一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置，涉及薄膜晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，出現(xiàn)源漏極的溝道處的有源層斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。該薄膜晶體管包括:柵極和柵絕緣層，其中，柵絕緣層上與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽。本發(fā)明應(yīng)用于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】中。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)方案中的有機(jī)薄膜晶體管器件的顯示面板的結(jié)構(gòu)中，陣列基板上的有機(jī)半導(dǎo)體層并不是形成在完全平整的平面上，往往是形成在有段差的其它層上面。源漏極上面或者下面及之間設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層，保證在開(kāi)態(tài)時(shí)源極和漏極可以正常導(dǎo)通。
[0003]由于現(xiàn)有技術(shù)方案中的源極和漏極圖案與柵絕緣層之間均存在段差且不在同一界面，因此在形成有機(jī)半導(dǎo)體層時(shí)，半導(dǎo)體材料在源漏電極和柵絕緣層上的鋪展行為不同，形成的膜厚度不一樣，膜厚比較難控制，容易出現(xiàn)有機(jī)半導(dǎo)體層斷線的問(wèn)題，甚至?xí)?dǎo)致源漏電極無(wú)法正常導(dǎo)通。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]第一方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為柵極底接觸型，所述薄膜晶體管包括:柵極和柵絕緣層，其中:
[0007]所述柵絕緣層上與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽。
[0008]可選的，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，其中:
[0009]所述源極和漏極的部分圖案形成在所述柵絕緣層上，與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
[0010]可選的，所述薄膜晶體管還包括:有源層，其中:
[0011]所述有源層形成在所述柵絕緣層上，與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
[0012]可選的，所述柵絕緣層上的凹槽的寬度大于或者等于所述柵極的寬度。
[0013]可選的，所述柵絕緣層上的凹槽的高度大于所述有源層的厚度。
[0014]可選的，所述有源層的材料為有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0015]第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面所述的薄膜晶體管。
[0016]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第二方面所述的陣列基板。
[0017]第四方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，所述方法包括:形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層，還包括:
[0018]在所述柵金屬層上形成一層在與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽的柵絕緣層。
[0019]可選的，所述方法還包括:
[0020]在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成源極和漏極的部分圖案。
[0021]可選的，所述方法還包括:
[0022]在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成一層有源層。
[0023]可選的，所述柵絕緣層上的凹槽的寬度大于或者等于所述柵極的寬度。
[0024]可選的，所述柵絕緣層上的凹槽的高度大于或者等于所述有源層的厚度。
[0025]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置，通過(guò)在薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和柵絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖。
[0033]附圖標(biāo)記:1_基板；2_柵極；3_柵絕緣層；4_柵絕緣層上的凹槽；5_源極；6_漏極；7_有源層。

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管可以是柵極底接觸類(lèi)型，參照?qǐng)D1所示，該薄膜晶體管包括:基板1、柵極2和柵絕緣層3，其中:
[0036]柵絕緣層3上與柵極2對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽4。
[0037]具體的，柵絕緣層上柵極對(duì)應(yīng)位置處的凹槽可以是在制作柵絕緣層時(shí)，使用掩膜板，采用曝光、顯影、刻蝕通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的。其中，基板可以是玻璃基板、塑料基板或者不銹鋼與絕緣薄膜的襯底等。
[0038]本實(shí)施例中，柵絕緣層可以是使用光敏有機(jī)材料形成的，柵絕緣層的厚度可以為200?500nm納米。柵極可以是采用金屬、氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡(jiǎn)稱(chēng)ITO)或者有機(jī)導(dǎo)電物材料形成的，柵極的厚度可以為60?300nm。
[0039]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管，通過(guò)在薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，出現(xiàn)源漏極的溝道處的有源層斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。
[0040]進(jìn)一步，參照?qǐng)D2所示，該薄膜晶體管還包括:源極5和漏極6，其中:
[0041]源極5和漏極6的部分圖案形成在柵絕緣層3上，與柵絕緣層3上的凹槽4對(duì)應(yīng)的位置處。
[0042]其中，源極和漏極可以采用金屬例如:金Au、銀Ag、鑰Mo、招Al、銅Cu等、ΙΤ0、氧化物或者導(dǎo)電高分子材料等制作形成，一般源漏極的厚度為60?300nm。
[0043]進(jìn)一步，參照?qǐng)D3所示，該薄膜晶體管還包括:有源層7，其中:
[0044]有源層7形成在柵絕緣層3上，與柵絕緣層3上的凹槽4對(duì)應(yīng)的位置處。
[0045]其中，有源層的材料可以為有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0046]具體的，本實(shí)施例中的有源層可以是采用溶液法制備形成的，形成有源層的材料可以是溶液法制備的有機(jī)材料；一般有源層的厚度可以為40?200nm，本實(shí)施例中優(yōu)選40?lOOnm。本實(shí)施例中可以采用溶液旋涂法來(lái)制作有源層。
[0047]其中，柵絕緣層上的凹槽4的寬度大于或者等于柵極2的寬度。
[0048]柵絕緣層上的凹槽4的高度大于或者等于有源層7的厚度。
[0049]具體的，制作柵絕緣層上的凹槽的寬度大于等于柵極的寬度、凹槽的高度大于或者等于有源層的厚度，可以保證后續(xù)制作源極和漏極時(shí)，源極和漏極的部分圖案可以位于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，同時(shí)可以使得有源層整個(gè)設(shè)置在于凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣制作過(guò)程中有利于形成源極和漏極的材料流到凹槽中有益于形成源極和漏極，同時(shí)，制作有源層時(shí)由于有源層設(shè)置在凹槽中這樣涂敷有源層的材料時(shí)，可以很好的控制膜厚，避免有源層上出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，保證有源層實(shí)現(xiàn)連通源漏極的功能，有效的避免了對(duì)生產(chǎn)材料的浪費(fèi)，降低了生產(chǎn)成本。
[0050]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管，通過(guò)在薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0051]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括附圖1?3對(duì)應(yīng)的實(shí)施例提供的任一薄膜晶體管，該薄膜晶體管可以是柵極底接觸類(lèi)型。
[0052]本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板，通過(guò)在陣列基板的薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0053]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明的實(shí)施例提供的陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0054]本發(fā)明的實(shí)施例提供的顯示裝置，通過(guò)在顯示裝置的薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0055]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管可以是柵極底接觸類(lèi)型，參照?qǐng)D4所示，該方法包括以下步驟:
[0056]101、在基板上形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0057]具體的，可以采用磁控濺射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉積一層厚度在1000人至7000人的金屬薄膜，該金屬薄膜通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模板通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板的一定區(qū)域上形成柵金屬層。
[0058]102、在柵金屬層上形成一層在與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽的柵絕緣層。
[0059]具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法或者磁控濺射的方法在玻璃基板上沉積厚度為
1000人至(>000人的柵電極絕緣層薄膜，該柵絕緣層薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，本實(shí)施例中優(yōu)選光敏有機(jī)材料。通過(guò)使用掩膜板，在柵極上方進(jìn)行紫外曝光形成柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處具有凹槽的形狀。
[0060]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過(guò)在薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0061]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管可以是柵極底接觸類(lèi)型，參照?qǐng)D5所示，該方法包括以下步驟:
[0062]201、在基板上形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0063]202、在柵金屬層上形成一層在與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽的柵絕緣層。
[0064]203、在柵絕緣層上與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成一層形成有源層。
[0065]具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法在柵絕緣層上沉積金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，然后對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成有源層，即在光刻膠涂覆后，用普通的掩模板對(duì)基板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成有源層即可。
[0066]204、在有源層上形成一層源極和漏極。
[0067]其中，源極和漏極的部分圖案在柵絕緣層上與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
[0068]采用和制作柵線類(lèi)似的方法，在基板上沉積一層類(lèi)似于柵金屬的厚度在I 000人至IJ7000人金屬薄膜。通過(guò)構(gòu)圖工藝處理在一定區(qū)域形成源極、漏極，最終形成的源極和漏極的厚度在600?3 000人。
[0069]205、在源極和漏極上形成一層保護(hù)層。
[0070]具體的，采用和柵絕緣層以及有源層相類(lèi)似的方法，在整個(gè)基板上涂覆一層厚度在1000人到6000人的鈍化層，其材料通常是氮化硅或透明的有機(jī)樹(shù)脂材料。
[0071]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的流程與上述實(shí)施例中的步驟相同的描述可以參照上述實(shí)施例中的說(shuō)明，此處不再贅述。
[0072]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過(guò)在制作薄膜晶體管時(shí)，在薄膜晶體管的柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0073]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，該薄膜晶體管可以是柵極底接觸類(lèi)型，參照?qǐng)D6所示，該方法包括以下步驟:
[0074]301、在基板上形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層。
[0075]302、在柵金屬層上形成一層在與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽的柵絕緣層。
[0076]303、在柵絕緣層上形成源極和漏極。
[0077]其中，源極和漏極的部分圖案在柵絕緣層上與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
[0078]具體的，可以采用在柵絕緣層上涂敷一層負(fù)性光刻膠，通過(guò)掩膜板形成源漏極區(qū)域的圖案，然后通過(guò)真空鍍膜的方法在柵絕緣層上沉積一層金屬薄膜，最終進(jìn)行負(fù)性光刻膠脫模工藝形成源極和漏極。
[0079]304、在源極和漏極上與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成一層形成有源層。
[0080]具體的，可以采用溶液法涂敷有機(jī)半導(dǎo)體材料，形成有源層。
[0081]305、在有源層上形成一層保護(hù)層。
[0082]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的流程與上述實(shí)施例中的步驟相同的描述可以參照上述實(shí)施例中的說(shuō)明，此處不再贅述。
[0083]本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過(guò)在制作薄膜晶體管時(shí)，在柵絕緣層上與柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置凹槽，使得有源層可以設(shè)置于與柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處，這樣可以有利于更好的形成有源層、源極和漏極，解決了現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)中由于源漏電極與絕緣層之間存在段差且不在同一界面，使得最終在形成有源層時(shí)，在源漏電極和絕緣層上的膜厚不易控制，形成的有源層出現(xiàn)斷線的問(wèn)題，提高了薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性，降低了生產(chǎn)成本。進(jìn)而，可以提高生產(chǎn)效率。
[0084]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管為柵極底接觸型，所述薄膜晶體管包括:柵極和柵絕緣層，其特征在于， 所述柵絕緣層上與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極， 所述源極和漏極的部分圖案形成在所述柵絕緣層上，與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:有源層， 所述有源層形成在所述柵絕緣層上，與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述柵絕緣層上的凹槽的寬度大于或者等于所述柵極的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述柵絕緣層上的凹槽的高度大于或者等于所述有源層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述有源層的材料為有機(jī)半導(dǎo)體材料。
7.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求1?6任一所述的薄膜晶體管。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括陣列基板，其中: 所述陣列基板為權(quán)利要求7所述的陣列基板。
9.一種薄膜晶體管的制作方法，所述方法包括:形成包括柵極、柵線和柵線引線的柵金屬層，其特征在于，還包括: 在所述柵金屬層上形成一層在與所述柵極對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有凹槽的柵絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成源極和漏極的部分圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述柵絕緣層上與所述柵絕緣層上的凹槽對(duì)應(yīng)的位置處形成一層有源層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于， 所述柵絕緣層上的凹槽的寬度大于或者等于所述柵極的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述柵絕緣層上的凹槽的高度大于或者等于所述有源層的厚度。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK104183648SQ201410360841
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】方漢鏗, 謝應(yīng)濤, 歐陽(yáng)世宏, 蔡述澄, 石強(qiáng), 劉則 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司