陣列基板、顯示面板和陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板和陣列基板的制作方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。所述陣列基板包括薄膜晶體管和設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方的鈍化層，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的陣列基板制作流程減少了制作刻蝕阻擋層的工藝，減少了對(duì)掩膜板的使用次數(shù)，同時(shí)優(yōu)化了TFT器件的穩(wěn)定性，避免了薄膜晶體管在背溝道刻蝕過程中對(duì)TFT器件穩(wěn)定性的影響，提高了產(chǎn)品的良率，降低了成本。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的背溝道刻蝕工藝只能基于銅金屬配線，本發(fā)明能適用于其它多種金屬及其合金，適用范圍廣。
【專利說(shuō)明】陣列基板、顯示面板和陣列基板的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板和陣列基板的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管TFT具有超薄、重量輕、耗電低等優(yōu)點(diǎn)，不僅可以用于液晶顯示面板的制造，而且為制作色彩更艷麗、影像更清晰的新一代有機(jī)發(fā)光顯示面板0LED提供了可能。
[0003]圖la-圖lm是現(xiàn)有TFT陣列基板的制作流程示意圖，主要包括以下步驟:在襯底基板12上形成柵金屬層13，如圖la所示；對(duì)柵金屬層13進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括柵極13a的圖形，如圖lb所示；在柵極13a上形成柵極絕緣層14，如圖lc所示；對(duì)柵極絕緣層14進(jìn)行表面處理；在柵極絕緣層14上形成半導(dǎo)體層15并進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層15a，如圖1d和圖le所示；在有源層15a上形成刻蝕阻擋層16并進(jìn)行構(gòu)圖工藝，如圖1f和圖lg所示；在圖形化后的刻蝕阻擋層16a上形成源漏金屬層17并進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括源極17a和漏極17b的圖形，如圖lh和圖li所示；在源極17a和漏極17b上形成鈍化層18，如圖1 j所示；在鈍化層18上形成過孔19，如圖lk所示；在鈍化層18上形成像素電極層20，并進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括像素電極20a的圖形，如圖11和圖lm所示。
[0004]現(xiàn)有陣列基板的制作流程中用到的掩膜板數(shù)量較多，并且傳統(tǒng)的背溝道刻蝕工藝只能基于銅金屬配線，適用范圍窄，在對(duì)源漏金屬層刻蝕的過程中容易影響TFT器件的性倉(cāng)泛。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、顯示面板以及陣列基板的制作方法，解決現(xiàn)有陣列基板在制作過程中使用掩膜板數(shù)量較多、以及在對(duì)源漏金屬層刻蝕過程中影響TFT器件穩(wěn)定性的技術(shù)問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管和設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方的鈍化層，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。
[0007]優(yōu)選地，形成所述源極和所述漏極的材料為銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金，或者上述金屬或合金中不少于任意兩者的層疊。
[0008]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0009]作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，還提供一種陣列基板的制作方法，該方法包括以下步驟:
[0010]提供襯底基板；
[0011]在所述襯底基板上設(shè)置薄膜晶體管；
[0012]在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方形成鈍化層，其中，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。
[0013]優(yōu)選地，在所述襯底基板上設(shè)置薄膜晶體管的步驟具體包括:
[0014]在所述襯底基板上形成半導(dǎo)體層；
[0015]通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括所述薄膜晶體管的有源層的圖形和位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層；
[0016]形成源漏金屬層；
[0017]通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形；
[0018]剝離所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層和覆蓋在所述保護(hù)層上方的金屬，露出所述溝道區(qū)域。
[0019]優(yōu)選地，露出所述溝道區(qū)域之后進(jìn)一步包括以下步驟:
[0020]進(jìn)行清洗，去除所述金屬被剝離區(qū)域產(chǎn)生的懸空邊緣。
[0021]優(yōu)選地，所述第一次構(gòu)圖工藝具體包括:
[0022]在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠；
[0023]使用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，之后對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成包括所述有源層的圖形，并且保留位于所述有源層上方的光刻膠；
[0024]對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化，以保留并減薄位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠，使其成為保護(hù)層。
[0025]優(yōu)選地，減薄后的位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠的厚度小于或者等于所述源漏金屬層的厚度。
[0026]優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠的步驟中:
[0027]所述光刻膠的厚度在1.5 μ m_3.5 μ m之間，所述光刻膠的固化溫度在135° -145°之間，所述光刻膠的固化時(shí)間在90s-150s之間，所述光刻膠的坡度角在30° -40° 之間。
[0028]優(yōu)選地，對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化的步驟中:
[0029]所述光刻膠的坡度角保持在30° -40°之間。
[0030]本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的陣列基板制作流程減少了制作刻蝕阻擋層的工藝，減少了對(duì)掩膜板的使用次數(shù)，同時(shí)優(yōu)化了 TFT器件的穩(wěn)定性，避免了薄膜晶體管在背溝道刻蝕過程中對(duì)TFT器件穩(wěn)定性的影響，提高了產(chǎn)品的良率，降低了成本。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的背溝道刻蝕工藝只能基于銅金屬配線，本發(fā)明不僅適用于銅金屬，還適用于鋁、鎢、釹、鑰、鈮、銻等金屬以及上述金屬的合金，適用范圍廣。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
[0032]圖la-圖lm是現(xiàn)有TFT陣列基板的制作流程不意圖；
[0033]圖2本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3a_圖3h是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作流程示意圖；
[0035]在附圖中，12:襯底基板；13:柵金屬層；13a:柵極；14:柵極絕緣層；15:半導(dǎo)體層；15a:有源層；16:刻蝕阻擋層；16a:圖形化后的刻蝕阻擋層；17:源漏金屬層；17a:源極；17b:漏極；18:鈍化層；19:過孔；20:像素電極層；20a:像素電極;324，325，327:光刻膠；326:懸空邊緣。

【具體實(shí)施方式】
[0036]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0037]本發(fā)明首先提供一種陣列基板，如圖2所示，該陣列基板包括依次位于襯底基板12上的:薄膜晶體管的柵極13a、柵極絕緣層14、薄膜晶體管的有源層15a、薄膜晶體管的源極17a和漏極17b、以及設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極17a和漏極17b上方的鈍化層18。其中，有源層15a上位于源極17a和漏極17b之間的部分與鈍化層18相貼合。所述陣列基板還包括形成在鈍化層18上的像素電極20a。
[0038]與現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板相比，本發(fā)明提供的陣列基板不包括刻蝕阻擋層，減少了一次光刻工藝，避免了因制作刻蝕阻擋層而導(dǎo)致的掩膜板增多，實(shí)現(xiàn)了掩膜板數(shù)量的減少和成本的降低。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為柵極層位于底層的陣列基板結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明同樣適用于柵極層位于頂層的陣列基板結(jié)構(gòu)。
[0040]本發(fā)明中的柵極13a的材料可以是銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金。所述柵極還可以是上述金屬或上述合金中不少于任意兩者的層疊結(jié)構(gòu)。柵極13a的厚度在100nm-700nm之間。
[0041]本發(fā)明中的柵極絕緣層14的材料可以是二氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜、氧化鈦薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鋯薄膜、氧化鉭薄膜、鈦酸鋇薄膜、氧化釹薄膜、氮氧化硅薄膜、氮氧化鋁薄膜、氮氧化鋯薄膜、氮氧化鉭薄膜、氮氧化釹薄膜、氮化硅薄膜、氮化鋁薄膜、氮化鋯薄膜和氮化鉭薄膜中的任意一者，還可以采用與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無(wú)機(jī)絕緣材料形成的薄膜。同時(shí)，本發(fā)明中的柵極絕緣層14還可以是上述薄膜中任意兩者或者三者的疊層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層14的厚度在50nm-600nm之間。
[0042]本發(fā)明中的有源層15a是金屬氧化物半導(dǎo)體，如IGZ0、ΙΤΖΟ、ΙΖΟ、ΤΖ0及性質(zhì)類似的其它金屬氧化物半導(dǎo)體，同時(shí)本發(fā)明也可以采用非晶硅、微晶硅和多晶硅薄膜晶體管制作有源層。有源層15a的厚度在20nm-100nm之間。
[0043]本發(fā)明中的源極17a和漏極17b的材料可以是銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金。所述柵極還可以是上述金屬或上述合金中不少于任意兩者的層疊結(jié)構(gòu)。源極17a和漏極17b的厚度在100nm-700nm之間。
[0044]本發(fā)明中的鈍化層18的材料可以是二氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜、氧化鈦薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鋯薄膜、氧化鉭薄膜、鈦酸鋇薄膜、氧化釹薄膜、氮氧化硅薄膜、氮氧化鋁薄膜、氮氧化鋯薄膜、氮氧化鉭薄膜、氮氧化釹薄膜、氮化硅薄膜、氮化鋁薄膜、氮化鋯薄膜和氮化鉭薄膜中的任意一者，還可以采用與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無(wú)機(jī)絕緣材料形成的薄膜。同時(shí)，本發(fā)明中的鈍化層18還可以是上述薄膜中任意兩者或者三者的疊層結(jié)構(gòu)。此外，鈍化層18還可以由上述無(wú)機(jī)絕緣材料與有機(jī)絕緣材料相結(jié)合來(lái)制作，所述有機(jī)絕緣材料通常采用樹脂系材料或者亞克力系材料。鈍化層18的厚度在100nm_500nm 之間。
[0045]本發(fā)明中由于對(duì)陣列基板的制作方法進(jìn)行了改進(jìn)，使得柵極、源極、漏極能夠采用多種金屬及其合金，適用范圍廣，可以提高陣列基板的性能，使陣列基板的導(dǎo)通能力、分辨率、響應(yīng)速度都有很大的提升。
[0046]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括本發(fā)明所提供的上述陣列基板，以及與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板。本發(fā)明的應(yīng)用將會(huì)提升顯示面板的良率，同時(shí)增強(qiáng)顯示面板的穩(wěn)定性和可靠性，使產(chǎn)品更加適合于長(zhǎng)時(shí)間地使用。此外，本發(fā)明還可以適用于AM0LED領(lǐng)域及其所演化的其它顯示方案。
[0047]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟:
[0048]S1、提供襯底基板；
[0049]S2、在所述襯底基板上設(shè)置薄膜晶體管；
[0050]S3、在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方形成鈍化層，其中，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。
[0051]本發(fā)明方法減少了制作刻蝕阻擋層的工藝流程，減少了一次光刻工藝，減少了對(duì)掩膜板的使用次數(shù)，降低了成本。
[0052]其中，步驟S2具體包括以下步驟:
[0053]S21、在所述襯底基板上形成半導(dǎo)體層；
[0054]S22、通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括所述薄膜晶體管的有源層的圖形和位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層；
[0055]所述保護(hù)層的作用是為了防止后續(xù)工藝對(duì)溝道性能的影響，同時(shí)還能提高薄膜晶體管的光穩(wěn)定性。
[0056]S23、形成源漏金屬層；
[0057]S24、通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形；
[0058]S25、剝離所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層和覆蓋在所述保護(hù)層上方的金屬，露出所述溝道區(qū)域。
[0059]S26、進(jìn)行清洗，去除所述金屬被剝離區(qū)域產(chǎn)生的懸空邊緣。
[0060]其中，步驟S22中所述的第一次構(gòu)圖工藝具體包括以下步驟:
[0061]S221、在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠；
[0062]S222、使用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，之后進(jìn)行刻蝕，形成包括所述有源層的圖形，并且保留位于所述有源層上方的光刻膠；
[0063]在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠的步驟中，光刻膠的厚度在1.5μπι-3.5μπι之間，光刻膠的固化溫度在135° -145°之間，光刻膠的固化時(shí)間在90s-150s之間，光刻膠的坡度角(Profile)在 30。-40。之間。
[0064]S223、對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化，以保留并減薄位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠，使其成為保護(hù)層。在對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化的步驟中，所述光刻膠的坡度角保持在30° -40°之間。
[0065]優(yōu)選地，減薄后的位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠的厚度小于或者等于所述源漏金屬層的厚度。
[0066]本發(fā)明提供的制造方法對(duì)陣列基板所用的源漏電極制作工藝進(jìn)行了全新的改進(jìn)，特別是對(duì)背溝道刻蝕工藝進(jìn)行了優(yōu)化和改進(jìn)，減少了現(xiàn)有陣列基板中的刻蝕阻擋層，減少了掩膜板的使用次數(shù)。另一方面，由于銅金屬的刻蝕液對(duì)氧化物半導(dǎo)體層不腐蝕，非銅金屬的刻蝕液對(duì)氧化物半導(dǎo)體有腐蝕，所以現(xiàn)有技術(shù)中都是使用銅金屬電極，而本發(fā)明中由于在有源層溝道區(qū)域的上方使用了保護(hù)層，能夠適用于多種金屬及其合金制作電極。
[0067]本發(fā)明方法在不影響薄膜晶體管陣列性能的基礎(chǔ)上簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了器件的制造成本，縮小了器件的尺寸，降低了整體顯示終端的功耗，可以應(yīng)用于高分辨率和高響應(yīng)速度的產(chǎn)品中。
[0068]以下通過一個(gè)具體的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明所提供的陣列基板的制作方法。圖3a-圖3h是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作流程示意圖，具體步驟如下:
[0069]S101、首先在襯底基板12上形成柵金屬層，采用的方法是磁控濺射，然后對(duì)所述柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括柵極13a的圖形。
[0070]柵極13a的材料可以是銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金。所述柵極還可以是上述金屬或上述合金中不少于任意兩者的層疊結(jié)構(gòu)。
[0071]柵極13a的厚度在100nm-700nm之間，所述構(gòu)圖工藝包括光刻、濕法刻蝕、干法刻蝕、或者濕法干法相結(jié)合的刻蝕工藝。
[0072]S102、在上述工藝完成后，在柵極13a上形成柵極絕緣層14，采用的制作方法是PECVD或者磁控濺射。
[0073]柵極絕緣層14的材料可以是二氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜、氧化鈦薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鋯薄膜、氧化鉭薄膜、鈦酸鋇薄膜、氧化釹薄膜、氮氧化硅薄膜、氮氧化鋁薄膜、氮氧化鋯薄膜、氮氧化鉭薄膜、氮氧化釹薄膜、氮化硅薄膜、氮化鋁薄膜、氮化鋯薄膜和氮化鉭薄膜中的任意一者，還可以采用與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無(wú)機(jī)絕緣材料形成的薄膜。同時(shí)，本發(fā)明中的柵極絕緣層14還可以是上述薄膜中任意兩者或者三者的疊層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層14的厚度在50nm-600nm之間。
[0074]當(dāng)柵極絕緣層14使用一層氮化物或者氮氧化物時(shí)，可以結(jié)合退火工藝來(lái)對(duì)柵極絕緣層14進(jìn)行處理。其中，退火溫度在250°C _500°C之間，退火時(shí)間在10min_200min之間。
[0075]S103、在柵極絕緣層14上形成半導(dǎo)體層15，采用的制作方法是PECVD或者磁控濺射，上述步驟S101-S103如圖3a中所示。
[0076]S104、在半導(dǎo)體層15上形成一層光刻膠，使用半色調(diào)掩膜板(Half tone mask)對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，之后進(jìn)行刻蝕(包括濕法刻蝕、干法刻蝕、或者濕法干法相結(jié)合的刻蝕工藝)，形成包括有源層15a的圖形，并且保留位于所述有源層15a上方的光刻膠324，如圖3b中所示。
[0077]在本發(fā)明中，對(duì)此道工藝中的光刻膠進(jìn)行如下限制:光刻膠的厚度在
1.5μπι-3.5μπι之間，光刻膠的固化溫度在135° -145°之間，光刻膠的固化時(shí)間在90s-150s之間，光刻膠的坡度角在30° -40°之間。
[0078]有源層15a是金屬氧化物半導(dǎo)體，如IGZ0、ΙΤΖΟ、ΙΖΟ、ΤΖ0及性質(zhì)類似的其它金屬氧化物半導(dǎo)體，同時(shí)本發(fā)明也可以采用非晶硅、微晶硅和多晶硅薄膜晶體管制作半導(dǎo)體層。
[0079]有源層15a的厚度在20nm-100nm之間,對(duì)所述半導(dǎo)體層可以選擇性地進(jìn)行退火工藝。
[0080]S105、對(duì)位于有源層15a上方的光刻膠324進(jìn)行灰化，以保留并減薄位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠，得到光刻膠保護(hù)層325，如圖3c中所示。
[0081]在灰化步驟中，所述光刻膠325的坡度角保持在30° _40°之間。優(yōu)選地，經(jīng)灰化減薄后的位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠325的厚度小于或者等于即將形成的源漏金屬層的厚度，大約在300nm-8000nm之間。
[0082]S106、在上述步驟的基礎(chǔ)上形成源漏金屬層17，采用的方法是磁控濺射或者PECVD，并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括源極和漏極的圖形，如圖3d中所示。圖中327為構(gòu)圖工藝中使用的光刻膠。
[0083]源漏金屬層17的材料可以是銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金。源漏金屬層17還可以是上述金屬或上述合金中不少于任意兩者的層疊。源漏金屬層17的厚度在100nm-700nm之間。所述構(gòu)圖工藝包括光刻、濕法刻蝕、干法刻蝕、或者濕法干法相結(jié)合的刻蝕工藝。
[0084]S107、剝離有源層15a的溝道區(qū)域正上方的光刻膠保護(hù)層325和覆蓋在光刻膠保護(hù)層325上方的金屬，露出所述溝道區(qū)域，如圖3e中所示。此時(shí)，在源極17a和漏極17b金屬的被剝離區(qū)域會(huì)產(chǎn)生懸空邊緣326，懸空邊緣326的尺寸約為1.5 μ m-3.5 μ m。
[0085]S108、對(duì)剝離工藝后的源漏極金屬進(jìn)行清洗，去除所述金屬被剝離區(qū)域產(chǎn)生的懸空邊緣326，以及其它顆粒物，如圖3f中所示，此道清洗工藝能夠有效避免因剝離工藝引起的良率下降問題。所述清洗工藝中，可以采用毛刷進(jìn)行清洗。
[0086]S109、在上述工藝的基礎(chǔ)上形成鈍化層18，并在所述鈍化層18上形成過孔19，如圖3g中所示。
[0087]鈍化層18的制作方法是PECVD或者磁控濺射。鈍化層18的材料可以是二氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜、氧化鈦薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化鋯薄膜、氧化鉭薄膜、鈦酸鋇薄膜、氧化釹薄膜、氮氧化硅薄膜、氮氧化鋁薄膜、氮氧化鋯薄膜、氮氧化鉭薄膜、氮氧化釹薄膜、氮化硅薄膜、氮化鋁薄膜、氮化鋯薄膜和氮化鉭薄膜中的任意一者，還可以采用與上述各物質(zhì)的材料特性相同或相近的其他無(wú)機(jī)絕緣材料形成的薄膜。同時(shí)，本發(fā)明中的鈍化層18還可以是上述薄膜中任意兩者或者三者的疊層結(jié)構(gòu)。此外，鈍化層18還可以由上述無(wú)機(jī)絕緣材料與有機(jī)絕緣材料相結(jié)合來(lái)制作，所述有機(jī)絕緣材料通常采用樹脂系材料或者亞克力系材料。鈍化層18的厚度在100nm-500nm之間。
[0088]在鈍化層18形成之前可以優(yōu)選對(duì)整個(gè)基板進(jìn)行等離子處理工藝，所采用的氣體可以是N20、N2、Ar、02、NH3、或者其它有相同特性的氣體，本發(fā)明中所采用的處理?xiàng)l件為:功率一般在3KW?8KW之間，腔體氣壓在lOOOmttor?2000mttor之間。
[0089]S110、在鈍化層18上形成像素電極層，并進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括像素電極20a的圖形，如圖3h中所示。至此完成陣列基板的全部制作工藝。
[0090]本發(fā)明方法使得薄膜晶體管器件在銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮、銻及上述金屬的合金和上述金屬和合金中不少于兩種材料的多層結(jié)構(gòu)電極的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了掩膜板減少的工藝技術(shù)路線，通過本發(fā)明方法可以有效改善薄膜晶體管陣列背溝道刻蝕時(shí)良率不好的問題。通過應(yīng)用本發(fā)明的方法可以有效提高產(chǎn)品的良率，并達(dá)到了降低成本，提高產(chǎn)能的有益效果。
[0091]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管和設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方的鈍化層，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，形成所述源極和所述漏極的材料為銅、鋁、鎢、釹、鑰、鈮和銻中的任意一者，或者上述金屬中不少于任意兩者的合金，或者上述金屬或合金中不少于任意兩者的層疊。
3.—種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1或2所述的陣列基板。
4.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供襯底基板； 在所述襯底基板上設(shè)置薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方形成鈍化層，其中，所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板上設(shè)置薄膜晶體管的步驟具體包括: 在所述襯底基板上形成半導(dǎo)體層； 通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括所述薄膜晶體管的有源層的圖形和位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層； 形成源漏金屬層； 通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括源極和漏極的圖形； 剝離所述有源層的溝道區(qū)域正上方的保護(hù)層和覆蓋在所述保護(hù)層上方的金屬，露出所述溝道區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，露出所述溝道區(qū)域之后進(jìn)一步包括以下步驟: 進(jìn)行清洗，去除所述金屬被剝離區(qū)域產(chǎn)生的懸空邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次構(gòu)圖工藝具體包括: 在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠； 使用半色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行光刻，之后對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，形成包括所述有源層的圖形，并且保留位于所述有源層上方的光刻膠； 對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化，以保留并減薄位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠，使其成為保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，減薄后的位于所述有源層的溝道區(qū)域正上方的光刻膠的厚度小于或者等于所述源漏金屬層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層上形成光刻膠的步驟中: 所述光刻膠的厚度在1.5 μ m-3.5 μ m之間，所述光刻膠的固化溫度在135° -145°之間，所述光刻膠的固化時(shí)間在90s-150s之間，所述光刻膠的坡度角在30° -40°之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，對(duì)位于所述有源層上方的光刻膠進(jìn)行灰化的步驟中:
所述光刻膠的坡度角保持在30° -40°之間。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104319278SQ201410569580
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月22日
【發(fā)明者】袁廣才 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司