半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明能抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化。在布置成彼此并行的導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB中，導(dǎo)體圖案CPA被分為第一部分P1(A)和第二部分P2(A)，導(dǎo)體圖案CPB同樣被分為第一部分P1(B)和第二部分P2(B)。導(dǎo)體圖案CPA的第一部分P1(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分P1(B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]在此通過(guò)引用并入2013年9月24日提交的日本專利申請(qǐng)第2013-197551號(hào)的全部公布內(nèi)容，包括說(shuō)明書、附圖和摘要。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造技術(shù)，例如，涉及一種當(dāng)應(yīng)用至使用微細(xì)加工技術(shù)的半導(dǎo)體裝置及其制造技術(shù)時(shí)有效的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0004]在日本未審查專利公開2009-294308號(hào)(專利文獻(xiàn)I)和日本未審查專利公開2012-74755號(hào)(專利文獻(xiàn)2)中，描述了一種與所謂的雙重圖案化方法相關(guān)的技術(shù)作為一種實(shí)現(xiàn)了超越光刻工藝的分辨率極限的微細(xì)加工的技術(shù)。
[0005]近些年，從推進(jìn)半導(dǎo)體裝置的微小型化的角度提出了形成于半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體元件和配線的微小型化。特別地，半導(dǎo)體元件和配線的微小型化已經(jīng)達(dá)到超越當(dāng)前微細(xì)加工技術(shù)(圖案化技術(shù))的性能極限的水平。因此，即使在當(dāng)前的微細(xì)加工技術(shù)中也采用了被稱作所謂的雙重圖案化方法的技術(shù)以應(yīng)對(duì)進(jìn)一步的微小型化。
[0006]雙重圖案化方法是一種用于通過(guò)分離的掩膜形成彼此相鄰的圖案從而放寬通過(guò)單個(gè)掩膜形成的各個(gè)圖案的微小型化水平的方法。這樣，雙重圖案化方法的使用使得即使在當(dāng)前的微細(xì)加工技術(shù)中也能應(yīng)對(duì)超越了性能極限的微小型化。
[0007]然而，因?yàn)樵陔p重圖案化方法中彼此相鄰的圖案通過(guò)不同的掩膜形成，存在一種風(fēng)險(xiǎn)，例如，由于掩膜之間的位置偏移，彼此相鄰的配線之間工作形狀和間隔偏離了設(shè)計(jì)值。所述工作形狀和間隔偏離設(shè)計(jì)值甚至促使半導(dǎo)體裝置的特性的變化。也就是說(shuō)，上述的雙重圖案化方法具有能夠應(yīng)對(duì)超越了當(dāng)前的微細(xì)加工技術(shù)的性能極限的微小型化的優(yōu)勢(shì)，但是，另一方面，在可能發(fā)生的由于掩膜未對(duì)準(zhǔn)而引起的半導(dǎo)體裝置特性的變化方面具有改善的空間。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)本說(shuō)明書的描述和附圖，本發(fā)明的其它目的和新的特征將會(huì)變得清楚。
[0009]根據(jù)一種實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置制造方法具有下述步驟:通過(guò)使用第一掩膜圖案化形成第一導(dǎo)體圖案的第一部分和第二導(dǎo)體圖案的第二部分，通過(guò)使用第二掩膜圖案化形成所述第一導(dǎo)體圖案的第二部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第一部分。這時(shí)，由所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第一部分形成第一導(dǎo)體間電容，由所述第一導(dǎo)體圖案的第二部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分形成第二導(dǎo)體間電容。
[0010]另外，在根據(jù)一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置制造方法中，當(dāng)?shù)谝谎谀ず偷诙谀ぶg發(fā)生位置偏移時(shí)，第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案中的每一者以下述方式被分為通過(guò)第一圖案化形成的部分和通過(guò)第二圖案化形成的部分，按照該方式，存在與第一掩膜和第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)相比第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案之間的距離變小的部分和與第一掩膜和第二掩膜未發(fā)生位置偏移時(shí)相比所述距離變大的部分。
[0011]此外，根據(jù)一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括彼此并行的第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案。這里，所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案中的每一者具有沿第一方向延伸的第一部分、沿第一方向延伸并布置為在與第一方向正交的第二方向上偏離所述第一部分的第二部分以及連接第一部分和第二部分并沿所述第二方向延伸的連接部分。第一導(dǎo)體圖案的第一部分和第二導(dǎo)體圖案的第二部分布置在一條直線上。
[0012]根據(jù)一種實(shí)施方式，能抑制半導(dǎo)體裝置的特性的變化。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1A是顯示相關(guān)技術(shù)中的電容元件的典型結(jié)構(gòu)的圖，圖1B是顯示掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)的例子的圖；
[0014]圖2A和2B分別是用于描述第一實(shí)施方式的基本原理的圖；
[0015]圖3A和3B分別是用于描述設(shè)計(jì)以抑制導(dǎo)體圖案的第一部分和第二部分的連接的可靠性降低的觀點(diǎn)的圖。
[0016]圖4是顯示制造第一實(shí)施方式中的導(dǎo)體圖案的工序的流程圖；
[0017]圖5A是顯示第一實(shí)施方式中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖5B是顯示掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)的例子的圖；
[0018]圖6是顯示第一實(shí)施方式的第一變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0019]圖7是顯示第一實(shí)施方式的第二變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0020]圖8是描述第一實(shí)施方式的第三變形例中的電容元件的結(jié)構(gòu)的代表性的圖；
[0021]圖9是顯示第一實(shí)施方式的第四變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0022]圖10是顯示第一實(shí)施方式的第五變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0023]圖11是顯示第一實(shí)施方式的第六變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0024]圖12是描述第一實(shí)施方式的第七變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0025]圖13是顯示第一實(shí)施方式的第八變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0026]圖14是顯示第一實(shí)施方式的第九變形例中的電容元件的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0027]圖15A是顯示第二實(shí)施方式的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖，圖15B是顯示掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)的例子的圖；
[0028]圖16是顯示第二實(shí)施方式的第一變形例中的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖；
[0029]圖17是顯示第二實(shí)施方式的第二變形例中的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]在下面的實(shí)施方式中，為了方便起見，必要時(shí)會(huì)將本發(fā)明分為多個(gè)部分或?qū)嵤┓绞竭M(jìn)行說(shuō)明。然而，除非另有特別說(shuō)明，它們不是彼此間不相關(guān)的。它們中的一者與另一者的部分或全部的變形、細(xì)節(jié)和補(bǔ)充解釋相關(guān)。
[0031]當(dāng)在下面的實(shí)施方式中提及元件等的數(shù)目(包括件數(shù)、數(shù)值、數(shù)量、范圍等)時(shí),其中的數(shù)目不限于特定數(shù)目，可以是該特定數(shù)目或者更多或者更少，除非另有特別說(shuō)明以及原則上明顯地限于該特定數(shù)目。
[0032]更不必說(shuō)，在下面的實(shí)施方式中采用的組成元件(包括組成步驟等)不總是必要的，除非另有特別說(shuō)明以及原則上被認(rèn)為是明顯地必要。
[0033]類似地，當(dāng)在下面的實(shí)施方式中提及組成元件等的形狀、位置關(guān)系等時(shí)，會(huì)包括與它們的形狀等本質(zhì)上類似或相似的形狀等，除非另有特別說(shuō)明以及原則上被認(rèn)為不是明顯地如此。這也同樣適用于上述數(shù)值和范圍。
[0034]在用于描述實(shí)施方式的所有附圖中，原則上相同的參考數(shù)字分別附加于相同的元件，并且將省略其重復(fù)描述。順便提一下，為了清楚說(shuō)明，甚至可以在平面圖中添加陰影線。
[0035]第一實(shí)施方式
[0036]〈相關(guān)技術(shù)的說(shuō)明〉
[0037]圖1A是顯示相關(guān)技術(shù)中電容元件CAP (R)的典型結(jié)構(gòu)的圖。如圖1A所示，相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP (R)由梳狀電極CSEl和梳狀電極CSE2組成。梳狀電極CSEl具有沿y方向延伸的電極ELA和電極ELC在X方向連接成整體的結(jié)構(gòu)。梳狀電極CSE2同樣具有沿y方向延伸的電極ELB和電極ELD在x方向連接成整體的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，梳狀電極CSEl和梳狀電極CSE2以電極ELA至電極ELD交替地并行的方式布置。
[0038]這里，例如，當(dāng)進(jìn)行與電容元件CAP(R)的微小型化對(duì)應(yīng)的縮小電極ELA至電極ELD之間間隔的微小型化時(shí)，預(yù)計(jì)通過(guò)單個(gè)掩膜形成電極ELA至ELD的微細(xì)加工技術(shù)是不能夠應(yīng)對(duì)的。因此，即使在當(dāng)前的微細(xì)加工技術(shù)中，例如，已知有被稱作所謂的雙重圖案化方法的技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)進(jìn)一步的微小型化。
[0039]雙重圖案化方法是用于通過(guò)分離的掩膜形成彼此相鄰的圖案從而放寬通過(guò)單個(gè)掩膜形成的圖案的微小型化水平的方法。這樣，雙重圖案化方法的使用使得即使在當(dāng)前的微細(xì)加工技術(shù)中也能應(yīng)對(duì)超越了性能極限的微小型化。
[0040]具體而言,雙重圖案化方法是,例如,在圖1A中:通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化形成構(gòu)成梳狀電極CSEl的電極ELA和電極ELC，通過(guò)使用第二掩膜的第二圖案化形成構(gòu)成梳狀電極CSE2的電極ELB和電極ELD。在圖1A中，通過(guò)第一圖案化形成的梳狀電極CSEl顯示為空白區(qū)域，而通過(guò)第二圖案化形成的梳狀電極CSE2顯示為網(wǎng)點(diǎn)區(qū)域。
[0041]此處，圖1A示出了如下情況:在雙重圖案化方法中，在用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移的狀態(tài)下形成電極ELA至電極ELD。在這種情況下，電極ELA和電極ELB之間的間隔、電極ELB和電極ELC之間的間隔以及電極ELC和電極ELD之間的間隔都彼此相等，例如，為“L”。相應(yīng)地，電極ELA和電極ELB之間的電容、電極ELB和電極ELC之間的電容以及電極ELC和電極ELD之間的電容都彼此相等。例如，它們的電容值為“C”。此時(shí)，因?yàn)樯衔拿枋龅?個(gè)電極間電容并聯(lián)連接，相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP (R)的電容值為“3C” (設(shè)計(jì)值)。
[0042]<相關(guān)技術(shù)存在的改善空間>
[0043]然而，考慮到因?yàn)樵陔p重圖案化方法中相鄰的圖案是通過(guò)分離的掩膜形成的，例如，由于掩膜之間的位置偏移，相鄰電極之間的距離會(huì)偏離設(shè)計(jì)值“L”。
[0044]具體而言，圖1B是顯示在用于第二圖案化的第二掩膜相對(duì)于用于第一圖案化的第一掩膜沿X方向位置偏移“a”的狀態(tài)下形成電極ELA至電極ELD的情況的圖。在圖1B中，作為第二掩膜相對(duì)于第一掩膜沿X方向位置偏移“a”的結(jié)果，電極ELA和電極ELB之間的距離變?yōu)椤癓+a”，電極ELB和電極ELC之間的距離變?yōu)椤癓_a”，電極ELC和電極ELD之間的距離變?yōu)椤癓+a”。
[0045]這樣，在掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)下的電容元件CAP(R)的電容量如下文所示的公式⑴所示:
[0046]I.C.L/ (L-a) +2.C.L/ (L+a)
[0047]= {C.L.(L+a) +2.C.L.(L_a)} / {(L+a) (L_a)}
[0048]= (3.C.L.L-C.L.a) / {(L+a) (L_a)}...(I)
[0049]相應(yīng)地，在掩膜之間存在位置偏移的情況和掩膜之間不存在位置偏移的情況之間產(chǎn)生的差如公式(2)所示:
[0050]差值=3.C - (3.C.L.L-C.L.a) / {L+a} (L_a)}
[0051]= (C.L.a~3.C.a.a) / {(L+a) (L_a)}...(2)
[0052]如上所述，當(dāng)在雙重圖案化方法中的掩膜之間存在位置偏移時(shí)，相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP (R)的電容值從“3C”(設(shè)計(jì)值)變化公式⑵所示的差值。因?yàn)殡娙葜档倪@種偏離甚至成為改變半導(dǎo)體裝置的特性的因素，從充分抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化的角度來(lái)看，需要盡可能地減小電容值的偏離。
[0053]因而，盡管雙重圖案化方法能夠應(yīng)對(duì)超越了使用單個(gè)掩膜的微細(xì)加工技術(shù)的性能極限的微小型化，由于容易發(fā)生掩膜之間的位置偏移，在半導(dǎo)體裝置的特性變化方面具有改善空間。
[0054]因此，本發(fā)明實(shí)施方式應(yīng)用了用于通過(guò)使用雙重圖案化方法抑制半導(dǎo)體裝置的特性顯著變化的設(shè)計(jì)。下文將對(duì)在應(yīng)用了該設(shè)計(jì)的本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)原理進(jìn)行說(shuō)明。
[0055]〈第一實(shí)施方式的基本原理〉
[0056]圖2A和2B分別是用于描述第一實(shí)施方式的基本原理的圖。在圖2A中，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB在彼此并行的同時(shí)沿y方向延伸。也就是說(shuō)，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB在保持二者間的距離為“L”的同時(shí)沿y方向延伸。此時(shí)，導(dǎo)體圖案CPA具有第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)，導(dǎo)體圖案CPB具有第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)。進(jìn)一步地，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)布置在彼此相對(duì)的位置。結(jié)果，通過(guò)導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)形成電容。另一方面，導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)布置在彼此相對(duì)的位置。結(jié)果，通過(guò)導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2⑶形成電容。
[0057]這里，通過(guò)使用例如光刻技術(shù)的圖案化形成彼此并行的導(dǎo)體圖案CPA和CPB。在本實(shí)施方式中，具體而言，通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化形成導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)，而通過(guò)使用第二掩膜的第二圖案化形成導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)。在圖2A中，例如，均通過(guò)第一圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)顯示為空白區(qū)域，而均通過(guò)第二圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)顯示為網(wǎng)點(diǎn)區(qū)域。進(jìn)一步地，圖2A顯示了在雙重圖案化方法中，在用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移的狀態(tài)下形成導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB的情況。在這種情況下，例如，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB之間的距離為“L”。
[0058]然而，在雙重圖案化方法中，例如，因?yàn)橄噜彽膱D案是通過(guò)分離的掩膜形成的，認(rèn)為根據(jù)掩膜的位置偏移，相鄰電極之間的距離會(huì)位置偏移偏離設(shè)計(jì)值“L”。
[0059]具體而言，圖2B是顯示在用于第二圖案化的第二掩膜相對(duì)于用于第一圖案化的第一掩膜沿X方向位置偏移“a”的狀態(tài)下形成導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB的情況。如圖2B所示，作為第二掩膜相對(duì)于第一掩膜沿X方向位置偏移“a”的結(jié)果，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)之間的距離變?yōu)椤癓+a”，導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)之間的距離變?yōu)椤癓_a”。本實(shí)施方式的基本原理在于此。
[0060]也就是說(shuō)，本實(shí)施方式的基本原理的特點(diǎn)在于下文所示的觀點(diǎn)。例如，如圖2A所示，在布置為彼此并行的導(dǎo)體圖案CPA和CPB中，導(dǎo)體圖案CPA被分為第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)，導(dǎo)體圖案CPB同樣被分為第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)。進(jìn)一步地，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。也就是說(shuō)，如圖2A所示，雙方彼此相對(duì)的導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。進(jìn)一步地，雙方彼此相對(duì)的導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0061]此時(shí)，如圖2A所示，當(dāng)著眼于導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)時(shí)，通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)相對(duì)地布置在左側(cè)，通過(guò)使用第二掩膜的第二圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)相對(duì)地布置在右側(cè)。另一方面，如圖2A所示，當(dāng)著眼于導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)時(shí)，通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)相對(duì)地布置在右側(cè)，通過(guò)使用第二掩膜的第二圖案化形成的導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)相對(duì)地布置在左側(cè)。
[0062]這樣，如圖2A所示，與導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl(B)有關(guān)的第一圖案化和第二圖案化的位置關(guān)系，以及與導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)有關(guān)的第一圖案化和第二圖案化的位置關(guān)系，是反向地布置的。
[0063]根據(jù)本實(shí)施方式的這種基本原理，即使當(dāng)用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，也能抑制導(dǎo)體圖案CPA和CPB之間形成的電容的值的變化。這一點(diǎn)將在下文進(jìn)行具體說(shuō)明。假設(shè)，如圖2B所示，例如，用于第二圖案化的第二掩膜的位置相對(duì)于用于第一圖案化的第一掩膜的位置沿X方向(右側(cè))偏移“a”。
[0064]在這種情況下，如圖2B所示，在導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)之間的關(guān)系中，布置在右側(cè)的導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)進(jìn)一步向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分PUB)之間的距離擴(kuò)展至“L+a”。結(jié)果，在導(dǎo)體圖案CPA的第一部分PUA)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移引起的電容的變化為在電容減小的方向上的變化。
[0065]另一方面，如圖2B所示，在導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)之間的距離縮小至“L-a”。結(jié)果，在導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移引起的電容的變化為在電容變大的方向上的變化。
[0066]這樣，當(dāng)考慮與導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB相關(guān)的整體電容時(shí)，由于掩膜之間的位置偏移引起的整體電容的變化通過(guò)導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)之間的電容的減小和導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)之間的電容的增大而被抵消、減小。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式的基本原理，能夠減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB之間的電容的變化，從而使抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化成為可能。
[0067]這樣，本實(shí)施方式的基本原理以通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化和使用第二掩膜的第二圖案化的結(jié)合形成導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB為前提。進(jìn)一步地，本基本原理是這樣的原理:導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB，以存在與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比距離變小的部分和與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比距離變大的部分的方式，被分別分為通過(guò)第一圖案化形成的部分和通過(guò)第二圖案化形成的部分。
[0068]換而言之，本基本原理也可看做這樣的原理:當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB，以存在與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比電容變小的部分和與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比電容變大的部分的方式，被分別分為通過(guò)第一圖案化形成的部分和通過(guò)第二圖案化形成的部分。
[0069]例如，通過(guò)導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl⑶形成的電容被定義為第一導(dǎo)體間電容。通過(guò)導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)形成的電容定義為第二導(dǎo)體間電容。在這種情況下，本實(shí)施方式的基本原理可以采用這樣的具體形式:當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，第一導(dǎo)體間電容相比掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況變大，而第二導(dǎo)體間電容相比掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況變小。可選地，基本原理也可采用另一實(shí)現(xiàn)方式:當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，第一導(dǎo)體間電容相比掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況變小，而第二導(dǎo)體間電容相比掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況變大。
[0070]這里，與掩膜之間發(fā)生位置偏移的導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB相關(guān)的整體電容的變化表示為:上述第一導(dǎo)體間電容的增大和上述第二導(dǎo)體間電容的減小的相加，或上述第一導(dǎo)體間電容的減小和上述第二導(dǎo)體間電容的增大的相加。因此，從減小整體電容變化的角度來(lái)看，第一導(dǎo)體間電容的變化和第二導(dǎo)體間電容的變化優(yōu)選為盡可能相等。這是因?yàn)椋绻谝粚?dǎo)體間電容的變化和第二導(dǎo)體間電容的變化相等，則電容變化被完全抵消，因此整體電容的變化可以降低為無(wú)限小的值。從這個(gè)觀點(diǎn)來(lái)看，期望的是，例如導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)的面積和導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)的面積相等，以及導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)的面積和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)的面積相等。
[0071]這就是本實(shí)施方式的基本原理，但是在本實(shí)施方式中在具體實(shí)現(xiàn)該基本原理時(shí)作了進(jìn)一步的設(shè)計(jì)。這一點(diǎn)將在下文描述。
[0072]在圖2B中，當(dāng)導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)偏離導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)形成時(shí)，例如，存在下述可能性:連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的部分將會(huì)變窄，并且第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)之間的連接的可靠性將會(huì)降低。在極端情況下，還存在第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)斷開的可能性。
[0073]也就是說(shuō)，上述基本原理的特征在于，例如，導(dǎo)體圖案CPA被分為第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)，第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)通過(guò)使用不同掩膜的圖案化形成。然而，這是因?yàn)?，?dāng)考慮到實(shí)際實(shí)現(xiàn)所述基本原理時(shí)，有必要考慮由于掩膜之間的位置偏移引起的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)之間的連接的可靠性的降低。
[0074]這樣，在本實(shí)施方式中，在實(shí)現(xiàn)所述基本原理時(shí)，做出一種設(shè)計(jì)以甚至在掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)抑制導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPA第二部分P2 (A)之間的連接的可靠性的降低。
[0075]圖3A和3B分別是用于描述該設(shè)計(jì)點(diǎn)的圖。在圖3A中，導(dǎo)體圖案CPA具有第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)并進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的連接部分CNP(A)。此時(shí)，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分PUA)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2(A)沿y方向延伸并且布置為在與y方向正交的x方向偏離第一部分Pl (A)。連接部分CNP(A)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)。
[0076]同樣地，在圖3A中，導(dǎo)體圖案CPB具有第一部分Pl (B)和第二部分P2(B)并且進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (B)和第二部分P2(B)的連接部分CNP(B)。此時(shí)，導(dǎo)體圖案CPB的第一部分PUB)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2⑶沿y方向延伸并且布置為在與I方向正交的X方向偏離第一部分Pl (B)。連接部分CNP(B)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)。
[0077]這里，如圖3A所示，導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl(B)中的每一者布置在一條直線(虛擬直線)上。導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB布置為相對(duì)于虛擬直線上y方向的中心點(diǎn)大體呈點(diǎn)對(duì)稱。進(jìn)一步地，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB布置為彼此并行。
[0078]此時(shí)，術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB彼此并行”意思是導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB在保持二者之間的距離為規(guī)定距離(L)的同時(shí)延伸，與導(dǎo)體圖案CPA和CPB的形狀無(wú)關(guān)。
[0079]例如，術(shù)語(yǔ)“相互平行”被認(rèn)為是，如圖2A所示，相對(duì)于彼此成直線形狀的導(dǎo)體圖案CPA和CPB通常在保持它們?cè)谝?guī)定距離(L)的同時(shí)沿y方向延伸。另一方面，術(shù)語(yǔ)“彼此并行”意在用于還包括如下狀態(tài)的概念，在所述狀態(tài)下，如圖3A所示，例如，不具有直線形狀的導(dǎo)體圖案CPA和不具有直線形狀的導(dǎo)體圖案CPB在被保持在規(guī)定距離(L)的同時(shí)延伸。也就是說(shuō)，在本說(shuō)明書中使用的“導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB彼此并行”作為比“導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB相互平行”更寬泛的概念進(jìn)行使用，因?yàn)閷?dǎo)體圖案CPA的形狀和導(dǎo)體圖案CPB的形狀還包括非直線的形狀。
[0080]考慮如下情況:在以這種方式被配置成包括連接部分CNP (A)和連接部分CNP (B)的導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB中，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB的掩膜之間發(fā)生了位置偏移。例如，圖3B是顯示在用于第一圖案化的第一掩膜相對(duì)于用于第二圖案化的第二掩膜在X方向位置偏移“a”的狀態(tài)下形成導(dǎo)體圖案CPA和CPB的情況的圖。
[0081]首先著眼于導(dǎo)體圖案CPA時(shí)，如圖3A所示，當(dāng)掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)通過(guò)連接部分CNP (A)彼此可靠地連接。進(jìn)一步地，在本實(shí)施方式中，發(fā)現(xiàn)即使當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，如圖3B所示，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)之間的連接的可靠性由于連接部分CNP (A)的存在而變得可靠。
[0082]接下來(lái)著眼于導(dǎo)體圖案CPB時(shí)，如圖3A所示，在掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)，導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)通過(guò)連接部分CNP(B)彼此可靠地連接。進(jìn)一步地，在本實(shí)施方式中，發(fā)現(xiàn)即使當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，如圖3B所示，連接部分CNP(B)的存在確保了導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)之間的連接的可靠性。也就是說(shuō)，在如圖3B所示的導(dǎo)體圖案CPB的情況下，導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)由于掩膜之間的位置偏移而從連接部分CNP(B)伸出，但是即使在伸出部分也與連接部分CNP(B)的側(cè)表面連接，以便保持導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2(B)和連接部分CNP (B)之間的連接的可靠性。
[0083]綜上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，即使當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，通過(guò)連接部分CNP (A)將導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)彼此連接能確保導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)之間的連接的可靠性。
[0084]同樣地，根據(jù)本實(shí)施方式，即使當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，通過(guò)連接部分CNP(B)將導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)彼此連接能確保導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)之間的連接的可靠性。
[0085]綜上所述，本實(shí)施方式的第一特征點(diǎn)在于，當(dāng)掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB以存在與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比距離變小的部分和與掩膜之間未發(fā)生位置偏移的情況相比距離變大的部分的方式，被分別分為通過(guò)第一圖案化形成的部分和通過(guò)第二圖案化形成的部分。換而言之，本實(shí)施方式的第一特征點(diǎn)在于，如圖2A和2B所示，例如，導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2 (B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。
[0086]這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，即使當(dāng)用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，也能抑制導(dǎo)體圖案CPA和CPB之間形成的電容的值的變化。
[0087]進(jìn)一步地，本實(shí)施方式的第二特征點(diǎn)在于，從有助于實(shí)現(xiàn)上述第一特征點(diǎn)的角度來(lái)看，如圖3A和3B所示，例如，導(dǎo)體圖案CPA由通過(guò)連接部分CNP(A)連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的結(jié)構(gòu)形成，導(dǎo)體圖案CPB由通過(guò)連接部CNP (B)連接第一部分Pl (B)和第二部分P2(B)的結(jié)構(gòu)形成。
[0088]這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠在保持上述第一特征點(diǎn)的能抑制導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB之間形成的電容的值的變化這一優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，依靠上述第二特征點(diǎn)抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的連接的可靠性的降低。
[0089]〈在第一實(shí)施方式中的導(dǎo)體圖案的制造方法〉
[0090]接下來(lái)，將描述在本實(shí)施方式中的制造導(dǎo)體圖案的方法。圖4是顯示在本實(shí)施方式中的制造導(dǎo)體圖案的工序的流程圖。此處提及的導(dǎo)體圖案假定為，例如，電容元件和配線。這些組件在半導(dǎo)體襯底的主表面之上形成。此時(shí)，術(shù)語(yǔ)“在半導(dǎo)體襯底的主表面之上”用于這樣的原理:不僅包括直接在半導(dǎo)體襯底上形成組件的情況，還包括例如在半導(dǎo)體襯底形成以場(chǎng)效應(yīng)晶體管為代表的半導(dǎo)體元件并且在形成覆蓋半導(dǎo)體元件的層間絕緣膜之后，在層間絕緣膜之上形成所述組件的情況。即，本說(shuō)明書中描述的“在半導(dǎo)體襯底的主表面之上”用于這樣的目的:不僅包括“在半導(dǎo)體襯底上(on)”，還包括“在半導(dǎo)體襯底的上方(over)”。
[0091]首先，在圖4中，例如，準(zhǔn)備由單晶硅組成的半導(dǎo)體襯底并在半導(dǎo)體襯底的主表面之上形成導(dǎo)體膜(SlOl)。例如，導(dǎo)體膜由鋁膜、銅膜(Cu膜)或多晶硅膜形成。具體而言，當(dāng)導(dǎo)體膜為鋁膜時(shí)，使用濺射方法形成該導(dǎo)體膜。當(dāng)導(dǎo)體膜為銅膜時(shí)，使用金屬鑲嵌(damascene)技術(shù)形成該導(dǎo)體膜。當(dāng)導(dǎo)體膜為多晶硅膜時(shí)，使用CVD(化學(xué)氣相沉積)方法形成該導(dǎo)體膜。
[0092]接下來(lái)，將使用第一掩膜的第一圖案化應(yīng)用于所述形成的導(dǎo)體膜以形成第一導(dǎo)體圖案的第一部分和第二導(dǎo)體圖案的第二部分(S102)。具體而言，如圖3A所示，例如，形成導(dǎo)體圖案CPA的第一部分Pl (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第二部分P2⑶。
[0093]隨后，將使用第二掩膜的第二圖案化應(yīng)用于所述形成的導(dǎo)體膜以形成第一導(dǎo)體圖案的第二部分和第二導(dǎo)體圖案的第一部分(S103)。具體而言，如圖3A所示，例如，形成導(dǎo)體圖案CPA的第二部分P2 (A)和導(dǎo)體圖案CPB的第一部分Pl⑶。
[0094]之后，在形成的導(dǎo)體膜上執(zhí)行對(duì)連接第一導(dǎo)體圖案的第一部分和第二部分的第一連接部分的圖案化(S104)。隨后，執(zhí)行對(duì)連接第二導(dǎo)體圖案的第一部分和第二部分的第二連接部分的圖案化(S105)。具體而言，如圖3A所示，例如，形成用作第一連接部分的連接部分CNP(A)并隨后形成用作第二連接部分的連接部分CNP(B)。
[0095]能采用上述方法形成本實(shí)施方式中的第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案。具體而言，例如，能制造均在圖3A中所示的并且彼此并行的導(dǎo)體圖案CPA和導(dǎo)體圖案CPB。
[0096]順便提一下，盡管已經(jīng)在圖4中描述了在執(zhí)行使用第一掩膜的第一圖案化之后執(zhí)行使用第二掩膜的第二圖案化的例子，但本發(fā)明不限于此?？梢栽趫?zhí)行使用第二掩膜的第二圖案化之后執(zhí)行使用第一掩膜的第一圖案化。在圖4中還描述了在執(zhí)行第一連接部分的圖案化之后實(shí)施第二連接部分的圖案化的例子，但也可以在執(zhí)行第二連接部分的圖案化之后實(shí)施第一連接部分的圖案化。而且，圖4所示的步驟S102至步驟S105并不一定需要按此順序?qū)嵤┎⑶铱梢砸匀我忭樞蜻M(jìn)行切換。
[0097]<第一實(shí)施方式的基本原理應(yīng)用至電容元件的例子>
[0098]接下來(lái)將對(duì)把第一實(shí)施方式的基本概原理應(yīng)用至由導(dǎo)體圖案組成的電容元件的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0099]圖5A是顯示本實(shí)施方式中的電容元件CAPl的平面結(jié)構(gòu)的圖。在圖5A中，電容元件CAPl由梳狀電極CSEl和梳狀電極CSE2組成。梳狀電極CSEl具有均沿y方向延伸的電極ELA和電極ELC在X方向連接成整體的結(jié)構(gòu)。梳狀電極CSE2同樣具有均沿y方向延伸的電極ELB和電極ELD在X方向連接成整體的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，梳狀電極CSEl和梳狀電極CSE2以電極ELA至電極ELD交替地彼此相鄰的方式布置。此時(shí)，電極ELA和電極ELB之間的距離、電極ELB和電極ELC之間的距離以及電極ELC和電極ELD之間的距離均為“L”。
[0100]然后，構(gòu)成梳狀電極CSEl的一部分的電極ELA具有第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)并且進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的連接部分CNP (A)。此時(shí)，電極ELA的第一部分Pl (A)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，電極ELA的第二部分P2 (A)沿y方向延伸并布置為在與I方向正交的X方向偏離第一部分Pl (A)。然后，連接部分CNP(A)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)。
[0101]同樣地,構(gòu)成梳狀電極CSEl的一部分的電極ELC具有第一部分Pl (C)和第二部分P2(C)并且進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (C)和第二部分P2 (C)的連接部分CNP (C)。此時(shí)，電極ELC的第一部分Pl (C)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，電極ELC的第二部分P2 (C)沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的X方向偏離第一部分Pl (C)。然后，連接部分CNP(C)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (C)和第二部分P2 (C)。
[0102]同樣地，構(gòu)成梳狀電極CSE2的一部分的電極ELB具有第一部分Pl (B)和第二部分P2(B)并且進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的連接部分CNP (B)。此時(shí)，電極ELB的第一部分PUB)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，電極ELB的第二部分P2⑶沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的X方向偏離第一部分Pl (B)。然后，連接部分CNP(B)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)。
[0103]同樣地，構(gòu)成梳狀電極CSE2的一部分的電極ELD具有第一部分Pl(D)和第二部分P2(D)并且進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (D)和第二部分P2 (D)的連接部分CNP (D)。此時(shí)，電極ELD的第一部分PUD)布置為沿y方向延伸。進(jìn)一步地，電極ELD的第二部分P2⑶沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的X方向偏離第一部分Pl (D)。然后，連接部分CNP(D)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (D)和第二部分P2 (D)。
[0104]順便提一下，在圖5A中，電極ELB的第二部分P2⑶和電極ELC的第一部分Pl (C)布置在一條沿y方向延伸的直線(虛擬直線)上。電極ELB和電極ELC布置為相對(duì)于y方向上的虛擬直線的中心點(diǎn)呈點(diǎn)對(duì)稱。進(jìn)一步地，電極ELA和電極ELD同樣地布置為相對(duì)于其中心點(diǎn)呈點(diǎn)對(duì)稱。
[0105]當(dāng)著眼于本實(shí)施方式中的電容元件CAPl中的彼此相鄰的電極ELA和電極ELB時(shí)，電極ELA被分為第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)。而且，與電極ELA相鄰的電極ELB也被分為第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)。電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第二部分P2(B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。即，如圖5A所示，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。而且，電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第二部分P2 (B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0106]同樣地，當(dāng)著眼于彼此相鄰的電極ELC和電極ELD時(shí)，電極ELC被分為第一部分Pl (C)和第二部分P2 (C)。而且，與電極ELC相鄰的電極ELD也被分為第一部分Pl⑶和第二部分P2⑶。電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第二部分P2⑶通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而電極ELC的第二部分P2(C)和電極ELD的第一部分Pl (D)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。即，如圖5A所示，雙方彼此相對(duì)的電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第一部分Pl (D)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。而且，雙方彼此相對(duì)的電極ELC的第二部分P2 (C)和電極ELD的第二部分P2 (D)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0107]這樣，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAP1，即使當(dāng)用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，也能抑制電容值的變化。
[0108]假設(shè)，例如，如圖5B所示，用于第二圖案化的第二掩膜的位置相對(duì)于用于第一圖案化的第一掩膜的位置沿X方向(右側(cè))移動(dòng)“a”。
[0109]當(dāng)在這種情況下著眼于彼此相鄰的電極ELA和電極ELB時(shí)，如圖5B所示，在電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)之間的關(guān)系中，布置在右側(cè)的電極ELB的第一部分Pl (B)進(jìn)一步向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分PUB)之間的距離擴(kuò)展至“L+a”。結(jié)果，在電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化為在電容減小的方向上的變化。
[0110]另一方面，如圖5B所示，在電極ELA的第二部分P2(A)和電極ELB的第二部分P2⑶之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的電極ELA的第二部分P2 (A)向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第二部分P2㈧和電極ELB的第二部分P2⑶之間的距離變窄至“L_a”。結(jié)果，在電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第二部分P2 (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而弓I起的電容的變化為在電容變大的方向上的變化。
[0111]這樣，當(dāng)考慮與電極ELA和ELB相關(guān)的整體電容時(shí)，由于掩膜之間的位置偏移而引起的整體電容的變化通過(guò)電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)之間的電容的減小以及電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第二部分P2⑶之間的電容的增大而被抵消、減小。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAPl，能夠減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的電極ELA和電極ELB之間的電容的變化，從而使得抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化成為可能。
[0112]同樣地，當(dāng)著眼于彼此相鄰的電極ELB和電極ELC時(shí)，如圖5B所示，在電極ELB的第一部分Pl (B)和電極ELC的第一部分Pl (C)之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的電極ELB的第一部分Pl (B)向右側(cè)移位，導(dǎo)致雙方彼此相對(duì)的電極ELB的第一部分Pl (B)和電極ELC的第一部分Pl (C)之間的距離變窄至“L-a”。結(jié)果，在電極ELB的第一部分Pl⑶和電極ELC的第一部分Pl (C)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化成為在電容變大的方向上的變化。
[0113]另一方面，如圖5B所示，在電極ELB的第二部分P2(B)和電極ELC的第二部分P2(C)之間的關(guān)系中，布置在右側(cè)的電極ELC的第二部分P2(C)進(jìn)一步向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的電極ELB的第二部分P2 (B)和電極ELC的第二部分P2 (C)之間的距離擴(kuò)展至“L+a”。結(jié)果，在電極ELB的第二部分P2⑶和電極ELC的第二部分P2 (C)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化成為在電容被減小的方向上的變化。
[0114]這樣，當(dāng)考慮與電極ELB和ELC相關(guān)的整體電容時(shí)，由于掩膜之間的位置偏移而引起的整體電容的變化通過(guò)電極ELB的第一部分Pl⑶和電極ELC的第一部分Pl (C)之間的電容的增大以及電極ELB的第二部分P2⑶和電極ELC的第二部分P2 (C)之間的電容的減小而被抵消、減小。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAPl，能夠減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的電極ELB和電極ELC之間的電容的變化，從而使得抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化成為可能。
[0115]進(jìn)一步地，當(dāng)著眼于彼此相鄰的電極ELC和電極ELD時(shí)，如圖5B所示，在電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第一部分Pl (D)之間的關(guān)系中，布置在右側(cè)的電極ELD的第一部分Pl (D)進(jìn)一步向右側(cè)移位，以致雙方彼此相對(duì)的電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第一部分PUD)之間的距離擴(kuò)展至“L+a”。結(jié)果，在電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第一部分Pl (D)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化成為在電容變小的方向上的變化。
[0116]另一方面，如圖5B所示，在電極ELC的第二部分P2(C)和電極ELD的第二部分P2(D)之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的電極ELC的第二部分P2(C)向右側(cè)移位，以致雙方彼此相對(duì)的電極ELC的第二部分P2 (C)和電極ELD的第二部分P2⑶之間的距離變窄至“L_a”。結(jié)果，在電極ELC的第二部分P2 (C)和電極ELD的第二部分P2 (D)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移引起的電容的變化成為在電容變大的方向上的變化。
[0117]這樣，當(dāng)考慮到與電極ELC和ELD相關(guān)的整體電容時(shí)，由于掩膜之間的位置偏移而引起的整體電容的變化通過(guò)電極ELC的第一部分Pl (C)和電極ELD的第一部分PUD)之間的電容的減小以及電極ELC的第二部分P2 (C)和電極ELD的第二部分P2 (D)之間的電容的增大而被抵消、減小。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAPl，能夠減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的電極ELC和電極ELD之間的電容的變化，從而使得抑制半導(dǎo)體裝置的特性的變化成為可能。
[0118]因?yàn)槟芟裆衔乃龅哪菢訙p小通過(guò)電極ELA和電極ELB形成的電容的變化、通過(guò)電極ELB和電極ELC形成的電容的變化以及通過(guò)電極ELC和電極ELD形成的電容的變化，根據(jù)本實(shí)施方式能夠提供減小了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響的高精度電容元件CAPl。特別地，從有效抑制電容值變化的角度來(lái)看，期望第一圖案化的面積和第二圖案化的面積大約相等。
[0119]接下來(lái)將從量化的角度，對(duì)與圖1A和IB所示的相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP (R)相比根據(jù)圖5A和5B所示的本實(shí)施方式中的電容元件CAPl能抑制由于掩膜之間的位置偏移引起的電容的變化的觀點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0120]首先，圖5A顯示了在用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移的狀態(tài)下形成電極ELA至電極ELD的情況。在這種情況下，例如，電極ELA和電極ELB之間的間隔、電極ELB和ELC之間的間隔以及電極ELC和ELD之間的間隔均互相相等并且分別為“L”。這樣，電極ELA和ELB之間的電容、電極ELB和ELC之間的電容以及電極ELC和ELD之間的電容均互相相等。例如，取它們的電容值為“C”。此時(shí)，因?yàn)樯衔拿枋龅?個(gè)電極間電容并聯(lián)連接，本實(shí)施方式中的電容元件CAPl的電容值為“3C”(設(shè)計(jì)值)。
[0121]隨后，圖5B是顯示在用于第二圖案化的第二掩膜相對(duì)于用于第一圖案化的第一掩膜在X方向位置偏移“a”的狀態(tài)下形成電極ELA至ELD的情況的圖。在圖5B中，作為第二掩膜相對(duì)于第一掩膜在X方向位置偏移“a”的結(jié)果，在掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)下的電容元件CAPl的電容如下文所示公式(3)所示:
[0122]I.C.L/ (L-a) +1.C.L/ (L+a) +1/2.0L/ (L-a) +1/2.0L/ (L+a)
[0123]= {1.5.C.L.(L+a) +1.5.C.L.(L_a)}/ {(L+a) (L_a)}
[0124]= 3.C.L.L/ {(L+a) (L_a)}...(3)
[0125]相應(yīng)地，在掩膜之間存在位置偏移的情況和掩膜之間不存在位置偏移的情況之間所產(chǎn)生的差值如公式(4)所示:
[0126]差值=3.C - (3.C.L.L)/{L+a}} (L-a)}
[0127]= -3.C.a.a/ {(L+a) (L_a)}...(4)
[0128]如上所述，在雙重圖案化方法中，當(dāng)掩膜之間存在位置偏移時(shí)，在本實(shí)施方式中的電容元件CPAl的電容值與“3C”(設(shè)計(jì)值)相比改變了公式⑷所示的差值。
[0129]這里，在相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP(R)的電容的變化在公式(2)中表示，在本實(shí)施方式中的電容元件CAPl的電容的變化在公式(4)中表示。相應(yīng)地，當(dāng)采用公式(2)和公式(4)之間的差值來(lái)比較本實(shí)施方式中的電容元件CAPl的電容的變化量與相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP(R)的電容的變化量時(shí)，如公式(5)所示:
[0130](公式2)-(公式 4) = C.L.a/ {(L+a) (L_a)}...(5)
[0131]也就是說(shuō)，相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP (R)的電容的變化比本實(shí)施方式中的電容元件CAPl的電容的變化要大公式(5)所示的量。換而言之，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAPl，能夠減小其電容的變化，所減小的電容的變化比相關(guān)技術(shù)中的電容元件CAP(R)的電容的變化多公式(5)所表達(dá)的量。
[0132]這樣，根據(jù)本實(shí)施方式中的電容元件CAP1，即使使用雙重圖案化方法也能減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化，借此能提供高精度的電容元件CAP1。也就是說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施方式，能在保持雙重圖案化應(yīng)對(duì)超越了使用單個(gè)掩膜的微細(xì)加工技術(shù)的性能極限的微小型化這一優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，提供抑制由于掩膜未對(duì)準(zhǔn)引起的電容元件CAPl的特性變化并具有高精度的電容元件CAPl。
[0133]進(jìn)一步地，即使在本實(shí)施方式中的電容元件CAPl中，如圖5A和5B所示，例如，電極ELA由通過(guò)連接部分CNP(A)連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的結(jié)構(gòu)形成，電極ELB由通過(guò)CNP(B)連接第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的結(jié)構(gòu)形成。同樣地，在本實(shí)施方式中的電容元件CAPl中，電極ELC由通過(guò)連接部分CNP(C)連接第一部分Pl (C)和第二部分P2(C)的結(jié)構(gòu)形成，電極ELD由通過(guò)CNP (D)連接第一部分Pl (D)和第二部分P2 (D)的結(jié)構(gòu)形成。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，在保持能抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容變化這一優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，通過(guò)采用具有上述連接部分CNP(A)至連接部分CNP(D)的電極結(jié)能夠構(gòu)抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的在各個(gè)電極ELA至ELD的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低。
[0134]〈第一變形例〉
[0135]接下來(lái)將對(duì)本變形例中的電容元件CAP2進(jìn)行說(shuō)明。圖6是顯示本變形例中的電容元件CAP2的平面結(jié)構(gòu)的圖。因?yàn)閳D6所示的本變形例中的電容元件CAP2與圖5A所示的第一實(shí)施方式中的電容元件CAPl在結(jié)構(gòu)方面幾乎類似，將以它們之間的差異為中心對(duì)電容元件CAP2進(jìn)行說(shuō)明。
[0136]在圖6中，在本變形例的電容元件CAP2中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的連接部分與第二部分P2 (A)形成一體。類似地，在本變形例的電容元件CAP2中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)及其第二部分P2(B)的連接部分與第二部分P2(B)形成一體。連接電極ELC的第一部分Pl (C)和第二部分P2(C)的連接部分與第二部分P2(C)形成一體。進(jìn)一步地，連接電極ELD的第一部分Pl (D)及其第二部分P2(D)的連接部分與第二部分P2(D)形成一體。在這種情況下，電極ELA至電極ELD形成在與第一部分、第二部分和連接部分同一層。
[0137]根據(jù)這種變形例的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槟芡ㄟ^(guò)第二部分的圖案化同時(shí)形成連接部分，即使在使用雙重圖案化方法時(shí)，也能簡(jiǎn)化電容元件CAP2的制造工藝。
[0138]順便提一下，本變形例描述了連接部分和第二部分形成一體的例子，但不限于此。例如，連接部分和第一部分也能形成一體。
[0139]〈第二變形例〉
[0140]接下來(lái)將對(duì)本變形例中的電容元件CAP3進(jìn)行說(shuō)明。圖7是顯示本變形例中的電容元件CAP3的平面結(jié)構(gòu)的圖。因?yàn)閳D7所示的本變形例中的電容元件CAP3與圖5A所示的第一實(shí)施方式的電容元件CAPl在結(jié)構(gòu)方面幾乎類似，將以它們之間的不同為中心對(duì)電容元件CAP3進(jìn)行說(shuō)明。
[0141]在圖7中，在本變形例的電容元件CAP3中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)及其第二部分P2 (A)的連接部分形成在與第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)不同的層。同樣地，在本變形例的電容元件CAP3中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)及其第二部分P2 (B)的連接部分形成在與第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)不同的層。連接電極ELC的第一部分Pl (C)及其第二部分P2 (C)的連接部分形成在與第一部分Pl (C)和第二部分P2 (C)不同的層。進(jìn)一步地，連接電極ELD的第一部分Pl (D)及其第二部分P2(D)的連接部分形成在與第一部分Pl (D)和第二部分P2 (D)不同的層。
[0142]在這種情況下，例如，在電極ELA至電極ELD中的每一者，連接第一部分和第二部分的連接部分形成在形成有第一部分和第二部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行連接部分和第一部分的連接以及連接部分和第二部分的連接。
[0143]〈第三變形例〉
[0144]隨后，將對(duì)本變形例中的電容元件CAP4進(jìn)行說(shuō)明。圖8是顯示本變形例中的電容元件CAP4的結(jié)構(gòu)的代表性的圖。如圖8所示，例如，本變形例中的電容元件CAP4采取在多個(gè)層形成電容的三維結(jié)構(gòu)。即使在具有這種三維結(jié)構(gòu)的電容元件CAP4中，也能將第一實(shí)施方式中的技術(shù)原理應(yīng)用至在每一層形成的電容。
[0145]具體而言，在圖8中，在互相層疊的三個(gè)層中的每一層形成具有第一實(shí)施方式的第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)的電容。層疊布置的電容中的每一者的一個(gè)電極與公共節(jié)點(diǎn)X連接，另一電極與公共節(jié)點(diǎn)Y連接。這樣，第一實(shí)施方式中的技術(shù)原理不僅能應(yīng)用于在一個(gè)平面內(nèi)形成的電容元件，還能應(yīng)用于具有如圖8所示的三維結(jié)構(gòu)的電容元件CAP4。
[0146]〈第四變形例〉
[0147]接下來(lái)將對(duì)本變形例的電容元件CAP5進(jìn)行說(shuō)明。圖9是顯示本變形例中的電容元件CAP5的平面結(jié)構(gòu)的圖。因?yàn)閳D9所示的本變形例中的電容元件CAP5與圖5A所示第一實(shí)施方式的電容元件CAPl在結(jié)構(gòu)方面幾乎類似，將以它們之間的不同為中心對(duì)電容元件CAP5進(jìn)行說(shuō)明。
[0148]在圖9中，下面將通過(guò)著眼于構(gòu)成梳狀電極CSEl的一部分的電極ELA和構(gòu)成梳狀電極CSE2的一部分的電極ELB對(duì)本變形例的特征點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。如圖9所示，電極ELA和電極ELB布置在彼此相鄰的位置并且在保持它們彼此之間具有規(guī)定距離的同時(shí)彼此并行地延伸。
[0149]這里，本變形例的特征點(diǎn)在于:電極ELA被分為第一部分Pl (A)、第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)，第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)通過(guò)第一連接部分CNPl (A)連接，并且第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)通過(guò)第二連接部分CNP2 (A)連接。也就是說(shuō)，在圖5A所示的第一實(shí)施方式中，電極ELA分為兩部分并配置為具有將分開的部分相互連接的一個(gè)連接部分。另一方面，圖9所示的本變形例中的電容元件CAP5與第一實(shí)施方式中的電容元件CAPl不同在于，電極ELA被分為三部分并配置為具有將分開的部分相互連接的兩個(gè)連接部分。
[0150]同樣地，在本變形例中，如圖9所示，電極ELB也被分為第一部分Pl (B)、第二部分P2(B)和第三部分P3 (B)。第一部分PUB)和第二部分P2 (B)通過(guò)第一連接部分CNPl (B)連接，并且第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)通過(guò)第二連接部分CNP2 (B)連接。
[0151]即使在以這種方式配置的本變形例的電容元件CAP5中也體現(xiàn)了第一實(shí)施方式的第一特征點(diǎn)。也就是說(shuō)，當(dāng)著眼于彼此相鄰的電極ELA和電極ELB時(shí)，電極ELA被分為第一部分Pl (A)、第二部分P2㈧和第三部分P3 (A)，與電極ELA相鄰的電極ELB同樣被分為第一部分Pl (B)、第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)。
[0152]然后，電極ELA的第一部分Pl (A)、電極ELB的第二部分P2⑶和電極ELA的第三部分P3 (A)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而電極ELA的第二部分P2 (A)、電極ELB的第一部分Pl (B)和電極ELB的第三部分P3 (B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，如圖9所示，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第二部分P2 (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。進(jìn)一步地，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第三部分P3 (A)和電極ELB的第三部分P3(B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0153]結(jié)果，因?yàn)楸咀冃卫灶愃朴诘谝粚?shí)施方式的方式也具有第一特征點(diǎn)，能提供降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響的高精度電容元件CAP5。本變形例與第一實(shí)施方式類似，尤其在從有效抑制電容值變化的角度來(lái)看期望第一圖案化的面積和第二圖案化的面積大約相等。
[0154]進(jìn)一步地，本變形例以類似于第一實(shí)施方式的方式還具有第二特征點(diǎn)。S卩，即使在本變形例中，如圖9所示，例如，電極ELA由第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)通過(guò)第一連接部分CNPl (A)連接以及第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)通過(guò)第二連接部分CNP2 (A)連接的結(jié)構(gòu)形成。同樣地，在本變形例中，電極ELB由第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)通過(guò)第一連接部分CNPl (B)連接以及第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)通過(guò)第二連接部分CNP2 (B)連接的結(jié)構(gòu)形成。
[0155]這樣，根據(jù)本變形例，在各個(gè)電極ELA和電極ELB，通過(guò)采用具有第一連接部分和第二連接部分的電極結(jié)構(gòu)，能抑制均由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接的可靠性的降低。
[0156]〈第五變形例〉
[0157]接下來(lái)，將對(duì)本變形例中的電容元件CAP6進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的電容元件CAP6相當(dāng)于第四變形例的結(jié)構(gòu)和第一變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。圖10是顯示本變形例中的電容元件CAP6的平面結(jié)構(gòu)的圖。
[0158]如圖10所示，因?yàn)楸咀冃卫械碾娙菰﨏AP6同樣具有第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第一實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，也能提供如下的高精度的電容元件CAP6，該電容元件CAP6降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響，并且也能夠抑制均由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接的可靠性降低。
[0159]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分與第一部分Pl (A)形成一體，連接電極ELA的第二部分P2 (A)及其第三部分P3(A)的第二連接部分與第二部分P2 (A)形成一體。同樣地，在本變形例中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的第一連接部分與第一部分Pl (B)形成一體，連接電極ELB的第二部分P2 (B)及其第三部分P3 (B)的第二連接部分與第二部分P2 (B)形成一體。
[0160]這樣，根據(jù)本變形例的結(jié)構(gòu)，第一連接部分也能通過(guò)第一部分的圖案化同時(shí)形成，第二連接部分也能通過(guò)第二部分的圖案化同時(shí)形成，從而使得即使在使用雙重圖案化方法時(shí)也能簡(jiǎn)化電容元件CAP6的制造工藝。
[0161]〈第六變形例〉
[0162]將對(duì)本變形例中的電容元件CAP7進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的電容元件CAP7相當(dāng)于第四變形例的結(jié)構(gòu)和第二變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。圖11是顯示本變形例的電容元件CAP7的平面結(jié)構(gòu)的圖。
[0163]如圖11所示，因?yàn)楸咀冃卫械碾娙菰﨏AP7同樣具有第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第一實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，也能提供如下的高精度的電容元件CAP7，該電容元件CAP7降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響，并且也能夠抑制均由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接的可靠性降低。
[0164]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分CNPl (A)形成在與第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)不同的層。進(jìn)一步地，連接電極ELA的第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)的第二連接部分CNP2 (A)同樣形成在與第二部分P2 (A)和第三部分P3(A)不同的層。同樣地，在本變形例中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的第一連接部分CNPl (B)形成在與第一部分Pl (B)和第二部分P2(B)不同的層。進(jìn)一步地，連接電極ELB的第二部分P2 (B)和第三部分P3(B)的第二連接部分CNP2(B)形成在與第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)不同的層。
[0165]在這種情況下，例如，在電極ELA和電極ELB中的每一者，連接第一部分和第二部分的第一連接部分形成在形成有第一部分和第二部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第一連接部分和第一部分的連接以及第一連接部分和第二部分的連接。同樣地，連接第二部分和第三部分的第二連接部分形成在形成有第二部分和第三部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第二連接部分和第二部分的連接以及第二連接部分和第三部分的連接。
[0166]〈第七變形例〉
[0167]接下來(lái)，將對(duì)本變形例中的電容元件CAP8進(jìn)行說(shuō)明。圖12是顯示本變形例中的電容元件CAP8的平面結(jié)構(gòu)的圖。因?yàn)閳D12所示的本變形例中的電容元件CAP8與圖5A所示的第一實(shí)施方式中的電容元件CAPl在結(jié)構(gòu)方面幾乎類似，將以二者的區(qū)別為中心對(duì)電容元件CAP8進(jìn)行說(shuō)明。
[0168]在圖12中，下面將通過(guò)特別著眼于構(gòu)成梳狀電極CSEl的一部分的電極ELA和構(gòu)成梳狀電極CSE2的一部分的電極ELB對(duì)本變形例的特征點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。如圖12所示，電極ELA和電極ELB布置在彼此相鄰的位置并且在保持它們彼此之間具有規(guī)定距離的同時(shí)彼此并行地延伸。
[0169]這里，在本變形例中，如圖12所示，電極ELA被分為第一部分Pl (A)、第二部分P2(A)、第三部分P3(A)和第四部分P4 (A)。進(jìn)一步地，第一部分PUA)和第二部分P2 (A)通過(guò)第一連接部分CNPl (A)連接。第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)通過(guò)第二連接部分CNP2 (A)連接。第三部分P3 (A)和第四部分P4 (A)通過(guò)第三連接部分CNP3 (A)連接。
[0170]也就是說(shuō)，在圖5A所示的第一實(shí)施方式中，電極ELA分為兩部分并配置為具有連接分開的部分的一個(gè)連接部分。另一方面，圖12所示的本變形例中的電容元件CAP8與第一實(shí)施方式中的電容元件CAPl不同在與，電極ELA被分為四部分并配置為具有連接分開的部分的三個(gè)連接部分。
[0171]同樣地，在本變形例中，如圖12所示，電極ELB也被分為第一部分Pl (B)、第二部分P2(B)、第三部分P3(B)和第四部分P4 (B)。進(jìn)一步地，第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)通過(guò)第一連接部分CNPl (B)連接。第二部分P2(B)和第三部分P3 (B)通過(guò)第二連接部分CNP2 (B)連接。第三部分P3(B)和第四部分P4(B)通過(guò)第三連接部分CNP3 (B)連接。
[0172]即使在以這種方式配置的本變形例的電容元件CAP8中也體現(xiàn)了第一實(shí)施方式的第一特征點(diǎn)。也就是說(shuō)，當(dāng)著眼于彼此相鄰的電極ELA和電極ELB時(shí)，電極ELA的第一部分Pl (A)、電極ELA的第三部分P3 (A)、電極ELB的第二部分P2⑶和電極ELB的第四部分P4(B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成。另一方面，電極ELA的第二部分P2 (A)、電極ELA的第四部分P4 (A)、電極ELB的第一部分Pl⑶和電極ELB的第三部分P3⑶通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，如圖12所示，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第一部分Pl (A)和電極ELB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第二部分P2 (A)和電極ELB的第二部分P2(B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。進(jìn)一步地，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第三部分P3(A)和電極ELB的第三部分P3 (B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成，雙方彼此相對(duì)的電極ELA的第四部分P4 (A)和電極ELB的第四部分P4 (B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0173]結(jié)果，因?yàn)楸咀冃卫€以類似于第一實(shí)施例的方式具有第一特征點(diǎn)，能提供降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響的高精度的電容元件CAP8。本變形例與第一實(shí)施方式類似，尤其在從有效抑制電容值變化的角度期望第一圖案化的面積和第二圖案化的面積大約相等。
[0174]進(jìn)一步地，本變形例還以類似于第一實(shí)施例的方式具有第二特征點(diǎn)。即，即使在本變形例中，如圖12所示，例如，電極ELA由如下結(jié)構(gòu)形成:第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)通過(guò)第一連接部分CNPl (A)連接、第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)通過(guò)第二連接部分CNP2 (A)連接以及第三部分P3(A)和第四部分P4(A)通過(guò)第三連接部分CNP3 (A)連接。同樣地，在本變形例中，電極ELB由如下結(jié)構(gòu)形成:第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)通過(guò)第一連接部分CNPl (B)連接、第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)通過(guò)第二連接部分CNP2 (B)連接以及第三部分P3 (B)和第四部分P4 (B)通過(guò)第三連接部分CNP3 (B)連接。
[0175]這樣，根據(jù)本變形例，在各個(gè)電極ELA和電極ELB，通過(guò)采用具有第一連接部分、第二連接部分和第三連接部分的電極結(jié)構(gòu)能抑制由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低、第二部分和第三部分之間的連接的可靠性的降低以及第三部分和第四部分之間的連接的可靠性的降低。
[0176]〈第八變形例〉
[0177]接下來(lái)將對(duì)本變形例中的電容元件CAP9進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的電容元件CAP6相當(dāng)于第七變形例的結(jié)構(gòu)和第一變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。圖13是顯示本變形例中的電容元件CAP9的平面結(jié)構(gòu)的圖。
[0178]如圖13所示，因?yàn)楸咀冃卫械碾娙菰﨏AP9同樣具有第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第一實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，也能提供如下的高精度的電容元件CAP6，該電容元件CAP6降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性改變的影響，并且也能夠抑制由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低、第二部分和第三部分之間的連接的可靠性的降低以及第三部分和第四部分之間的連接的可靠性的降低。
[0179]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分與第一部分Pl (A)形成一體，連接電極ELA的第二部分P2 (A)及其第三部分P3(A)的第二連接部分與第二部分P2 (A)形成一體。進(jìn)一步地，連接電極ELA的第三部分P3(A)及其第四部分P4(A)的第三連接部分與第三部分P3 (A)形成一體。
[0180]同樣地，在本變形例中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的第一連接部分與第一部分Pl (B)形成一體，連接電極ELB的第二部分P2 (B)及其第三部分P3 (B)的第二連接部分與第二部分P2 (B)形成一體。進(jìn)一步地，連接電極ELB的第三部分P3 (B)及其第四部分P4 (B)的第三連接部分與第三部分P3 (B)形成一體。
[0181]這樣，根據(jù)本變形例的結(jié)構(gòu)，第一連接部分和第三連接部分同樣能通過(guò)第一部分的圖案化同時(shí)地形成，第二連接部分也能通過(guò)第二部分的圖案化同時(shí)地形成，從而使得即使在使用雙重圖案化方法的時(shí)候也能簡(jiǎn)化電容元件CAP6的制造工藝。
[0182]〈第九變形例〉
[0183]接下來(lái)，將對(duì)本變形例中的電容元件CAPlO進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的電容元件CAPlO相當(dāng)于第七變形例的結(jié)構(gòu)和第二變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。圖14是顯示本變形例中的電容元件CAPlO的平面結(jié)構(gòu)的圖。如圖14所示，因?yàn)楸咀冃卫械碾娙菰﨏APlO同樣具有第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第一實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，即使在本變形例中，也能提供高精度的電容元件CAP7，該電容元件CAP7降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的特性變化的影響，并且也能夠抑制均由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接的可靠性的降低。
[0184]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，連接電極ELA的第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分CNPl (A)形成在與第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)不同的層，連接電極ELA的第二部分P2 (A)及其第三部分P3 (A)的第二連接部分CNP2 (A)同樣形成在與第二部分P2(A)和第三部分P3 (A)不同的層。進(jìn)一步地，連接電極ELA的第三部分P3 (A)及其第四部分P4(A)的第三連接部分CNP3(A)形成在與第三部分P3 (A)和第四部分P4(A)不同的層。
[0185]同樣地，在本變形例中，連接電極ELB的第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的第一連接部分CNPl (B)形成在與第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)不同的層，連接電極ELB的第二部分P2(B)及其第三部分P3 (B)的第二連接部分CNP2(B)形成在與第二部分P2 (B)和第三部分P3(B)不同的層。進(jìn)一步地，連接電極ELB的第三部分P3 (B)及其第四部分P4(B)的第三連接部分CNP3 (B)形成在與第三部分P3 (B)和第四部分P4(B)不同的層。
[0186]在這種情況下，例如，在電極ELA和電極ELB中的每一者，連接第一部分和第二部分的第一連接部分形成在形成有第一部分和第二部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第一連接部分和第一部分的連接以及第一連接部分和第二部分的連接。同樣地，連接第二部分和第三部分的第二連接部分形成在形成有第二部分和第三部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第二連接部分和第二部分的連接以及第二連接部分和第三部分的連接。進(jìn)一步地，連接第三部分和第四部分的第三連接部分形成在形成有第三部分和第四部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第三連接部分和第三部分的連接以及第三連接部分和第四部分的連接。
[0187]第二實(shí)施方式
[0188]〈基本原理應(yīng)用至配線的效用〉
[0189]盡管第一實(shí)施方式已經(jīng)描述了將基本原理應(yīng)用至由導(dǎo)體圖案組成的電容元件的例子，第二實(shí)施方式將描述將基本原理應(yīng)用至由導(dǎo)體圖案組成的配線的例子。
[0190]例如，因?yàn)殡p重圖案化方法具有能夠應(yīng)對(duì)超越了當(dāng)前微細(xì)加工技術(shù)的性能極限的微小型化的優(yōu)勢(shì)，它能應(yīng)對(duì)在使用單個(gè)掩膜的微細(xì)加工技術(shù)中難以處理的精細(xì)配線的形成。另一方面，因?yàn)樵陔p重圖案化方法中存在掩膜之間發(fā)生位置偏移的可能，認(rèn)為配線之間的距離會(huì)因?yàn)檠谀ぶg的位置偏移而偏離設(shè)計(jì)值。在這種情況下，配線之間的寄生電容會(huì)發(fā)生波動(dòng)。
[0191]這樣，配線之間的寄生電容波動(dòng)意味著通過(guò)各配線傳輸?shù)男盘?hào)的延遲時(shí)間會(huì)改變。這樣，當(dāng)把數(shù)字信號(hào)看作是通過(guò)配線傳輸?shù)男盘?hào)類型時(shí)，對(duì)數(shù)字信號(hào)而言信號(hào)之間的時(shí)序控制變得重要。因此，當(dāng)配線之間的寄生電容波動(dòng)時(shí)，各數(shù)字信號(hào)的延遲時(shí)間也改變，所以假定數(shù)字信號(hào)之間的時(shí)序發(fā)生偏離。在這種情況下，還要考慮數(shù)字電路將不正常運(yùn)行的可能性。因此，從改善半導(dǎo)體裝置的運(yùn)行可靠性的角度來(lái)看，有必要盡可能地降低由掩膜之間的位置偏移弓I起的配線之間的寄生電容的波動(dòng)。
[0192]因此，即使將在第一實(shí)施方式中描述的基本原理應(yīng)用至形成由導(dǎo)體圖案組成的配線也是有用的。這將在下文說(shuō)明。
[0193]<基本原理應(yīng)用至配線的例子>
[0194]圖15A是顯示第二實(shí)施方式中的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖。在圖15A中，本實(shí)施方式中的配線組具有配線LA、配線LB和配線LC。此時(shí)，配線LA、配線LB和配線LC布置為彼此并行。配線LA和配線LB之間的距離以及配線LB和配線LC之間的距離均為“L”。
[0195]另外，配線LA具有第一部分Pl (A)、第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)，并進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分CNPl (A)以及連接第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)的第二連接部分CNP2 (A)。這里，配線LA的第一部分Pl (A)布置為沿I方向延伸，配線LA的第二部分P2 (A)沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的x方向偏離第一部分Pl (A)。進(jìn)一步地，配線LA的第三部分P3 (A)沿y方向延伸并布置為在與I方向正交的X方向偏離第二部分P2(A)。然后，第一連接部分CNPl (A)布置為沿X方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)。第二連接部分CNP2 (A)布置為沿x方向延伸，同時(shí)連接第二部分P2 (A)和第三部分P3(A)。
[0196]同樣地，配線LB具有第一部分Pl (B)、第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)，并進(jìn)一步具有連接第一部分Pl (B)和第二部分P2 (B)的第一連接部分CNPl (B)以及連接第二部分P2 (B)和第三部分P3 (B)的第二連接部分CNP2 (B)。這里，配線LB的第一部分Pl (B)布置為沿y方向延伸，配線LB的第二部分P2 (B)沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的x方向偏離第一部分Pl (B)。進(jìn)一步地，配線LB的第三部分P3 (B)沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的X方向偏離第二部分P2⑶。第一連接部分CNPl⑶布置為沿χ方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (B)和第二部分Ρ2 (B)。第二連接部分CNP2 (B)布置為沿χ方向延伸，同時(shí)連接第二部分Ρ2 (B)和第三部分Ρ3 (B)。
[0197]進(jìn)一步地，配線LC具有第一部分Pl (C)、第二部分Ρ2 (C)和第三部分Ρ3 (C)。進(jìn)一步地，配線LC具有連接第一部分Pl (C)和第二部分Ρ2 (C)的第一連接部分CNPl (C)以及連接第二部分Ρ2 (C)和第三部分Ρ3 (C)的第二連接部分CNP2 (C)。這里，配線LC的第一部分Pl (C)布置為沿y方向延伸，配線LC的第二部分P2(C)沿y方向延伸并布置為在與y方向正交的χ方向偏離第一部分Pl (C)。進(jìn)一步地,配線LC的第三部分P3 (C)沿y方向延伸并布置為在與I方向正交的χ方向偏離第二部分Pl (C)。第一連接部分CNPl (C)布置為沿χ方向延伸，同時(shí)連接第一部分Pl (C)和第二部分P2 (C)。第二連接部分CNP2(C)布置為沿χ方向延伸，同時(shí)連接第二部分Ρ2 (C)和第三部分Ρ3 (C)。
[0198]當(dāng)著眼于第二實(shí)施方式中的配線組中的彼此相鄰的配線LA和配線LB時(shí)，配線LA被分為第一部分Pl (A)、第二部分Ρ2 (A)和第三部分Ρ3 (A)。進(jìn)一步地，與配線LA相鄰的配線LB也被分為第一部分Pl (B)、第二部分Ρ2 (B)和第三部分Ρ3 (B)。配線LA的第一部分Pl (A)、配線LA的第三部分Ρ3 (A)以及配線LB的第二部分Ρ2 (B)通過(guò)使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成。另一方面，配線LA的第二部分Ρ2 (A)、配線LB的第一部分Pl (B)以及配線LB的第三部分Ρ3 (B)通過(guò)使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。也就是說(shuō)，如圖15Α所示，雙方彼此相對(duì)的配線LA的第一部分Pl (A)和配線LB的第一部分Pl (B)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成，配線LA的第二部分Ρ2 (A)和配線LB的第二部分Ρ2 (B)也通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。同樣地，配線LA的第三部分Ρ3 (A)和配線LB的第三部分Ρ3(Β)通過(guò)使用互不相同的掩膜的圖案化形成。
[0199]這樣，根據(jù)第二實(shí)施方式中的配線組，即使當(dāng)用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)也可能抑制寄生電容的值的波動(dòng)。
[0200]例如，如圖15Β所示，假設(shè)用于第一圖案化的第一掩膜的位置相對(duì)于用于第二圖案化的第二掩膜的位置在X方向偏移了 “a”。
[0201]在這種情況下，當(dāng)著眼于彼此相鄰的配線LA和配線LB時(shí)，如圖15B所示，在配線LA的第一部分Pl⑷和配線LB的第一部分Pl⑶之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的配線LA的第一部分Pl (A)向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的配線LA的第一部分Pl (A)和配線LB的第一部分Pl (B)之間的距離變窄至“L-a”。結(jié)果，在配線LA的第一部分Pl (A)和配線LB的第一部分Pl (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而引起的寄生電容的變化成為在寄生電容變大的方向上的變化。
[0202]另一方面，如圖15B所示，在配線LA的第二部分P2 (A)和配線LB的第二部分P2 (B)之間的關(guān)系中，布置在右側(cè)的配線LB的第二部分P2(B)向右側(cè)移位。這樣，雙方彼此相對(duì)的配線LA的第二部分P2 (A)和配線LB的第二部分P2 (B)之間的距離擴(kuò)展至“L+a”。結(jié)果，在配線LA的第二部分P2 (A)和配線LB的第二部分P2 (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而弓丨起的寄生電容的變化成為在寄生電容變小的方向上的變化。
[0203]進(jìn)一步地，如圖15B所示，在配線LA的第三部分P3㈧和配線LB的第三部分P3 (B)之間的關(guān)系中，布置在左側(cè)的配線LA的第三部分P3(A)向右側(cè)移位，以致雙方彼此相對(duì)的配線LA的第三部分P3 (A)和配線LB的第三部分P3 (B)之間的距離變窄至“L_a”。結(jié)果，在配線LA的第三部分P3 (A)和配線LB的第三部分P3 (B)之間的關(guān)系中，由于掩膜之間的位置偏移而弓丨起的寄生電容的變化成為在寄生電容變大的方向上的變化。
[0204]這樣，當(dāng)考慮與配線LA和配線LB相關(guān)的整體寄生電容時(shí)，位置偏移通過(guò)配線LA的第一部分Pl (A)和配線LB的第一部分Pl (B)之間的寄生電容的增大、配線LA的第二部分P2(A)和配線LB的第二部分P2 (B)之間的寄生電容的減小以及配線LA的第三部分P3 (A)和配線LB的第三部分P3 (B)之間的寄生電容的增大而抵消、降低由于掩膜之間的位置偏移而引起的整體電容的變化。結(jié)果，根據(jù)本實(shí)施方式中的配線組，能減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的配線LA和配線LB之間的寄生電容的變化，從而使得抑制半導(dǎo)體裝置的特性變化成為可能。順便提一下，盡管這里通過(guò)著眼于配線LA和LB對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，配線LB和配線LC之間的關(guān)系也能以類似的方式考慮。
[0205]因?yàn)槟芟裆鲜龅哪菢訙p小通過(guò)配線LA和配線LB形成的寄生電容的變化以及通過(guò)配線LB和配線LC形成的寄生電容的變化，根據(jù)第二實(shí)施方式能形成降低了由于掩膜之間的位置偏移而引起的寄生電容的變化的影響的配線組。特別地，從有效抑制寄生電容值的變化的角度來(lái)看，期望第一圖案化的面積和第二圖案化的面積大約相等。
[0206]隨后，將根據(jù)圖15A和15B所示第二實(shí)施方式中的配線組，從量化的角度對(duì)相比相關(guān)技術(shù)中的配線組能抑制由于掩膜之間的位置偏移引起的寄生電容的變化的觀點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0207]首先，圖15A顯示了在雙重圖案化方法中在用于第一圖案化的第一掩膜和用于第二圖案化的第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移的狀態(tài)下形成配線LA、配線LB和配線LC的情況。在這種情況下，例如，配線LA和配線LB之間的間隔以及配線LB和LC之間的間隔均彼此相等并且分別為“L”。這里，著眼于配線LB和LC，將配線LB和LC之間之間的寄生電容的值取為“C”。
[0208]接下來(lái)，圖15B是顯示在用于第一圖案化的第一掩膜相對(duì)于用于第二圖案化的第二掩膜沿X方向位置偏移“a”的狀態(tài)下形成配線LA、LB和LC的情況。當(dāng)著眼于圖15B中的配線LB和LC時(shí)，第一掩膜相對(duì)于第二掩膜沿χ方向位置偏移“a”，以致在掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)下配線LB和LC之間的寄生電容大致如下文所示的公式(6)所示:
[0209]1/2.C.L/ (L-a) +1/2.0L/ (L+a)...(6)
[0210]相應(yīng)地，在掩膜之間存在位置偏移的情況和掩膜之間不存在位置偏移的情況之間產(chǎn)生的差值如公式(7)所示:
[0211]差值=C-{1/2.C.L/ (L-a)}+1/2.C.L/ (L+a)}
[0212]= -C.a.a/ {(L+a) (L-a)}...(7)
[0213]如上所述，當(dāng)在雙重圖案化方法中的掩膜之間存在位置偏移時(shí)，在第二實(shí)施方式中的配線LB和配線LC之間的寄生電容的值相對(duì)于“C”變化了公式(7)所表達(dá)的差值。
[0214]作為現(xiàn)有技術(shù)，現(xiàn)在考慮通過(guò)分離的掩膜形成整體直線形狀的配線LB和整體直線形狀的配線LC的技術(shù)。在這種情況下，在相關(guān)技術(shù)中，假設(shè)形成配線LB的掩膜沿χ方向位置偏移“a”，在掩膜之間存在位置偏移的狀態(tài)下配線LB和配線LC之間的寄生電容如下文所示的公式⑶所示:
[0215]C.L/ (L-a)...(8)
[0216]相應(yīng)地，在相關(guān)技術(shù)中，在掩膜之間存在位置偏移的情況和掩膜之間不存在位置偏移的情況之間產(chǎn)生的差值如公式(9)所示:
[0217]差值=C- C.L/ (L-a)
[0218]= (-C.a.a~C.L.a) / {(L+a) (L_a)}...(9)
[0219]這樣，在第二實(shí)施方式中，從公式(7)和公式(9)可知，在公式(7)的分子中不包括“a”的一次項(xiàng)，僅包括“a”的二次項(xiàng)。另一方面，在相關(guān)技術(shù)中，公式(9)的分子不僅包括“a”的二次項(xiàng)還包括“a”的一次項(xiàng)。這里，如果將“a”看做微小的量，“a”的二次項(xiàng)減小至與“a”的一次項(xiàng)相比小到可以忽略的程度。因此，能使在第二實(shí)施方式中的寄生電容小于在相關(guān)技術(shù)中的寄生電容。
[0220]也就是說(shuō)，根據(jù)第二實(shí)施方式中的配線組，即使使用雙重圖案化方法也能減小由于掩膜之間的位置偏移而引起的寄生電容的變化。換而言之，根據(jù)第二實(shí)施方式，在保持雙重圖案化能應(yīng)對(duì)超越了使用單個(gè)掩膜的微細(xì)加工技術(shù)的性能極限的微小型化這一優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，能抑制由于掩膜未對(duì)準(zhǔn)而引起的配線組的寄生電容的變化并改善半導(dǎo)體裝置的運(yùn)行可靠性。
[0221]進(jìn)一步地，即使在第二實(shí)施方式中的配線組中，例如，當(dāng)著眼于配線LA時(shí)，配線LA由圖15A和15B所示的結(jié)構(gòu)形成，第一部分Pl (A)和第二部分P2 (A)通過(guò)第一連接部分CNPl (A)連接，第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)通過(guò)第二連接部分CNP2 (A)連接。
[0222]這樣，根據(jù)第二實(shí)施方式，在保持能抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的電容的變化這一優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，在各配線LA至配線LC，通過(guò)采用具有上述第一連接部分CNPl (A)和第二連接部分至CNP2(A)的配線結(jié)構(gòu)能抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的第一部分和第二部分之間的連接的可靠性的降低。
[0223]<第一變形例>
[0224]接下來(lái)將對(duì)第二實(shí)施方式的第一變形例中的配線組進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的配線組相當(dāng)于第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施方式的第一變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。
[0225]圖16是顯示本變形例中的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖。如圖16所示，因?yàn)楸咀冃卫呐渚€組同樣具有與第二實(shí)施方式類似的特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第二實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，本變形例同樣能提供這樣的配線組，該配線組抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的寄生電容的變化，并且本變形例能夠抑制由掩膜之間的位置偏移而引起的第一部分和第二部分之間的連接可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接可靠性的降低。
[0226]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，當(dāng)著眼于配線LA時(shí)，連接配線LA的第一部分Pl(A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分與第一部分Pl (A)形成一體，連接配線LA的第二部分P2(A)及其第三部分P3 (A)的第二連接部分與第三部分P3 (A)形成一體。進(jìn)一步地，配線LB和LC同樣以與配線LA類似的方式配置。
[0227]這樣，根據(jù)本變形例的結(jié)構(gòu)，即使在使用雙重圖案化方法的同時(shí)也能簡(jiǎn)化配線組的制造工藝。
[0228]<第二變形例>
[0229]隨后，將對(duì)第二實(shí)施方式的第二變形例中的配線組進(jìn)行說(shuō)明。本變形例中的配線組相當(dāng)于第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施方式的第二變形例的結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。
[0230]圖17是顯示本變形例中的配線組的平面結(jié)構(gòu)的圖。如圖17所示，因?yàn)楸咀冃卫呐渚€組同樣具有與第二實(shí)施方式類似的特征點(diǎn)，本變形例能獲得與第二實(shí)施方式類似的有益效果。也就是說(shuō)，本變形例同樣能提供這樣的配線組，該配線組抑制由于掩膜之間的位置偏移而引起的寄生電容的變化并抑制由掩膜之間的位置偏移引起的第一部分和第二部分之間的連接可靠性的降低以及第二部分和第三部分之間的連接可靠性的降低。
[0231]進(jìn)一步地，在本變形例中，例如，當(dāng)著眼于配線LA時(shí)，連接配線LA的第一部分Pl(A)和第二部分P2 (A)的第一連接部分CNPl (A)形成在與第一部分Pl (A)和第二部分P2(A)不同的層。進(jìn)一步地，連接配線LA的第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)的第二連接部分CNP2(A)同樣形成在與第二部分P2 (A)和第三部分P3 (A)不同的層。進(jìn)一步地，配線LB和配線LC同樣以與配線LA類似的方式配置。
[0232]在這種情況下，例如，在配線LA，連接第一部分和第二部分的第一連接部分形成在形成有第一部分和第二部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第一連接部分和第一部分的連接以及第一連接部分和第二部分的連接。同樣地，連接第二部分和第三部分的第二連接部分形成在形成有第二部分和第三部分的層之上或之下的層。例如，通過(guò)插頭進(jìn)行第二連接部分和第二部分的連接以及第二連接部分和第三部分的連接。
[0233]盡管基于實(shí)施方式對(duì)由本發(fā)明人作出的上述發(fā)明進(jìn)行了具體描述，但本發(fā)明不限于上文提及的實(shí)施方式。更不必說(shuō)在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種各樣的修改。
【權(quán)利要求】
1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟: a:形成彼此并行的第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案； 步驟a包括以下步驟: al:通過(guò)使用第一掩膜的圖案化形成所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分，和 a2:通過(guò)使用第二掩膜的圖案化形成所述第一導(dǎo)體圖案的第二部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第一部分； 其中，由所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第一部分形成第一導(dǎo)體間電容；以及， 其中，由所述第一導(dǎo)體圖案的第二部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分形成第二導(dǎo)體間電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，當(dāng)所述第一掩膜和所述第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，所述第一導(dǎo)體間電容變?yōu)楸人龅谝谎谀ず退龅诙谀ぶg未發(fā)生位置偏移時(shí)大，而所述第二導(dǎo)體間電容變?yōu)楸人龅谝谎谀ず退龅诙谀ぶg未發(fā)生位置偏移時(shí)小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，當(dāng)所述第一掩膜和所述第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，所述第一導(dǎo)體間電容變?yōu)楸人龅谝谎谀ず退龅诙谀ぶg未發(fā)生位置偏移時(shí)小，而所述第二導(dǎo)體間電容變?yōu)楸人龅谝谎谀ず退龅诙谀ぶg未發(fā)生位置偏移時(shí)大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，在步驟al中形成的所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分的面積和在步驟a2中形成的所述第一導(dǎo)體圖案的第二部分的面積彼此相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中在步驟al中形成的所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分的面積和在步驟a2中形成的所述第二導(dǎo)體圖案的第一部分的面積彼此相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，所述第一導(dǎo)體圖案為電容元件的第一電極；以及 其中，所述第二導(dǎo)體圖案為所述電容元件的第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，所述第一導(dǎo)體圖案為第一配線； 其中，所述第二導(dǎo)體圖案為第二配線；以及 其中，所述第一導(dǎo)體間電容和所述第二導(dǎo)體間電容分別為所述第一配線和第二配線之間產(chǎn)生的寄生電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中，所述彼此并行是指所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案在保持所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案之間的距離為規(guī)定距離的同時(shí)延伸，而與所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案的形狀無(wú)關(guān)。
9.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟: 通過(guò)使用第一掩膜的第一圖案化和使用第二掩膜的第二圖案化的結(jié)合形成第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案； 其中，當(dāng)所述第一掩膜和所述第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案中的每一者以下述方式分為通過(guò)所述第一圖案化形成的部分和通過(guò)所述第二圖案化形成的部分: 存在與所述第一掩膜和所述第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)相比所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案之間的距離變小的部分和與所述第一掩膜和所述第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)相比所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案之間的距離變大的部分。
10.如權(quán)利要求9所述的方法， 其中，當(dāng)所述第一掩膜和所述第二掩膜之間發(fā)生位置偏移時(shí)，存在與所述第一掩膜和所述第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)相比所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案之間的電容變小的部分以及與所述第一掩膜和所述第二掩膜之間未發(fā)生位置偏移時(shí)相比所述電容變大的部分。
11.如權(quán)利要求9所述的方法， 其中，所述第一導(dǎo)體圖案為電容元件的第一電極；以及 其中，所述第二導(dǎo)體圖案為所述電容元件的第二電極。
12.如權(quán)利要求9所述的方法， 其中，所述第一導(dǎo)體圖案為第一配線；以及 其中，所述第二導(dǎo)體圖案為第二配線。
13.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 彼此并行的第一導(dǎo)體圖案和第二導(dǎo)體圖案； 其中，所述第一導(dǎo)體圖案用作電容元件的第一電極； 其中，所述第二導(dǎo)體圖案用作所述電容元件的第二電極； 其中，所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案各包括: al:沿第一方向延伸的第一部分， a2:沿所述第一方向延伸并布置為在與所述第一方向正交的第二方向偏離所述第一部分的第二部分，以及 a3:連接所述第一部分和所述第二部分并沿所述第二方向延伸的連接部分；以及 其中，所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分和所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分布置在一條直線上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，存在多個(gè)所述第一電極和所述第二電極； 其中，多個(gè)所述第一電極連接成一體以形成所述電容元件的第一梳狀電極； 其中，多個(gè)所述第二電極連接成一體以形成所述電容元件的第二梳狀電極；以及其中，所述第一梳狀電極和所述第二梳狀電極以所述第一電極和所述第二電極彼此交替相鄰的方式布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案布置為相對(duì)于從所述第一導(dǎo)體圖案的第一部分向所述第二導(dǎo)體圖案的第二部分穿過(guò)的虛擬直線的中心點(diǎn)成點(diǎn)對(duì)稱。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，所述第一部分、所述第二部分和所述連接部分形成在相同的層。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，所述第一部分和所述第二部分形成在相同的層；以及 其中，所述連接部分形成在與所述第一部分和所述第二部分不同的層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置， 其中，所述彼此并行是指具有第一部分、第二部分和連接部分的所述第一導(dǎo)體圖案和具有第一部分、第二部分和連接部分的所述第二導(dǎo)體圖案在保持所述第一導(dǎo)體圖案和所述第二導(dǎo)體圖案之間的距離為規(guī)定距離的同時(shí)延伸。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK104465497SQ201410462257
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月24日
【發(fā)明者】渡邊哲也 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社