技術(shù)編號(hào):7060885
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種,涉及顯示。所述陣列基板包括薄膜晶體管和設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極上方的鈍化層,所述薄膜晶體管的有源層上位于所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分與所述鈍化層相貼合。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的陣列基板制作流程減少了制作刻蝕阻擋層的工藝,減少了對(duì)掩膜板的使用次數(shù),同時(shí)優(yōu)化了TFT器件的穩(wěn)定性,避免了薄膜晶體管在背溝道刻蝕過(guò)程中對(duì)TFT器件穩(wěn)定性的影響,提高了產(chǎn)品的良率,降低了成本。此外,相對(duì)于傳統(tǒng)的背溝道刻蝕工藝只能基于銅金屬配線,本發(fā)明能適用于...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。