具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。所述方法包括：提供一外延片，外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的PSS、外延層；在外延片的正面形成劃片道，外延片的正面為外延片的與藍(lán)寶石襯底相反的一側(cè)的表面，劃片道的深度等于劃片道處的外延層的厚度與PSS的厚度之和；在外延片上制備電流阻擋層、電流擴(kuò)展層和電極，并減薄外延片；在外延片的背面蒸鍍ODR，外延片的背面為藍(lán)寶石襯底未生長PSS的表面；從外延片的正面沿著劃片道進(jìn)行激光劃片；對外延片進(jìn)行裂片加工，得到LED芯片。本發(fā)明解決了外延片極易破碎、外延片直接報廢、為制造商帶來成本損失的問題。
【專利說明】具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light Emitting D1de,發(fā)光二極管)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件，具有體積小、亮度高、能耗小的特點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于顯示屏，背光源和照明領(lǐng)域。
[0003]0DR(0mni Direct1nal Reflector,全角反射鏡)主要是由金屬、以及二氧化娃、氧化鈦組成，可以對任何方向入射的光都具有高反射率，通常將0DR蒸鍍在LED外延片的藍(lán)寶石襯底上，增加平均反射效率，提高LED芯片的光提取效率。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]由于對藍(lán)寶石襯底進(jìn)行隱形切割時激光不能通過0DR，故一般先進(jìn)行隱形切割完成劃片，然后在光學(xué)鍍膜機(jī)中完成0DR的蒸鍍，再通過裂片機(jī)完成裂片加工。但是按照先劃片再蒸鍍0DR的方式，會造成外延片極易破碎,導(dǎo)致外延片直接報廢，為制造商帶來成本損失。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)會造成外延片極易破碎，導(dǎo)致外延片直接報廢，為制造商帶來成本損失的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具備全角反射鏡的發(fā)光二極管芯片的制備方法，所述方法包括:
[0008]提供一外延片，所述外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在所述藍(lán)寶石襯底上的圖形化藍(lán)寶石襯底PSS、外延層，所述外延層包括依次層疊在所述PSS上的N型層、有源層和P型層，所述外延層上開設(shè)有從所述P型層延伸到所述N型層的凹槽；
[0009]在所述外延片的正面形成劃片道，所述外延片的正面為所述外延片的與所述藍(lán)寶石襯底相反的一側(cè)的表面，所述劃片道的深度等于所述劃片道處的所述外延層的厚度與所述PSS的厚度之和；
[0010]在所述外延片上制備電流阻擋層、電流擴(kuò)展層和電極，并減薄所述外延片；
[0011]在所述外延片的背面蒸鍍0DR，所述外延片的背面為所述藍(lán)寶石襯底未生長所述PSS的表面；
[0012]從所述外延片的正面沿著所述劃片道進(jìn)行激光劃片；
[0013]對所述外延片進(jìn)行裂片加工，得到LED芯片。
[0014]在本發(fā)明一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在外延片的正面形成劃片道，包括:
[0015]在所述外延片的正面沉積二氧化硅層；
[0016]采用光刻和濕法腐蝕，在所述二氧化硅層中形成劃片道；
[0017]采用等離子體刻蝕，沿著所述二氧化硅層中的劃片道形成所述外延層中的劃片道；
[0018]沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道；
[0019]去除所述二氧化硅層。
[0020]可選地，所述沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道，包括:
[0021]采用等離子體刻蝕或高溫腐蝕，沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道。
[0022]可選地，所述等離子體刻蝕形成所述PSS中的劃片道時，上電極功率為2000-2500W，下電極功率為500-800W，刻蝕壓力為1.5-2.0mtorr，刻蝕溫度為20_40°C，刻蝕氣體為120-150sccm的三氯化硼。
[0023]可選地，所述等離子體刻蝕形成所述外延層中的劃片道時，上電極功率為1800-2400W，下電極功率為300-400W，刻蝕壓力為2.5-3.5mtorr，刻蝕溫度為0_10°C，刻蝕氣體為20-40sccm的三氯化硼和100-140sccm的氯氣。
[0024]可選地，所述二氧化硅層的厚度為700_1000nm。
[0025]可選地，所述去除所述二氧化硅層，包括:
[0026]采用濕法腐蝕，去除所述二氧化硅層。
[0027]可選地，所述濕法腐蝕采用緩沖氧化蝕刻劑Β0Ε溶液。
[0028]在本發(fā)明另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0029]采用光刻和等離子體刻蝕，在所述外延層上刻蝕出從所述P型層延伸到N型層的凹槽，刻蝕深度為1.3-1.6um。
[0030]在本發(fā)明又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述外延片的背面蒸鍍0DR，包括:[0031 ] 在所述外延片放入光學(xué)蒸鍍機(jī)之后，抽真空至5.0*E_5Pa ；
[0032]在所述外延片的背面蒸鍍五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層，并在五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層上蒸鍍一層氧化鋁層；
[0033]在所述氧化鋁層上蒸鍍金屬銀的膜層；
[0034]在所述金屬銀的膜層上再蒸鍍一層氧化鋁層。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0036]通過首先在外延片的正面形成劃片道，然后在外延片的背面蒸鍍0DR，接著從外延片的正面沿著劃片道進(jìn)行激光劃片，先蒸鍍0DR再劃片，解決了由于按照先劃片再蒸鍍0DR的方式而造成的外延片極易破碎、外延片直接報廢、為制造商帶來成本損失的問題，大大降低了外延片破裂的風(fēng)險和由此帶來的成本損失，節(jié)約了 LED芯片的制造成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種具備0DR的LED芯片的制備方法的流程圖；
[0039]圖2a-圖2f是本發(fā)明實(shí)施例提供的制備LED芯片的過程中LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成劃片道的流程圖；
[0041]圖4a_圖4e是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成劃片道的過程中外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0042]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0043]實(shí)施例
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具備0DR的LED芯片的制備方法，參見圖1，該方法包括:
[0045]步驟100:提供一外延片。
[0046]在本實(shí)施例中，外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的PSS (Patterned Sapphire Substrate,圖形化藍(lán)寶石襯底)、外延層，外延層包括依次層疊在PSS上的N型層、有源層和P型層，外延層上開設(shè)有從P型層延伸到N型層的凹槽(詳見圖 2a)。
[0047]圖2a為步驟100執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，31為N型層，32為有源層，33為P型層。
[0048]藍(lán)寶石襯底的成分包括氧化鋁。PSS是在藍(lán)寶石襯底上生長干法刻蝕用掩膜，用標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝將掩膜刻出圖形，利用ICP(等離子體刻蝕)技術(shù)刻蝕藍(lán)寶石得到的。外延片的尺寸可以為兩英寸，也可以為四英寸，本申請對此不作限制。
[0049]可選地，該方法還可以包括步驟:
[0050]采用光刻和等離子體刻蝕，在外延層上刻蝕出從P型層延伸到N型層的凹槽，便于N電極的制備。
[0051]優(yōu)選地，光刻時涂覆的光刻膠的厚度可以為3_4um。
[0052]可選地，等離子體刻蝕時利用氯氣形成的等離子體刻蝕外延層。
[0053]具體地，刻蝕深度可以為1.3-1.6um。實(shí)驗表明，刻蝕深度為1.3-1.6um時，芯片的光電性能較好，不會受到刻蝕損傷。
[0054]在具體實(shí)現(xiàn)中，光刻時先涂覆一層光刻膠，然后經(jīng)過曝光和顯影，待刻蝕的區(qū)域會裸露出來。然后采用等離子刻蝕，就可以同時對光刻膠和待刻蝕的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，從而形成從P型層延伸到N型層的凹槽。
[0055]可選地，該方法還可以包括步驟:
[0056]清洗外延片。
[0057]具體地，清洗外延片為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳述。
[0058]步驟101:在外延片的正面形成劃片道。
[0059]圖2b為步驟101執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底,2為PSS，3為外延層，4為劃片道。
[0060]在本實(shí)施例中，外延片的正面為外延片的與藍(lán)寶石襯底相反的一側(cè)的表面(圖2b中用粗線表示)。劃片道的深度等于劃片道處的外延層的厚度與PSS的厚度之和。
[0061]在本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，參見圖3，該步驟101可以包括:
[0062]步驟101a:在外延片的正面沉積二氧化硅層。
[0063]圖4a為步驟101a執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，5為二氧化硅層。
[0064]可選地，該步驟101a可以包括:
[0065]米用PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)，在外延層的正面沉積二氧化硅層。
[0066]優(yōu)選地，二氧化硅層的厚度可以為700_1000nm。由于等離子體刻蝕形成外延層和PSS中的劃片道時，會同時刻蝕二氧化硅層，若二氧化硅層的厚度小于700nm，則會由于二氧化硅層的厚度較少而無法保護(hù)外延層，造成等離子體損傷外延層。而若二氧化硅層的厚度大于lOOOnm，則會浪費(fèi)資源。
[0067]步驟101b:采用光刻和濕法腐蝕，在二氧化硅層中形成劃片道。
[0068]圖4b為步驟101b執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，5為二氧化硅層。
[0069]具體地，二氧化硅層中的劃片道的厚度與二氧化硅層的厚度相等。
[0070]優(yōu)選地，光刻時涂覆的光刻膠的厚度可以為8-10um。
[0071]優(yōu)選地，濕法腐蝕可以采用Β0Ε (Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化蝕刻劑)溶液。
[0072]具體地，Β0Ε溶液包括氫氟酸和氟化銨。其中，氟化銨在腐蝕過程中可以起到緩沖作用，便于控制腐蝕速率。
[0073]需要說明的是，在執(zhí)行步驟101b之后，會利用甩干機(jī)沖水甩干。
[0074]步驟101c:采用等離子體刻蝕，沿著二氧化硅層中的劃片道形成外延層中的劃片道。
[0075]圖4c為步驟101c執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，5為二氧化硅層。
[0076]可以理解地，執(zhí)行步驟101b之后，外延層非劃片道的區(qū)域有二氧化硅層保護(hù)，因此進(jìn)行等離子刻蝕時，等離子體只能刻蝕劃片道處的外延層，去除從二氧化硅層中的劃片道處裸露出來的外延層，形成外延層中的劃片道。
[0077]在具體實(shí)現(xiàn)中，該步驟101c可以采用ICP機(jī)實(shí)現(xiàn)。
[0078]具體地，外延層中的劃片道的厚度與劃片道處的外延層的厚度相等。
[0079]可選地，等離子體刻蝕形成外延層中的劃片道時，上電極功率可以為1800-2400W，下電極功率可以為300-400W，刻蝕壓力可以為2.5-3.5mtorr，刻蝕溫度可以為0_10°C，刻蝕氣體可以為20-40sccm的三氯化硼和100-140sccm的氯氣。
[0080]需要說明的是，刻蝕深度可以根據(jù)刻蝕速率和刻蝕時間計算得到，當(dāng)刻蝕速率一定時，可以通過調(diào)整刻蝕時間來獲取需要的刻蝕深度。在本實(shí)施例中，外延層中的劃片道位于N型層中，刻蝕深度大于N型層的厚度，可以保證外延層中的劃片道中的材料刻蝕干凈。
[0081]步驟101d:沿著外延層中的劃片道形成PSS中的劃片道。
[0082]圖4d為步驟101d執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，5為二氧化硅層。
[0083]優(yōu)選地，該步驟101f可以包括:
[0084]采用等離子體刻蝕，沿著外延層中的劃片道形成PSS中的劃片道。
[0085]可以理解地，執(zhí)行步驟101b和步驟101c之后，外延層非劃片道的區(qū)域有二氧化硅層保護(hù)，因此進(jìn)行等離子體刻蝕時，等離子體只會沿著外延層中的劃片道進(jìn)行刻蝕，去除從外延層中的劃片道處裸露出來的PSS，從而形成PSS中的劃片道。
[0086]具體地，PSS中的劃片道的厚度與PSS的厚度相等。
[0087]可選地，等離子體刻蝕形成PSS中的劃片道時，上電極功率為2000-2500W，下電極功率為500-800W，刻蝕壓力為1.5-2.0mtorr,刻蝕溫度為20-40 V，刻蝕氣體為120-150sccm的三氯化硼。此時，刻蝕PSS的速率較快，提高效率。
[0088]可選地，該步驟101f可以包括:
[0089]采用高溫腐蝕，沿著外延層中的劃片道形成PSS中的劃片道。
[0090]具體地，高溫腐蝕可以白用濃硫酸和濃磷酸，腐蝕溫度可以為250_300°C。
[0091]步驟101e:去除二氧化硅層。
[0092]圖4e為步驟101e執(zhí)行之后的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道。
[0093]可選地，該步驟101e可以包括:
[0094]采用濕法腐蝕，去除二氧化硅層。
[0095]優(yōu)選地，濕法腐蝕可以采用Β0Ε溶液，對二氧化硅的腐蝕效率較快。
[0096]具體地，Β0Ε溶液包括氫氟酸和氟化銨。
[0097]可選地，在步驟101e之前，該方法還可以包括:
[0098]去除殘留的光刻膠，并沖水甩干。
[0099]優(yōu)選地，去除光刻膠可以采用有機(jī)溶劑。
[0100]具體地，有機(jī)溶劑可以包括NMP (N-甲基吡咯烷酮)。
[0101]需要說明的是，采用上述實(shí)現(xiàn)方式，可以將劃片道處的外延層和PSS去除干凈，使劃片時激光順利進(jìn)入PSS，且不會損傷劃片道邊緣處的外延層。
[0102]步驟102:在外延片上制備CBL (Current Blocking Layer,電流阻擋層)、電流擴(kuò)展層和電極，并減薄外延片。
[0103]圖2c為步驟102執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，6為電流阻擋層，7為電流擴(kuò)展層、8為電極。
[0104]具體地，電流擴(kuò)展層為IT0(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)層。
[0105]可選地，減薄后的外延片的厚度可以為130-150um。
[0106]在具體實(shí)現(xiàn)中，可以采用蒸發(fā)臺在外延片上制備電流擴(kuò)展層和電極。
[0107]優(yōu)選地，在步驟102之后，該方法還可以包括:
[0108]用有機(jī)溶劑沖洗外延片。
[0109]需要說明的是，外延片減薄過程中需要先用石蠟將外延片粘在陶瓷盤上面，然后才能通過研磨的方式將外延片減薄至一定厚度，最后采用有機(jī)溶劑清洗，以去除外延片上的石蠟。
[0110]步驟103:在外延片的背面蒸鍍0DR。
[0111]圖2d為步驟103執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，6為電流阻擋層，7為電流擴(kuò)展層、8為電極，9為0DR。
[0112]在本實(shí)施例中，外延片的背面為藍(lán)寶石襯底未生長PSS的表面(圖2d中的粗線表示)。
[0113]在具體實(shí)現(xiàn)中，該步驟103可以采用光學(xué)鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)。
[0114]可選地，該步驟103可以包括:
[0115]在外延片放入光學(xué)蒸鍍機(jī)之后，抽真空至5.0*E_5Pa ；
[0116]在外延片的背面蒸鍍五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層，并在五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層上蒸鍍一層氧化鋁層；
[0117]在氧化鋁層上蒸鍍金屬銀的膜層；
[0118]在金屬銀的膜層上再蒸鍍一層氧化鋁層。
[0119]需要說明的是，通過蒸鍍不同的氧化物和金屬銀實(shí)現(xiàn)0DR，可以提高芯片的發(fā)光亮度。
[0120]具體地，五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層的層數(shù)可以為20層。
[0121]在具體實(shí)現(xiàn)中，蒸鍍五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層和在五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層上的氧化鋁層時，離子源的功率可以為800-1000W。蒸鍍金屬銀的膜層時，離子源熄火。蒸鍍金屬銀的膜層上的氧化鋁層時，需要重新開啟離子源，可以將離子源的功率穩(wěn)定在lOOOffo
[0122]需要說明的是，氧化鋁層的作用是防止膜層暴露在空氣中被氧化。
[0123]步驟104:從外延片的正面沿著劃片道進(jìn)行激光劃片。
[0124]圖2e為步驟104執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，6為電流阻擋層，7為電流擴(kuò)展層、8為電極，9為0DR。
[0125]在具體實(shí)現(xiàn)中，該步驟104可以采用隱形切割技術(shù)實(shí)現(xiàn)。激光功率可以為0.3-0.6W，激光頻率可以為90-110KHz，切深可以為40_50um。
[0126]步驟105:對外延片進(jìn)行裂片加工，得到LED芯片。
[0127]圖2f為步驟105執(zhí)行之后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1為藍(lán)寶石襯底，2為PSS，3為外延層，4為劃片道，6為電流阻擋層，7為電流擴(kuò)展層、8為電極，9為0DR。
[0128]可以理解地，在步驟105以前且在步驟104之后，還可以包括步驟:檢查劃片道邊緣處的外延層是否被激光灼傷。若劃片道邊緣處的外延層灼傷，則表示這些芯片都被損傷，不能正常發(fā)光，或者光電性能異常，無需繼續(xù)加工。
[0129]本發(fā)明實(shí)施例通過首先在外延片的正面形成劃片道，然后在外延片的背面蒸鍍0DR，接著從外延片的正面沿著劃片道進(jìn)行激光劃片，先蒸鍍0DR再劃片，解決了由于按照先劃片再蒸鍛0DR的方式而造成的減薄后的外延片極易破碎、外延片直接報廢、為制造商帶來成本損失的問題，大大降低了外延片破裂的風(fēng)險和由此帶來的成本損失，節(jié)約了 LED芯片的制造成本。
[0130]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0131]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具備全角反射鏡ODR的發(fā)光二極管LED芯片的制備方法,其特征在于，所述方法包括: 提供一外延片，所述外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在所述藍(lán)寶石襯底上的圖形化藍(lán)寶石襯底PSS、外延層，所述外延層包括依次層疊在所述PSS上的N型層、有源層和P型層，所述外延層上開設(shè)有從所述P型層延伸到所述N型層的凹槽； 在所述外延片的正面形成劃片道，所述外延片的正面為所述外延片的與所述藍(lán)寶石襯底相反的一側(cè)的表面，所述劃片道的深度等于所述劃片道處的所述外延層的厚度與所述PSS的厚度之和； 在所述外延片上制備電流阻擋層、電流擴(kuò)展層和電極，并減薄所述外延片； 在所述外延片的背面蒸鍍ODR，所述外延片的背面為所述藍(lán)寶石襯底未生長所述PSS的表面； 從所述外延片的正面沿著所述劃片道進(jìn)行激光劃片； 對所述外延片進(jìn)行裂片加工，得到LED芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在外延片的正面形成劃片道，包括: 在所述外延片的正面沉積二氧化硅層； 采用光刻和濕法腐蝕，在所述二氧化硅層中形成劃片道； 采用等離子體刻蝕，沿著所述二氧化硅層中的劃片道形成所述外延層中的劃片道； 沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道； 去除所述二氧化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道，包括: 采用等離子體刻蝕或高溫腐蝕，沿著所述外延片中的劃片道形成所述PSS中的劃片道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕形成所述PSS中的劃片道時，上電極功率為2000-2500W，下電極功率為500-800W，刻蝕壓力為1.5-2.0mtorr，刻蝕溫度為20-40°C，刻蝕氣體為120-150sccm的三氯化硼。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕形成所述外延層中的劃片道時，上電極功率為1800-2400W，下電極功率為300-400W，刻蝕壓力為2.5-3.5mtorr,刻蝕溫度為0-10°C，刻蝕氣體為20-40sccm的三氯化硼和100-140sccm的氯氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為700-1000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述二氧化硅層，包括: 采用濕法腐蝕，去除所述二氧化硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或7所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕采用緩沖氧化蝕刻劑B0E溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 采用光刻和等離子體刻蝕，在所述外延層上刻蝕出從所述P型層延伸到N型層的凹槽，刻蝕深度為1.3-1.6um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延片的背面蒸鍍0DR，包括: 在所述外延片放入光學(xué)蒸鍍機(jī)之后，抽真空至5.0*E-5Pa ； 在所述外延片的背面蒸鍍五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層，并在五氧化三鈦和二氧化硅交替的膜層上蒸鍍一層氧化鋁層； 在所述氧化鋁層上蒸鍍金屬銀的膜層； 在所述金屬銀的膜層上再蒸鍍一層氧化鋁層。
【文檔編號】H01L33/00GK104269483SQ201410374193
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】周武, 胡根水 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司