一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)。該方法包括：獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像；根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型；如果所述表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理；如果所述表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行廢棄處理；如果所述表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行修復(fù)。本發(fā)明實(shí)施例中，不是將不合格的硅片進(jìn)行廢棄處理，而是對(duì)不合格的硅片中不可修復(fù)的硅片進(jìn)行廢棄處理，對(duì)可修復(fù)的硅片進(jìn)行回收修復(fù)處理，修復(fù)后的硅片還可以繼續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理，從而使得產(chǎn)品的廢棄率降低了。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及硅片表面檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]在太陽(yáng)能電池等產(chǎn)品的制作工藝中，硅片的表面檢測(cè)是非常重要的一環(huán)。因?yàn)楣杵浅１《曳浅４?，在生產(chǎn)的過(guò)程中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)崩邊、缺角、裂痕等情況。在產(chǎn)品的制作工程中硅片表面也經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)液體殘留、絲網(wǎng)斷柵、成膜不均勻等缺陷。存在這些缺陷的硅片都是不合格的，硅片表面是否合格直接影響到產(chǎn)品制作過(guò)程中后面工序的制作。因此為防止不合格的硅片進(jìn)入后續(xù)流程，需要對(duì)硅片的進(jìn)行表面檢測(cè)。現(xiàn)有技術(shù)中硅片表面的檢測(cè)方法，是將檢測(cè)合格的硅片進(jìn)行產(chǎn)品制作過(guò)程中的下一個(gè)工序處理；將檢測(cè)不合格的硅片進(jìn)行廢棄處理。這種硅片表面的檢測(cè)方法的廢棄率較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)，用于解決產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法中存在的硅片廢棄率比較高的問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法，包括:
[0006]獲取用于制作產(chǎn)品的娃片的表面圖像；
[0007]根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型；
[0008]如果所述表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理；
[0009]如果所述表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行廢棄處理；
[0010]如果所述表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行修復(fù)。
[0011]較佳地，獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像，包括:
[0012]通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
[0013]較佳地，獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型，包括:
[0014]獲取所述娃片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0015]根據(jù)所述一個(gè)表面的表面圖像確定所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型；
[0016]如果所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；
[0017]如果所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)型或者無(wú)缺陷型，獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像；
[0018]根據(jù)所述另一個(gè)表面的表面圖像確定所述另一個(gè)表面的表面類(lèi)型；
[0019]如果所述另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；
[0020]如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；
[0021]如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
[0022]較佳地，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像，包括:
[0023]使用第一圖像采集裝置獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0024]獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像,包括:
[0025]使用與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置的第二圖像采集裝置獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
[0026]較佳地，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型，包括:
[0027]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但存在液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0028]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0029]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，N2大于NI，且均為整數(shù)。
[0030]—種產(chǎn)品制作過(guò)程中娃片表面的檢測(cè)系統(tǒng),包括:
[0031]圖像采集子系統(tǒng)，用于獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像；
[0032]分類(lèi)處理裝置，用于根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型；如果所述表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將所述硅片傳送到所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序的處理裝置；如果所述表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將所述硅片傳送到廢棄處理裝置；如果所述表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將所述硅片傳送到修復(fù)裝置。
[0033]較佳地，所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于:
[0034]通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
[0035]較佳地，所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0036]所述分類(lèi)處理裝置具體用于:根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面的表面類(lèi)型；如果該表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；
[0037]如果該表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)缺陷型或者無(wú)缺陷型，所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于:獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像；
[0038]所述分類(lèi)處理裝置具體用于:根據(jù)該另一個(gè)表面的表面圖像確定該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型；如果該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
[0039]較佳地，所述圖像采集子系統(tǒng)包括第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置:
[0040]所述第一圖像采集裝置用于，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0041]所述第二圖像采集裝置與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置，所述第二圖像采集裝置用于，獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
[0042]較佳地，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型時(shí)，所述分類(lèi)處理裝置具體用于:
[0043]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但存在液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0044]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0045]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，NI大于N2，且均為整數(shù)。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下:
[0047]本發(fā)明實(shí)施例中，不是將不合格的硅片進(jìn)行廢棄處理，而是對(duì)不合格的硅片中不可修復(fù)的硅片進(jìn)行廢棄處理，對(duì)可修復(fù)的硅片進(jìn)行回收修復(fù)處理，修復(fù)后的硅片還可以繼續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理，從而使得產(chǎn)品的廢棄率降低了。進(jìn)一步的，通過(guò)掃描獲取娃片的表面圖像。掃描的過(guò)程處于一個(gè)封閉的環(huán)境，可以防止環(huán)境雜散光的影響，從而使得檢測(cè)時(shí)消除了反光、干涉等因素的影響。并且可以在產(chǎn)品制作過(guò)程的任意工序?qū)杵砻鏅z測(cè)。進(jìn)一步的，利用兩個(gè)相對(duì)的圖像采集裝置分別獲取硅片兩個(gè)表面的圖像。不需要將產(chǎn)品進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，降低了碎片率，從而在檢測(cè)的過(guò)程中進(jìn)一步的降低了產(chǎn)品的廢棄率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0048]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法的流程圖；
[0049]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種獲取硅片的表面圖像和根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型的方法流程圖；
[0050]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于掃描的硅片表面檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖；
[0051]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)系統(tǒng)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0052]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法及系統(tǒng)進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法，如圖1所示，具體步驟如下:
[0054]步驟110:獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
[0055]其中，該硅片的種類(lèi)有多種，優(yōu)選的，該硅片可以是用于制作太陽(yáng)能電池的硅片，也可以是用于制作半導(dǎo)體的硅片，可以是多晶硅片，也可以是單晶硅片。
[0056]步驟120:根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型。
[0057]步驟130:如果該表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將該硅片進(jìn)行該產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理。
[0058]步驟140:如果該表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將該硅片進(jìn)行廢棄處理；
[0059]步驟150:如果該表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將該硅片進(jìn)行修復(fù)。
[0060]應(yīng)當(dāng)指出的是，所謂無(wú)缺陷，是指硅片表面的全部目標(biāo)參數(shù)達(dá)標(biāo)。所謂可修復(fù)的缺陷，是指硅片表面的重要目標(biāo)參數(shù)達(dá)標(biāo)，但次要目標(biāo)參數(shù)不達(dá)標(biāo)。所謂不可修復(fù)的缺陷，是指硅片表面的重要目標(biāo)參數(shù)不達(dá)標(biāo)。目標(biāo)參數(shù)是指待檢測(cè)的工序所關(guān)注的參數(shù)；重要目標(biāo)參數(shù)是指硅片表面在產(chǎn)品制作的工序中起決定作用的外觀參數(shù)，次要目標(biāo)參數(shù)指硅片表面在產(chǎn)品制作的工序中不起決定作用的外觀參數(shù)。以檢測(cè)清洗工序后的硅片為例，經(jīng)過(guò)該工序后，需要檢測(cè)的是硅片表面的完整性以及是否有液體殘留(例如，化學(xué)品殘留形成的色斑，水印等等)。其中，如果硅片表面有裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，即硅片表面不完整，那么該硅片無(wú)法用于制作產(chǎn)品，因此，硅片表面完整性是重要目標(biāo)參數(shù)；如果硅片表面有液體殘留，只需要將殘留的液體去掉，該硅片仍然可以用于制作產(chǎn)品，因此，液體殘留是次要目標(biāo)參數(shù)。如果檢測(cè)出硅片表面完整，且無(wú)液體殘留，則重要目標(biāo)參數(shù)和次要目標(biāo)參數(shù)均達(dá)標(biāo)，該表面就是無(wú)缺陷。如果檢測(cè)出硅片表面完整，但是有液體殘留，則重要目標(biāo)參數(shù)達(dá)標(biāo)，但次要目標(biāo)參數(shù)沒(méi)有達(dá)標(biāo)，該表面就是存在可修復(fù)的缺陷。如果檢測(cè)出硅片表面存在裂痕、掉角、崩邊等缺陷，則重要目標(biāo)參數(shù)沒(méi)有達(dá)標(biāo)，該表面就是存在不可修復(fù)的缺陷。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例中，不是將不合格的硅片進(jìn)行廢棄處理，而是對(duì)不合格的硅片中不可修復(fù)的硅片進(jìn)行廢棄處理，對(duì)可修復(fù)的硅片進(jìn)行回收修復(fù)處理，修復(fù)后的硅片還可以繼續(xù)進(jìn)行產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理，從而使得產(chǎn)品的廢棄率降低了。
[0062]上述步驟110中，獲取硅片的表面圖像的方法有多種，優(yōu)選的，通過(guò)掃描獲取硅片的表面圖像。用于掃描的裝置有多種，優(yōu)選的，采用掃描儀獲取硅片的表面圖像。
[0063]上述實(shí)施例通過(guò)掃描獲取娃片的表面圖像，掃描的過(guò)程處于一個(gè)封閉的環(huán)境，可以防止環(huán)境雜散光的影響，從而使得檢測(cè)時(shí)消除了反光、干涉等因素的影響。例如，在清洗工序后，檢測(cè)硅片表面時(shí)，如果硅片表面存在液體殘留，用攝像裝置獲取硅片表面圖像時(shí)，反光、干涉等因素會(huì)影響獲取的硅片表面圖像，從而無(wú)法檢測(cè)出液體殘留；而采用掃描裝置獲取硅片表面圖像，則不受反光、干涉等因素的影響，因此，可以檢測(cè)到液體殘留。并且可以在產(chǎn)品制作過(guò)程的任意工序?qū)杵砻鏅z測(cè)。
[0064]上述步驟110中，獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像時(shí)，如果該硅片只需要進(jìn)行單面檢測(cè)，則獲取硅片一個(gè)表面的圖像；如果該硅片需要進(jìn)行雙面檢測(cè)時(shí)，上述步驟110和步驟120中根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型的具體實(shí)施步驟如圖2所示，具體步驟如下:
[0065]步驟210:獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0066]該步驟中一個(gè)表面為該硅片的兩個(gè)表面中的任意一個(gè)，沒(méi)有順序要求。
[0067]步驟220:根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面的表面類(lèi)型。
[0068]步驟230:如果該表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。
[0069]該步驟中，只要檢測(cè)到硅片一個(gè)表面存在不可修復(fù)的缺陷，就可以確定該硅片的表面類(lèi)型是不可修復(fù)型，不需要獲取另一個(gè)表面的表面圖像，有利于提高檢測(cè)效率。
[0070]步驟240:如果該表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)缺陷型或者無(wú)缺陷型，獲取該硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
[0071]步驟250:根據(jù)該另一個(gè)表面的表面圖像確定該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型。
[0072]步驟260:如果該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。
[0073]步驟270:如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型。
[0074]步驟280:如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
[0075]上述步驟210中，獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像的方法有多種，本發(fā)明實(shí)施例例舉其中幾種:
[0076]—是使用一個(gè)圖像米集裝置獲取兩個(gè)表面的表面圖像。
[0077]該方法中，獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像之后，需要翻轉(zhuǎn)硅片，再由同一個(gè)圖像采集裝置獲取另一個(gè)表面的表面圖像。
[0078]二是使用第一圖像采集裝置獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像；使用與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置的第二圖像采集裝置獲取該硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
[0079]所謂相對(duì)設(shè)置，是指第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置，它們用于進(jìn)行圖像采集的那一面是相對(duì)設(shè)置的。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例中，較佳地，第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置用于進(jìn)行圖像采集的那一面，以及被檢測(cè)的硅片表面平行。
[0081]本發(fā)明實(shí)施例中，利用兩個(gè)相對(duì)的圖像采集裝置分別獲取硅片兩個(gè)表面的圖像。不需要將產(chǎn)品進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，降低了碎片率，從而在檢測(cè)的過(guò)程中進(jìn)一步的降低了產(chǎn)品的廢棄率。
[0082]以清洗工序后，對(duì)硅片進(jìn)行雙面檢測(cè)為例，根據(jù)表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型的實(shí)現(xiàn)方式可以是:如果根據(jù)其一個(gè)表面的表面圖像確定該表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面完整且無(wú)液體殘留，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，但存在液體殘留，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整且無(wú)液體殘留，確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果確定上述表面完整但存在液體殘留，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，但存在液體殘留，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面確定另一個(gè)表面完整且無(wú)液體殘留，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)該表面圖像確定該另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。
[0083]以化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor Deposit1n, CVD)、物理氣相沉積(PhysicalVapor Deposit1n,PVD)工序后，對(duì)硅片進(jìn)行雙面檢測(cè)為例，根據(jù)表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型的實(shí)現(xiàn)方式可以是:如果根據(jù)其一個(gè)表面的表面圖像確定該表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面完整、成膜均勻且完整，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，但是薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整、成膜均勻且完整，確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果確定上述表面完整，但是薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，但是薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整、成膜均勻且完整，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。
[0084]以絲網(wǎng)印刷工序后，對(duì)硅片進(jìn)行雙面檢測(cè)為例，根據(jù)表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型的實(shí)現(xiàn)方式可以是:按照絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)對(duì)硅片表面進(jìn)行分類(lèi)，如果根據(jù)其一個(gè)表面的表面圖像確定該表面存在裂痕、掉角、崩邊、大面積斷柵等等缺陷，確定該硅片的的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊、絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。如果根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，根據(jù)另一個(gè)表面的表面圖像判斷該硅片的表面類(lèi)型:如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)另一個(gè)表面圖像確定另一個(gè)表面存在裂痕、掉角、崩邊、絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2等等缺陷，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型。其中，N2大于NI，且均為整數(shù)。N1、N2的取值根據(jù)實(shí)際工序中對(duì)硅片表面絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)的要求進(jìn)行確定，優(yōu)選的，NI = 5，N2 = 20。
[0085]應(yīng)當(dāng)指出的是，該表面類(lèi)型的分類(lèi)方法可以但不限于在以上幾種工序環(huán)節(jié)中應(yīng)用，還可以根據(jù)其他工序環(huán)節(jié)中對(duì)硅片表面目標(biāo)參數(shù)的要求，對(duì)硅片表面進(jìn)行檢測(cè)分類(lèi)。
[0086]還應(yīng)當(dāng)指出的是，以上各工序環(huán)節(jié)中，如果進(jìn)行單面檢測(cè)，其實(shí)現(xiàn)方式可以參照上述雙面檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)方式，此處不再贅述。
[0087]如圖3所示，為一種基于掃描的硅片表面檢測(cè)系統(tǒng)。結(jié)合該系統(tǒng)，以檢測(cè)清洗工序后的娃片表面為例，對(duì)表面檢測(cè)的【具體實(shí)施方式】如下:
[0088]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制傳送裝置302將用于制作產(chǎn)品的硅片傳送到第一圖像采集裝置303的圖像采集區(qū)域。第一圖像采集裝置303掃描硅片的一個(gè)表面得到該表面的表面圖像，并將該表面的表面圖像發(fā)送給數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301。
[0089]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301根據(jù)該表面的表面圖像確定硅片的表面類(lèi)型。
[0090]如果該表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制傳送裝置302將該硅片傳送到分級(jí)系統(tǒng)304，并控制分級(jí)系統(tǒng)304將該硅片分揀至廢棄處理工序中。
[0091]分級(jí)系統(tǒng)的種類(lèi)有多種，可選的，該分級(jí)系統(tǒng)由可編程邏輯控制器(P1gra_ableLogic Controller, PLC)控制的智能機(jī)械手組成。
[0092]如果該表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)缺陷型或者無(wú)缺陷型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制傳送裝置302將該硅片傳送到第二圖像采集裝置305的圖像采集區(qū)域。第二圖像采集裝置305是與第一圖像采集裝置303相對(duì)設(shè)置的。第二圖像采集裝置305掃描硅片的另一個(gè)表面，得到另一個(gè)表面的表面圖像，并將該另一個(gè)表面的表面圖像發(fā)送給數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301。
[0093]數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301根據(jù)該另一個(gè)表面的表面圖像確定該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型。
[0094]如果該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，控制傳送裝置302將該硅片傳送至分級(jí)系統(tǒng)304，并控制分級(jí)系統(tǒng)304將該硅片分揀至廢棄處理工序。
[0095]如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，控制傳送裝置302將該硅片傳送至分級(jí)系統(tǒng)304，并控制分級(jí)系統(tǒng)304將該硅片分揀至該產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理。
[0096]如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型，控制傳送裝置302將該硅片傳送至分級(jí)系統(tǒng)304，并控制分級(jí)系統(tǒng)304將該硅片分揀至清洗工序中的處理裝置。
[0097]應(yīng)當(dāng)指出的是，上述傳送裝置302可以由數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制，也可以不由數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制，而是一個(gè)勻速運(yùn)動(dòng)的傳送帶。第一圖像采集裝置303和第二圖像采集裝置305安裝由數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301控制的智能機(jī)械手。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301通過(guò)控制第一圖像采集裝置303和第二圖像采集裝置305上的智能機(jī)械手，將待檢測(cè)的硅片放置到第一圖像采集裝置303和第二圖像采集裝置305上，獲取硅片表面的圖像后再控制智能機(jī)械手將硅片放置到傳送帶上。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例提供一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)系統(tǒng)，如圖4所示，包括:圖像采集子系統(tǒng)401和分類(lèi)處理裝置402。
[0099]圖像采集子系統(tǒng)401，用于獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
[0100]分類(lèi)處理裝置402，用于根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型；如果該表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將該硅片傳送到該產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序的處理裝置；如果該表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將該硅片傳送到廢棄處理裝置；如果該表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將該硅片傳送到修復(fù)裝置。
[0101]其中修復(fù)裝置是指該硅片所在產(chǎn)品制作過(guò)程中的上一步工序的處理裝置。
[0102]較佳地，該圖像采集子系統(tǒng)401具體用于:
[0103]通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
[0104]較佳地，該硅片需要進(jìn)行雙面檢測(cè)時(shí)，該圖像采集子系統(tǒng)401具體用于，獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像；該分類(lèi)處理裝置402具體用于:根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面的表面類(lèi)型；如果該表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；如果該表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)缺陷型或者無(wú)缺陷型，該圖像采集子系統(tǒng)401具體用于:獲取該硅片的另一個(gè)表面的表面圖像；該分類(lèi)處理裝置402具體用于:根據(jù)該另一個(gè)表面的表面圖像確定該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型；如果該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
[0105]較佳地，該圖像采集子系統(tǒng)401包括第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置:
[0106]該第一圖像采集裝置用于，獲取該硅片的一個(gè)表面的表面圖像；
[0107]該第二圖像采集裝置與該第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置，該第二圖像采集裝置用于，獲取該娃片的另一個(gè)表面的表面圖像。
[0108]以上該系統(tǒng)中，該圖像采集子系統(tǒng)401對(duì)應(yīng)于圖3所示系統(tǒng)中的第一圖像采集裝置303和第二圖像采集裝置305。該分類(lèi)處理裝置402對(duì)應(yīng)于圖3所示系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)301、傳送裝置302和分級(jí)系統(tǒng)304。
[0109]較佳地，以上所述的系統(tǒng)，根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面類(lèi)型時(shí)，該分類(lèi)處理裝置402具體用于:
[0110]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)該表面圖像確定該硅片的表面完整，但存在液體殘留，確定該硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0111]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者，
[0112]如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于NI個(gè)點(diǎn)，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在NI?N2之間，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，N2大于NI，且均為整數(shù)。
[0113]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤(pán)存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。
[0114]本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來(lái)描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專(zhuān)用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過(guò)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0115]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。
[0116]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
[0117]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0118]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種產(chǎn)品制作過(guò)程中硅片表面的檢測(cè)方法，其特征在于，包括: 獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像； 根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型； 如果所述表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序處理； 如果所述表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行廢棄處理； 如果所述表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將所述硅片進(jìn)行修復(fù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像，包括: 通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型，包括: 獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像； 根據(jù)所述一個(gè)表面的表面圖像確定所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型； 如果所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型； 如果所述一個(gè)表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)型或者無(wú)缺陷型，獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像； 根據(jù)所述另一個(gè)表面的表面圖像確定所述另一個(gè)表面的表面類(lèi)型； 如果所述另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型； 如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型； 如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像，包括: 使用第一圖像采集裝置獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像； 獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像，包括: 使用與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置的第二圖像采集裝置獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型，包括: 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但存在液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者， 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者， 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于N1個(gè)點(diǎn)，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在N1?N2之間，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，N2大于N1，且均為整數(shù)。
6.—種產(chǎn)品制作過(guò)程中娃片表面的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括: 圖像采集子系統(tǒng)，用于獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像； 分類(lèi)處理裝置，用于根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型；如果所述表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型，將所述硅片傳送到所述產(chǎn)品制作過(guò)程的下一步工序的處理裝置；如果所述表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，將所述硅片傳送到廢棄處理裝置；如果所述表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，將所述硅片傳送到修復(fù)裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于: 通過(guò)掃描獲取用于制作產(chǎn)品的硅片的表面圖像。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的系統(tǒng)，其特征在于: 所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像； 所述分類(lèi)處理裝置具體用于:根據(jù)該表面的表面圖像確定該表面的表面類(lèi)型；如果該表面的表面類(lèi)型是不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型； 如果該表面的表面類(lèi)型是可修復(fù)缺陷型或者無(wú)缺陷型，所述圖像采集子系統(tǒng)具體用于:獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像； 所述分類(lèi)處理裝置具體用于:根據(jù)該另一個(gè)表面的表面圖像確定該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型；如果該另一個(gè)表面的表面類(lèi)型為不可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；如果兩個(gè)表面的表面類(lèi)型均為無(wú)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果至少一個(gè)表面的表面類(lèi)型為可修復(fù)缺陷型，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述圖像采集子系統(tǒng)包括第一圖像采集裝置和第二圖像采集裝置: 所述第一圖像采集裝置用于，獲取所述硅片的一個(gè)表面的表面圖像； 所述第二圖像采集裝置與所述第一圖像采集裝置相對(duì)設(shè)置，所述第二圖像采集裝置用于，獲取所述硅片的另一個(gè)表面的表面圖像。
10.根據(jù)權(quán)利要求6?9任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面類(lèi)型時(shí)，所述分類(lèi)處理裝置具體用于: 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整且無(wú)液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但存在液體殘留，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者， 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整、成膜均勻且完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，但薄膜材料部分區(qū)域沒(méi)有成膜或者成膜不均勻，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型；或者， 如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，且絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)少于N1個(gè)點(diǎn)，確定所述硅片的表面類(lèi)型為無(wú)缺陷型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面完整，絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)在N1?N2之間，確定所述硅片的表面類(lèi)型為可修復(fù)型；如果根據(jù)所述表面圖像確定所述硅片的表面不完整和/或絲網(wǎng)斷點(diǎn)數(shù)大于N2，確定所述硅片的表面類(lèi)型為不可修復(fù)型，N1大于N2，且均為整數(shù)。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104319246SQ201410544833
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】谷士斌, 張 林, 田小讓, 何延如, 趙冠超, 楊榮, 孟原, 郭鐵 申請(qǐng)人:新奧光伏能源有限公司