述測試區(qū)的形狀為矩形； 所述第一測試端子和第三測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點，所述第二測試端子和第四測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置；所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置；所述第一薄膜晶體管的源漏電極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極同層設(shè)置。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一測試端子和所述第三測試端子同層設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的源漏電極與所述第二測試端子和所述第四測試端子同層設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還具有顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括多個用于顯示的薄膜晶體管: 所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置；所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的有源層與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置；所述測試區(qū)內(nèi)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源漏電極與所述顯示區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的源漏電極同層設(shè)置。
7.—種如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示基板的測試方法，其特征在于，包括: 采用第一探針對第一測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第二測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第四測試端子采集第一薄膜晶體管的漏極電流信號； 將顯不基板旋轉(zhuǎn)180度； 采用第一探針對第三測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第四測試端子加載數(shù)據(jù)信號，采用第四探針通過第二測試端子采集第二薄膜晶體管的漏極電流信號； 將第四探針采集到第一薄膜晶體管的漏極電流信號和第二薄膜晶體管的漏極電流信號進行對比，確定顯示基板是否存在制作工藝缺陷。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，采用第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與采用第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同； 采用第二探針對第四測試端子加載的數(shù)據(jù)信號與采用第二探針對第二測試端子加載的數(shù)據(jù)信號相同。
9.一種如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯不基板的制備方法,其特征在于,包括: 在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的柵極上形成第一薄膜晶體管的有源層的圖形，在第二薄膜晶體管的柵極上形成第二薄膜晶體管的有源層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝分別在第一薄膜晶體管的有源層上形成第一薄膜晶體管的源漏極的圖形，在第二薄膜晶體管的有源層上形成第二薄膜晶體管的源漏極的圖形，以及第二測試端子和第四測試端子的圖形。
【文檔編號】H01L21/66GK104362156SQ201410692290
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】蔡振飛, 陳健, 徐朝換, 陳正偉 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司