技術編號：7057961
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明能抑制半導體裝置的特性變化。在布置成彼此并行的導體圖案CPA和導體圖案CPB中，導體圖案CPA被分為第一部分P1(A)和第二部分P2(A)，導體圖案CPB同樣被分為第一部分P1(B)和第二部分P2(B)。導體圖案CPA的第一部分P1(A)和導體圖案CPB的第二部分P2(B)通過使用相同的第一掩膜的第一圖案化形成，而導體圖案CPA的第二部分P2(A)和導體圖案CPB的第一部分P1(B)通過使用相同的第二掩膜的第二圖案化形成。專利說明[0001]相關申請...
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