半導體芯片封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種半導體芯片封裝方法，包括以下步驟：提供一具有多層金屬箔的PPTC基板，其包括上表面及與上表面相背的下表面；剝離所述PPTC最外層的金屬箔；在所述PPTC基板的上表面及下表面覆蓋絕緣層；將所述覆蓋了絕緣層的PPTC基板切割成單個芯片；在所述單個芯片的側(cè)面覆蓋絕緣層；在所述單個芯片的上表面及下表面覆蓋防氧化層。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明通過剝離PPTC最外層的金屬箔，利用次外層金屬箔的爪狀結(jié)構與器件結(jié)合，有更好的抗剝離表現(xiàn)，另外，這種新工藝大大簡化了工藝流程，同樣實現(xiàn)了絕緣層包裹PPTC，降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】半導體芯片封裝方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體制造領域，尤其涉及一種半導體芯片封裝方法。
【背景技術】
[0002]近年來，在一個封裝基板上堆疊多個半導體元件的封裝逐漸成為主流?，F(xiàn)有的工藝為:提供一基板-在其上下表面及側(cè)面都覆蓋絕緣層-將銅壓合在位于基板上下表面的絕緣層上-鐳射打孔-蝕刻線路-覆蓋鎳/錫。然而，這樣的封裝工藝存在不足，例如，若在封裝階段的芯片具有較小的尺寸，則產(chǎn)品上的銅在后期的拉力測試中容易被剝落，其抗剝離能力差，而且工藝復雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種解決上述技術問題的半導體芯片封裝方法。
[0004]其中，本發(fā)明一實施方式的半導體芯片封裝方法，包括:
提供一具有多層金屬箔的PPTC基板,其包括上表面及與上表面相背的下表面；
剝離所述PPTC最外層的金屬箔；
形成覆蓋于PPTC基板的上表面及下表面的絕緣層；
將所述覆蓋了絕緣層的PPTC基板切割成單個芯片；
形成覆蓋于單個芯片側(cè)面的絕緣層；
形成覆蓋于單個芯片的上表面及下表面的防氧化層。
[0005]作為本發(fā)明的進一步改進，所述PPTC基板包括一本體，所述本體的上下表面依次覆蓋有第一金屬箔、第二金屬箔及第三金屬箔。
[0006]作為本發(fā)明的進一步改進,所述PPTC基板本體的材質(zhì)為碳和樹脂的復合材料。
[0007]作為本發(fā)明的進一步改進，所述第一金屬箔靠近所述本體設置，所述第三金屬箔遠離所述本體設置，所述第二金屬箔設于所述第一金屬箔和第三金屬箔之間。
[0008]作為本發(fā)明的進一步改進，第一金屬箔和第三金屬箔的材質(zhì)都為鎳，所述第二金屬箔的材質(zhì)為銅。
[0009]作為本發(fā)明的進一步改進，在“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆蓋絕緣層”步驟前包括:
蝕刻所述第二金屬箔及第三金屬箔。
[0010]作為本發(fā)明的進一步改進，所述“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆蓋絕緣層”步驟具體為:
通過絲網(wǎng)印刷將絕緣層覆蓋在所述PPTC基板的上表面及下表面。
[0011]作為本發(fā)明的進一步改進，所述絕緣層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。
[0012]作為本發(fā)明的進一步改進，所述防氧化層的材質(zhì)為鎳和錫。
[0013]作為本發(fā)明的進一步改進，所述“在所述單個芯片的上表面及下表面覆蓋防氧化層”步驟具體為: 通過滾鍍的方式將防氧化層覆蓋在所述單個芯片的上表面及下表面。
[0014]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明通過剝離？?扣最外層的金屬箔，利用次外層金屬箔的爪狀結(jié)構與器件結(jié)合，有更好的抗剝離表現(xiàn)，另外，這種新工藝大大簡化了工藝流程，同樣實現(xiàn)了絕緣層包裹？？扣，降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中芯片封裝結(jié)構的側(cè)視結(jié)構示意圖；
圖2是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中？？扣基板的側(cè)視結(jié)構示意圖；
圖3是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中剝離了 ？？扣基板最外層的金屬箔的側(cè)視結(jié)構示意圖；
圖4是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中蝕刻？？扣基板的第二金屬箔及第三金屬箔的側(cè)視結(jié)構不意圖；
圖5是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中在？？扣基板的上下表面不存在第二金屬箔及第三金屬箔存在的地方覆蓋上絕緣層的側(cè)視結(jié)構示意圖；
圖6是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中將？？扣基板切割成單個芯片并在其側(cè)面覆蓋絕緣層的側(cè)視結(jié)構示意圖；
圖7是本發(fā)明封裝結(jié)構一實施方式中封裝方法的步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0016]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0017]如圖1所示，在本發(fā)明一實施方式中，半導體芯片封裝結(jié)構包括？?扣基板10，該基板10包括上表面和與該上表面相背的下表面。
[0018]如圖2所示，該基板10包括一本體11，本體11的材質(zhì)為碳和樹脂的復合材料，在該本體11的上下表面分別覆蓋有多層金屬箔，優(yōu)選地，金屬箔分為第一金屬箔12，第二金屬箔13及第三金屬箔14共三層，每層金屬箔都具有一定的厚度。其中，第一金屬箔12緊貼本體11設置，第三金屬箔14遠離本體11設置，第二金屬箔13設置在第一金屬箔12和第三金屬箔14之間。第一金屬箔12和第三金屬箔14的材質(zhì)都為鎳，所述第二金屬箔13的材質(zhì)為銅。第一金屬箔12即金屬鎳層緊貼本體設置，在高倍電子顯微鏡下可以看到，金屬鎳本身具有爪狀結(jié)構，這種爪狀結(jié)構可以更好地與本體11結(jié)合，在后期半導體芯片上焊接其它器件(未圖示)后做拉力測試時，可以有更好的抗剝離表現(xiàn)，使器件不容易從芯片上脫離。
[0019]提供上述具有多層金屬箔的？?扣基板10，該？?扣基板10包括上表面和與該上表面相背的下表面。
[0020]如圖3所示，利用蝕刻的方法將位于？？扣基板10最外層的第三金屬箔14即金屬鎳層剝離，將第一金屬箔12和第二金屬箔13暴露出來。然后再經(jīng)過蝕刻去除部分第一金屬箔12和第二金屬箔13，在本體11上得到想要的圖案(參圖4所示兄
[0021]如圖5所示，在本體11的上下表面不存在第一金屬箔12和第二金屬箔13的地方覆蓋絕緣層20，優(yōu)選地，該絕緣層20的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂，采用絲網(wǎng)印刷的方式覆蓋在本體11的上下表面不存在第一金屬箔12和第二金屬箔13的地方。切割,形成單個的芯片。
[0022]如圖6所示，切割形成單個芯片后，PPTC基板10的側(cè)壁暴露出來，通過印刷的方式將絕緣層20覆蓋在PPTC基板10的四個側(cè)壁上，這樣，PPTC基板10的六個面上都覆蓋絕緣層20，使得PPTC基板10不暴露在空氣中。通過以上的簡化了的工藝流程，同樣實現(xiàn)了絕緣層包裹PPTC基板，使生產(chǎn)成本大大降低。
[0023]最后，如圖1所示，在本體11的上下表面存在第一金屬箔12和第二金屬箔13的地方覆蓋防氧化層30，優(yōu)選地，防氧化層30的材質(zhì)為金屬鎳和錫，具體地，采用滾鍍的方式先覆蓋一層金屬鎳，再覆蓋一層金屬錫，起到防止第一金屬箔12和第二金屬箔13被空氣中的氧所氧化。
[0024]應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施方式中的技術方案也可以經(jīng)適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
[0025]上文所列出的一系列的詳細說明僅僅是針對本發(fā)明的可行性實施方式的具體說明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實施方式或變更均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一具有多層金屬箔的PPTC基板,其包括上表面及與上表面相背的下表面； 剝離所述PPTC最外層的金屬箔； 形成覆蓋于PPTC基板的上表面及下表面的絕緣層； 將所述覆蓋了絕緣層的PPTC基板切割成單個芯片； 形成覆蓋于單個芯片側(cè)面的絕緣層； 形成覆蓋于單個芯片的上表面及下表面的防氧化層。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述PPTC基板包括一本體，所述本體的上下表面依次覆蓋有第一金屬箔、第二金屬箔及第三金屬箔。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述PPTC基板本體的材質(zhì)為碳和樹脂的復合材料。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述第一金屬箔靠近所述本體設置，所述第三金屬箔遠離所述本體設置，所述第二金屬箔設于所述第一金屬箔和第三金屬箔之間。
5.根據(jù)權利要求2所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，第一金屬箔和第三金屬箔的材質(zhì)都為鎳，所述第二金屬箔的材質(zhì)為銅。
6.根據(jù)權利要求2所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，在“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆蓋絕緣層”步驟前包括: 蝕刻所述第二金屬箔及第三金屬箔。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述“在所述PPTC基板的上表面及下表面覆蓋絕緣層”步驟具體為: 通過絲網(wǎng)印刷將絕緣層覆蓋在所述PPTC基板的上表面及下表面。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述防氧化層的材質(zhì)為鎳和錫。
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體芯片封裝方法，其特征在于，所述“在所述單個芯片的上表面及下表面覆蓋防氧化層”步驟具體為: 通過滾鍍的方式將防氧化層覆蓋在所述單個芯片的上表面及下表面。
【文檔編號】H01L21/56GK104392938SQ201410591533
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月29日 優(yōu)先權日:2014年10月29日
【發(fā)明者】哈鳴, 林昭銀, 馬抗震 申請人:禾邦電子(蘇州)有限公司